本實用新型涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種晶圓承載裝置。

背景技術：

晶圓是指硅半導體集成電路制造所用的硅基底，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅芯片上可加工制作成各種電路組件結構，而成為有特定功能的IC產品。晶圓分為單面制程和雙面制程兩種，單面制程的晶圓只在一面進行打磨和拋光等工藝，而雙面制程的晶圓需要在晶圓的正面和反面同時進行打磨和拋光的工藝，并且，加工好的晶圓需要在目檢機臺上進行目檢。

由于某些晶圓是雙面制程，在雙面全部進行打磨和拋光后再進行目檢，若直接放在目檢機臺上進行目檢，則會在晶圓表面形成圓形的破損痕跡，造成良率的損失。所以雙面制程的薄片晶圓無法直接放置到目檢機臺上操作。

因此，需要設計一種晶圓承載裝置以解決雙面制程的薄片晶圓無法直接放置在目檢機臺上的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種晶圓承載裝置，以解決現(xiàn)有的雙面制程的薄片晶圓無法直接放置在目檢機臺上的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種晶圓承載裝置，用于承載晶圓，所述晶圓承載裝置包括底盤結構及位于所述底盤結構正面的第一凸起結構，所述第一凸起結構承載晶圓。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述晶圓承載裝置還包括位于所述第一凸起結構的邊緣上的第二凸起結構。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述底盤結構為圓形底盤結構。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述底盤結構上設置有多個缺口。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述底盤結構的直徑為205毫米～211毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第一凸起結構為圓弧段結構。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第一凸起結構的數量為多個，多個所述第一凸起結構均勻分布于所述底盤結構正面邊緣。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第一凸起結構的截面寬度為3毫米～7毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第二凸起結構的截面寬度為所述第一凸起結構的截面寬度的1/10～1/2。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第一凸起結構的高度比所述底盤結構的高度高1毫米～5毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述第二凸起結構的高度比所述第一凸起結構的高度高1毫米～3毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述晶圓承載裝置還包括位于所述底盤結構背面中心位置的圓形凹槽，所述晶圓承載裝置承載在目檢臺上，所述圓形凹槽套在所述目檢臺上。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述圓形凹槽的直徑為55毫米～61毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述圓形凹槽的深度為1毫米～3毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述晶圓承載裝置的材料為聚醚醚酮材料。

在本實用新型提供的晶圓承載裝置中，通過底盤結構和底盤結構邊緣上凸起的第一凸環(huán)結構，使晶圓承載在寬度較小的第一凸環(huán)結構上，只有位于底盤結構邊緣的第一凸環(huán)結構接觸晶圓，第一凸環(huán)結構托起晶圓邊緣，而中心區(qū)域懸空，晶圓承載裝置的底盤結構不會碰觸晶圓，避免晶圓的一面進行目檢時，另一面由于接觸形成圓形破損痕跡，影響良率；另外，晶圓承載裝置的材料選擇聚醚醚酮材料，可耐高溫，不破壞晶圓成分。

進一步的，在本實用新型提供的晶圓承載裝置中，通過第一凸環(huán)結構上的第二凸環(huán)結構，形成晶圓承載裝置邊緣的階梯式設計，使晶圓承載裝置承載晶圓時，有效固定晶圓，當目檢操作晶圓承載裝置帶動晶圓轉動時，防止由于轉動速度過快，慣性太大使晶圓滑出或從晶圓承載裝置上掉落。

更進一步的，通過底盤結構反面中心位置設置有圓形凹槽，使晶圓承載裝置可直接嵌入安裝在日常操作使用的目檢機臺中，并進行旋轉目檢，不必由于雙面制程晶圓的特殊要求再增添其他目檢設備，成本低廉。由于晶圓承載裝置也可由于單面制程的晶圓，所以在單面制程和雙面制程晶圓交替目檢時，不必由于兩種晶圓目檢要求的不同而頻繁安裝和拆卸，長期不使用時也可靈活拆卸，使用十分便捷。

最后，通過底盤結構兩端邊緣各開有一個缺口，使目檢機臺中的機械手臂向晶圓承載裝置上放置和取出晶圓時，不會碰觸到晶圓承載裝置的邊緣，使整個目檢過程實現(xiàn)機械手臂的自動化操作，降低人工放置和取出晶圓容易造成破損的風險。

總之，本實用新型的晶圓承載裝置滿足雙面制程的晶圓在整個目檢過程中不受到有害碰觸和降低破損風險的要求，解決了現(xiàn)有的雙面制程的薄片晶圓無法直接放置在目檢機臺上的問題，并可搭配所有常規(guī)使用的目檢機臺使用，裝配靈活，維護簡單，成本低廉。

