本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體、微電子產(chǎn)品的離子束加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種離子束采集器。

背景技術(shù)：

等離子體產(chǎn)生后，在有效離子束通道上，離子束的束流密度都是不均勻的，但是在利用等離子體進(jìn)行刻蝕加工時(shí)，最理想的狀態(tài)就是離子束的束流密度均勻，這樣就可以獲得均勻性良好的刻蝕效果，這在各種離子束刻蝕技術(shù)中都是最為重要的。

傳統(tǒng)的獲得良好束流密度均勻性的方法有兩種，一種是調(diào)整離子源的參數(shù)與設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，使得從離子源引出的離子束均勻，但由于離子束被束縛的磁場(chǎng)本身不均勻，加上離子帶電的互斥作用，很難保證從離子源總引出的離子束的絕對(duì)均勻，只能是獲得相對(duì)均勻的離子束，當(dāng)這種離子源自身離子束均勻性達(dá)不到刻蝕要求時(shí)，就必須在離子源與刻蝕樣品之間建立異型的物理遮擋機(jī)構(gòu)，不斷通過(guò)調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀，與離子束密度特征進(jìn)行抵消，在每次設(shè)計(jì)出物理遮擋裝置時(shí)，都需要測(cè)試刻蝕均勻性，如尚未達(dá)到修正效果，就需要針對(duì)性的對(duì)物理遮擋裝置的幾何形狀進(jìn)行加工。

在測(cè)試刻蝕均勻性時(shí)，一種方案是對(duì)刻蝕樣品表面進(jìn)行大范圍的刻蝕深度測(cè)量，以獲得樣品均勻性的兩維曲線，但在較大樣品中，上述測(cè)量不易實(shí)現(xiàn)，原因有二。因?yàn)榘雽?dǎo)體、微電子行業(yè)已經(jīng)發(fā)展到微納米尺度，能夠測(cè)量深度的儀器非常昂貴，并且儀器可以測(cè)量的樣品面積很小，對(duì)于大樣品進(jìn)行一次測(cè)量或許是很困難，或代價(jià)很大的事，甚至必須要對(duì)樣品進(jìn)行切割再測(cè)量，當(dāng)遇到切割困難的，這件事情很難完成。另一方面，有很多樣品是很昂貴的，因此如果要通過(guò)刻蝕后測(cè)量樣品獲得實(shí)際的均勻性誤差數(shù)據(jù)，再據(jù)此調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀，則經(jīng)濟(jì)代價(jià)很大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種離子束采集器，以減少或避免前面所提到的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種離子束采集器，其用于在真空腔室中對(duì)離子源所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測(cè)，其包括一個(gè)底座，所述底座設(shè)置有至少一個(gè)滑軌，所述滑軌上可滑動(dòng)連接有安裝架，所述安裝架包括底板，所述底板上設(shè)置有兩塊與所述滑軌的軸線垂直的支架板，兩塊所述支架板之間連接有臺(tái)板，所述臺(tái)板上豎直設(shè)置兩個(gè)L形安裝耳片，在兩個(gè)所述形安裝耳片之間連接有一個(gè)U形安裝板，所述U形安裝板上設(shè)置有多個(gè)離子束采集器。

優(yōu)選地，所述離子束采集器是法拉第杯。

優(yōu)選地，所述L形安裝耳片設(shè)置有中空通槽。

優(yōu)選地，所述底板設(shè)置有齒條結(jié)構(gòu)，所述底座設(shè)置有與步進(jìn)電機(jī)連接的傳動(dòng)齒輪。

本實(shí)用新型所提供的一種離子束采集器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可在不需要進(jìn)行樣品刻蝕的情況下，在真空腔室中采集到真實(shí)工況下的離子束的束流密度信息，從而可以很少的經(jīng)濟(jì)代價(jià)來(lái)調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀。

附圖說(shuō)明

以下附圖僅旨在于對(duì)本實(shí)用新型做示意性說(shuō)明和解釋，并不限定本實(shí)用新型的范圍。其中，

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的一種離子束采集器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。其中，相同的部件采用相同的標(biāo)號(hào)。

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的一種離子束采集器的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種離子束采集器，其用于在真空腔室(圖中未示出)中對(duì)離子源(圖中未示出)所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測(cè)，其包括一個(gè)底座1，所述底座1設(shè)置有至少一個(gè)滑軌11，所述滑軌11上可滑動(dòng)連接有安裝架2，所述安裝架2包括底板21，所述底板21上設(shè)置有兩塊與所述滑軌11的軸線垂直的支架板22，兩塊所述支架板22之間連接有臺(tái)板23，所述臺(tái)板23上豎直設(shè)置兩個(gè)L形安裝耳片24，在兩個(gè)所述L形安裝耳片24之間連接有一個(gè)U形安裝板3，所述U形安裝板3上設(shè)置有多個(gè)離子束采集器4。

當(dāng)需要在真空腔室中對(duì)離子源(特別是條形離子源)所發(fā)出的離子束進(jìn)行束流密度檢測(cè)時(shí)，只需要將所述底座1放置在離子源前方，使所述離子束采集器4與離子源的距離等于實(shí)際刻蝕時(shí)工件與離子源的距離，啟動(dòng)離子源，使所述安裝架2沿所述滑軌11滑動(dòng)，即可通過(guò)所述離子束采集器4采集到束流密度信息。

所述離子束采集器4可以是法拉第杯。

所述L形安裝耳片24可設(shè)置有中空通槽241，這樣可便于調(diào)節(jié)所述U形安裝板3的安裝位置，也就是便于調(diào)節(jié)所述離子束采集器4與所述離子源的距離。

所述L形安裝耳片24可保障所述U形安裝板3與所述臺(tái)板23平行，也就是說(shuō)，可根據(jù)實(shí)際刻蝕時(shí)工件與離子源所發(fā)射的離子束的夾角來(lái)設(shè)定所述臺(tái)板23與離子束的夾角，從而可確保所述離子束采集器4采集的束流密度信息能夠與實(shí)際刻蝕時(shí)的離子束工作情況對(duì)應(yīng)。

所述底板21可設(shè)置有齒條結(jié)構(gòu)211，所述底座1可設(shè)置有與步進(jìn)電機(jī)(圖中未示出)連接的傳動(dòng)齒輪12，這樣就可以方便的通過(guò)所述傳動(dòng)齒輪12與所述齒條結(jié)構(gòu)211的嚙合控制所述安裝架2沿所述滑軌11滑動(dòng)。從而也就實(shí)現(xiàn)了在不打開(kāi)真空室的情況下，可采集到同一個(gè)離子源的多組數(shù)據(jù)。

本實(shí)用新型所提供的一種離子束采集器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可在不需要進(jìn)行樣品刻蝕的情況下，在真空腔室中采集到真實(shí)工況下的離子束的束流密度信息，從而可以很少的經(jīng)濟(jì)代價(jià)來(lái)調(diào)整物理遮擋機(jī)構(gòu)的幾何形狀。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，雖然本實(shí)用新型是按照多個(gè)實(shí)施例的方式進(jìn)行描述的，但是并非每個(gè)實(shí)施例僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案。說(shuō)明書中如此敘述僅僅是為了清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體加以理解，并將各實(shí)施例中所涉及的技術(shù)方案看作是可以相互組合成不同實(shí)施例的方式來(lái)理解本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的具體實(shí)施方式，并非用以限定本實(shí)用新型的范圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作的等同變化、修改與結(jié)合，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。