本發(fā)明涉及太陽能電池制備技術領域，尤其涉及一種雙面polo電池及其制備方法。
背景技術：
目前，背鈍化電池作為一種新興的高效電池技術，有效的鈍化了電池背面復合，并降低了背面的發(fā)射率，從而有效的吸收了長波段的光，使得電池效率有了大的飛躍；并且由于鈍化層的介入，電池片的翹曲度也得到了一定的改善。
常規(guī)的電池中的金屬和半導體接觸負電荷值大概在4000費安/平方厘米，若進行鈍化后其值在100～300之間。目前perc鈍化效果較好，但perc也存在兩個缺點，第一是perc仍有部分的金屬與半導體的接觸，另一個是perc的背表面是點接觸，增大了載流子運輸的距離。
技術實現要素：
本發(fā)明要解決的技術問題是：為了解決現有技術中金屬與半導體的接觸產生的較高負電荷，點接觸的少子或多子的橫向傳輸的技術問題，本發(fā)明提供一種雙面polo電池及其制備方法，本發(fā)明為克服上述缺點，設計polo(poly-sionpassivatinginterfacialoxides)電池，利用氧化硅加多晶硅層進行雙面鈍化，其作用一是不僅鈍化了表面缺陷，增加弱光的響應，也鈍化了金屬與半導體的接觸，減少了接觸負電荷值；其二是由于是全鈍化，沒有點接觸，其基區(qū)沒有少子或多子的橫向傳輸，其三是多晶硅為間接帶隙，電流損失小。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種雙面polo電池，包括硅片基底，所述硅片基底的雙面由內向外依次設置有siox隧穿氧化層、多晶硅層以及ito導電薄膜層。
一種雙面polo電池的制備方法，包括對硅片依次進行雙面清洗制絨、全鈍化、離子注入、鍍導電薄膜和絲網印刷，所述全鈍化工藝中采用氧化硅加多晶硅進行鈍化形成全鈍化層。本發(fā)明加入了多晶硅進行雙面鈍化，解決perc電池的金屬與半導體接觸的高負電荷問題，并改善因點接觸造成的電流損失。
所述全鈍化的具體包括：
利用濕法化學或濕氧法或紫外法在硅片的雙面先制備siox隧穿氧化層(2)，再利用pecvd或lpcvd在硅片的雙面的siox隧穿氧化層(2)上制備多晶硅層(3)，再利用離子注入分別對硅片的正面和背面進行摻雜，最終制備得到由氧化硅加多晶硅形成非接觸式的全鈍化層。
所述的雙面polo電池的制備方法，具體步驟包括：
清洗制絨，將硅片在hcl/hno3混合溶液中清洗，去除表面損傷層、切割線痕以及金屬離子等，利用naoh進行表面制絨，因各向異性反應，表面生成金字塔結構；
制備隧穿氧化層，利用濕法化學或濕法臭氧法或紫外法在硅片的雙面進行生長siox隧穿氧化層(2)，其膜厚控制在1～10nm，隨后對其進行退火；
鈍化層，利用pecvd或lpcvd在硅片的雙面的siox隧穿氧化層(2)上制備多晶硅層(3)，其膜厚控制在1～20nm；
離子注入，分別對硅片的正面和背面進行離子注入，分別形成p+ploy-si層和n+ploy-si層；
鍍導電膜，利用pvd在硅片的雙面，即在p+ploy-si層和n+ploy-si層沉積導電薄膜ito，雙面其方阻控制在20～200ω；
絲網印刷，將完成ito薄膜的硅片進行絲網印刷燒結，絲印出背電極和正電極即可。
本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明的雙面polo電池及其制備方法，利用氧化硅加多晶硅層進行雙面鈍化，其作用一是不僅鈍化了硅片表面的表面缺陷，增加弱光的響應，也鈍化了背面的金屬與半導體的接觸，減少了接觸負電荷值；其二是由于是全鈍化，沒有點接觸，其基區(qū)(基底區(qū)域)沒有少子或多子的橫向傳輸，其三是多晶硅為間接帶隙，電流損失小。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
圖1是本發(fā)明制備的電池結構示意圖。
圖中：1、硅片基底，2、siox隧穿氧化層，3、多晶硅層，4、ito導電薄膜層。
具體實施方式
現在結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。
如圖1所示，是本發(fā)明最優(yōu)實施例，一種雙面polo電池，包括硅片基底1，所述硅片基底1的雙面由內向外依次設置有siox隧穿氧化層2、多晶硅層3以及ito導電薄膜層4。
一種雙面polo電池的制備方法，包括對硅片依次進行雙面清洗制絨、全鈍化、離子注入、度導電薄膜和絲網印刷，全鈍化工藝中采用氧化硅加多晶硅進行鈍化形成全鈍化層。
具體步驟包括：
清洗制絨，將硅片在hcl/hno3混合溶液中清洗，去除表面損傷層、切割線痕以及金屬離子等，利用naoh進行表面制絨，因各向異性反應，表面生成金字塔結構；
制備隧穿氧化層，利用濕法化學或濕法臭氧法或紫外法在硅片的雙面進行生長siox隧穿氧化層2，其膜厚控制在1～10nm，隨后對其進行退火；
鈍化層，利用pecvd或lpcvd在硅片的雙面的siox隧穿氧化層2上制備多晶硅層(3)，其膜厚控制在1～20nm；
離子注入，分別對硅片的正面和背面進行離子注入進行摻雜，分別形成p+ploy-si層和n+ploy-si層；最終制備得到由氧化硅加多晶硅形成非接觸式的全鈍化層；(perc是點接觸式的，本發(fā)明的polo電池的制備方法，金屬和半導體是沒有接觸的，相對perc的點接觸，這就是非接觸式的。)
鍍導電膜，利用pvd在硅片的雙面，即在p+ploy-si層和n+ploy-si層沉積導電薄膜ito，雙面其方阻控制在20～200ω；
絲網印刷，將完成ito薄膜的硅片進行絲網印刷燒結，絲印出背電極和正電極即可。所述全鈍化的具體包括：
以上述依據本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。