附圖說明

圖1是本實用新型晶圓承載裝置結構示意圖；

圖2是本實用新型晶圓承載裝置與目檢機臺裝配示意圖；

圖3是本實用新型晶圓承載裝置各部件尺寸示意圖；

圖中所示：1-晶圓承載裝置；11-底盤結構；12-第一凸環(huán)結構；13-第二凸環(huán)結構；14-圓形凹槽；15-缺口；2-目檢機臺；21-目檢臺；22-機械手臂；3-晶圓。

具體實施方式

以下結合附圖1～3和具體實施例對本實用新型提出的晶圓承載裝置作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

本實用新型的核心思想在于提供一種晶圓承載裝置以解決雙面制程的薄片晶圓無法直接放置在目檢機臺上的問題。本實用新型的晶圓承載裝置適用于雙面制程的薄片晶圓，該技術方案可以托起雙面制程的晶圓，防止晶圓出現(xiàn)圓圈狀的破損痕跡。

為實現(xiàn)上述思想，本實用新型提供一種晶圓承載裝置1，用于承載晶圓3，所述晶圓承載裝置1包括底盤結構11及位于所述底盤結構11正面的第一凸起結構12，所述第一凸起結構12承載晶圓3。

圖1為本實用新型晶圓承載裝置結構示意圖，如圖1所示，所述晶圓承載裝置1包括一底盤結構11及位于所述底盤結構11正面的第一凸起結構12，所述第一凸起結構12承載晶圓3。第一凸環(huán)結構12從所述底盤結構11的邊緣一周上凸起，其中：所述第一凸環(huán)結構12位于所述底盤結構11正面，所述晶圓3承載在所述晶圓承載裝置1的第一凸環(huán)結構12上。第一凸環(huán)結構12托起晶圓3邊緣，而由于第一凸環(huán)結構12在底盤結構11的邊緣凸起，即高于底盤結構11，所以晶圓3的中心區(qū)域懸空，不會碰觸晶圓承載裝置1的底盤結構11，避免晶圓的一面進行目檢時，另一面由于接觸形成圓形破損痕跡，影響良率。

進一步的，在所述的晶圓承載裝置1中，所述晶圓承載裝置1還包括位于所述第一凸起結構12的邊緣上的第二凸起結構13，所述第二凸環(huán)結構13位于所述第一凸環(huán)結構12邊緣上方，底盤結構11、第一凸環(huán)結構12與第二凸環(huán)結構13形成邊緣階梯式設計。本實施例中的晶圓承載裝置1通過第一凸環(huán)結構12上的第二凸環(huán)結構13，形成晶圓承載裝置1邊緣的階梯式設計，使晶圓承載裝置1承載晶圓3時，有效固定晶圓3，當目檢機臺2操作晶圓承載裝置1帶動晶圓3轉動時，防止由于轉動速度過快，慣性太大使晶圓3滑出或從晶圓承載裝置1上掉落。

圖2是本實用新型晶圓承載裝置與目檢機臺裝配示意圖，如圖2所示，適用于雙面制程薄片晶圓的晶圓承載裝置1可匹配正常目檢機臺2進行操作：即晶圓承載裝置1的正面放置晶圓3，晶圓3的邊緣以內大概3毫米的一周接觸第一凸環(huán)結構12，晶圓3的中心區(qū)域懸空，不會碰觸底盤結構11或第一凸環(huán)結構12。

更進一步，所述底盤結構11為圓形底盤結構，所述底盤結構11的直徑為205毫米～211毫米，所述底盤結構11的直徑比晶圓3的直徑略大約2～8毫米，對于12寸晶圓，底盤結構11的直徑為205～211毫米即可，可選的，直徑為208毫米。所述底盤結構11上設置有多個缺口15，可選的為兩個缺口。所述兩個缺口15分別位于底盤結構11的邊緣的兩端。所述兩個缺口15的開口相互距離為130～136毫米，可選的，為133毫米。本實施例中的晶圓承載裝置1通過底盤結構11兩端邊緣各開有一個缺口15，使目檢機臺2中的機械手臂22向晶圓承載裝置1上放置和取出晶圓3時，不會碰觸到晶圓承載裝置1的邊緣，使整個目檢過程實現(xiàn)機械手臂22的自動化操作，降低人工放置和取出晶圓容易造成破損的風險。

具體的，在所述的晶圓承載裝置1中，所述第一凸起結構12為圓弧段結構，所述第一凸起結構12的數量為多個，多個所述第一凸起結構12均勻分布于所述底盤結構11正面邊緣，所述第一凸起結構12的截面寬度為3毫米～7毫米，所述底盤結構11的中心至所述第一凸起結構12的內側邊的距離略小于晶圓3的直徑，這樣可使晶圓3與第一凸環(huán)結構12發(fā)生干涉，并可以承載于第一凸環(huán)結構12之上，而不會掉落在第一凸環(huán)結構12的環(huán)形結構中間的凹槽中，以防止碰觸到底盤結構11。所述底盤結構的中心至所述第一凸起結構的內側邊的距離為97.5毫米～100.5毫米；可選的為99毫米。所述底盤結構的中心至所述第一凸起結構的外側邊的距離為102.5毫米～105.5毫米，可選的為104毫米，略大于晶圓的直徑，并與底盤結構11的直徑相同，使第一凸環(huán)結構12和底盤結構11的一體化結構設計更加簡單，加工時側面外表面一體成型更加方便。

另外，所述第二凸起結構13的截面寬度為所述第一凸起結構12的截面寬度的1/10～1/2，即0.3毫米～3.5毫米，本實施例選取2.5毫米。所述底盤結構11的中心至所述第二凸起結構13的內側邊的距離為100～103毫米，可選的為101.5毫米，即略大于所述底盤結構11的中心至所述第一凸起結構12的內側邊的距離，一般大于2.5毫米，使第二凸環(huán)結構13的截面寬度比第一凸環(huán)結構12的截面寬度小2.5毫米，第二凸環(huán)結構13的截面寬度過小，則強度不足以固定晶圓，第二凸環(huán)結構13的截面寬度過大則使晶圓無法放置在第一凸環(huán)結構12上。所述底盤結構的中心至所述第二凸起結構13的外側邊的距離為102.5毫米～105.5毫米，可選的為104毫米，與所述底盤結構的中心至所述第一凸起結構12的外側邊的距離相同，使底盤結構11、第一凸環(huán)結構12和第二凸環(huán)結構13的一體化結構設計更加簡單，加工時側面外表面一體成型更加方便。

進一步的，所述第一凸起結構12的高度比所述底盤結構的高度高1毫米～5毫米。所述第二凸起結構13的高度比所述第一凸起結構12的高度高1毫米～3毫米。

可選的，在所述的晶圓承載裝置中，所述晶圓承載裝置還包括位于所述底盤結構背面中心位置的圓形凹槽，所述晶圓承載裝置承載在目檢臺上，所述圓形凹槽套在所述目檢臺上，所述圓形凹槽的直徑為55毫米～61毫米，所述圓形凹槽的深度為1毫米～3毫米。本實施例中的晶圓承載裝置1通過底盤結構11反面中心位置設置有圓形凹槽14，使晶圓承載裝置1可直接嵌入安裝在日常操作使用的目檢機臺2中，并進行旋轉目檢，不必由于雙面制程晶圓的特殊要求再增添其他目檢設備，成本低廉。由于晶圓承載裝置1也可由于單面制程的晶圓，所以在單面制程和雙面制程晶圓交替目檢時，不必由于兩種晶圓目檢要求的不同而頻繁安裝和拆卸，長期不使用時也可靈活拆卸，使用十分便捷。

具體的，在所述的晶圓承載裝置中，所述晶圓承載裝置的材料為聚醚醚酮材料。晶圓承載裝置的材料選擇聚醚醚酮材料，可耐高溫，不破壞晶圓成分。peek聚醚醚酮是一種具有耐高溫、自潤滑、易加工和高機械強度等優(yōu)異性能的特種工程塑料，可制造加工成各種機械零部件。

圖3是本實用新型晶圓承載裝置各部件尺寸示意圖，如圖3所示，a1為圓形凹槽的直徑，尺寸為58毫米，a2為底盤結構上兩個缺口之間的最小距離，尺寸為133毫米，a3為所述底盤結構的中心至所述第二凸起結構的內側邊的距離，尺寸為101毫米，a4為所述底盤結構的直徑，尺寸為208毫米。

總之，本實用新型的晶圓承載裝置滿足雙面制程的晶圓在整個目檢過程中不受到有害碰觸和降低破損風險的要求，解決了現(xiàn)有的雙面制程的薄片晶圓無法直接放置在目檢機臺上的問題，并可搭配所有常規(guī)使用的目檢機臺使用，裝配靈活，維護簡單，成本低廉。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限定，本實用新型領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。