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      雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)及卡賽格倫天線的制作方法

      文檔序號(hào):12909188閱讀:762來源:國知局
      雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)及卡賽格倫天線的制作方法與工藝

      本實(shí)用新型涉及天線結(jié)構(gòu)領(lǐng)域,特別是一種適合于雙頻復(fù)合卡賽格倫(Cassegrain)天線饋源結(jié)構(gòu)及卡塞格倫天線。



      背景技術(shù):

      卡賽格倫(Cassegrain)天線是高增益的超高頻天線之一,通常其由三部分組成,即主反射器、副反射器和輻射源(饋源)。其中主反射器為旋轉(zhuǎn)拋物面,副反射面為旋轉(zhuǎn)雙曲面。在結(jié)構(gòu)上,雙曲面的一個(gè)焦點(diǎn)與拋物面的焦點(diǎn)重合,雙曲面焦軸與拋物面的焦軸重合,而輻射源位于雙曲面的另一焦點(diǎn)上,其由副反射器對(duì)輻射源發(fā)出的電磁波進(jìn)行的一次反射,將電磁波反射到主反射器上,然后再經(jīng)主反射器反射后獲得相應(yīng)方向的平面波波束,以實(shí)現(xiàn)定向發(fā)射??ㄙ惛駛惥哂叙伨€短,饋源靈活,低旁瓣,高分辨率,幅相特性優(yōu)異的特點(diǎn),因此廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)距離通信和高分辨率雷達(dá)探測(cè)系統(tǒng)中。傳統(tǒng)的卡賽格倫天線只工作在單一頻率,當(dāng)前卡賽格倫天線的饋源結(jié)構(gòu)大多是針對(duì)單一頻率工作模式設(shè)計(jì),但是當(dāng)要求天線向多功能(一副天線代替多副甚至很多天線、適應(yīng)電磁兼容要求)發(fā)展時(shí),當(dāng)前的卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu)就很難實(shí)現(xiàn)相應(yīng)功能。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于:針對(duì)當(dāng)前卡賽格倫天線的饋源結(jié)構(gòu)大多是針對(duì)單一頻率工作模式設(shè)計(jì)的問題,提供一種可以工作在雙頻模式下的用于卡賽格倫天線復(fù)合饋源結(jié)構(gòu)。

      為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:

      一種雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu),包括圍繞一虛軸均勻設(shè)置的至少兩個(gè)低頻饋源,及,沿該虛軸均勻設(shè)置的至少兩個(gè)高頻饋源;

      所述高頻饋源被所述低頻饋源包圍設(shè)置。

      優(yōu)選的,所述低頻饋源、高頻饋源數(shù)量相同或不同。如所述低頻饋源為兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè),甚至八個(gè)。

      優(yōu)選的,所述低頻饋源頂端為向虛軸傾斜的斜面。

      優(yōu)選的,所述斜面的傾斜角度為0度~80度。

      優(yōu)選的,所述低頻饋源截面為規(guī)則多邊形,或,為具有特定弧度的圓環(huán)。

      一些實(shí)施例中,所述低頻饋源在靠近虛軸的部分留有設(shè)置高頻饋源的凹陷口。

      優(yōu)選的,所述高頻饋源包括介質(zhì)部、波導(dǎo)部以及過渡部。

      優(yōu)選的,所述過渡部為階梯型或圓錐形漸變結(jié)構(gòu)。

      優(yōu)選的,所述介質(zhì)部材料為聚四氟乙烯、陶瓷、硫化鋅、石英或其他常見天線介質(zhì)材料。

      優(yōu)選的,所述低頻饋源和高頻饋源的底端采用波導(dǎo)法蘭盤與相應(yīng)收發(fā)支路連接。

      本發(fā)明同時(shí)提供一種雙頻復(fù)合卡賽格倫天線,所述天線的饋源采用如上所述的饋源結(jié)構(gòu),天線中,所述饋源結(jié)構(gòu)中的虛軸為主反射面及副反射面的焦軸。

      綜上所述,由于采用了上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供了一種用于卡賽格倫天線的雙頻饋源結(jié)構(gòu),其通過沿一虛軸同時(shí)均勻設(shè)置高頻饋源和低頻饋源,可以使得應(yīng)用本結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線同時(shí)可以具有高頻、低頻的信號(hào)收發(fā)功能。

      附圖說明

      圖1a是本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

      圖1b是本實(shí)用新型另一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

      圖1c是本實(shí)用新型又一具體實(shí)施例中饋源結(jié)構(gòu)截面示意圖。

      圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施例中高頻饋源結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖3為本實(shí)用新型具體實(shí)施例中低頻饋源結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖4為本實(shí)用新型中提供的天線示意圖。

      圖中標(biāo)記:1-副反射面,2-主反射面,3-高頻饋源,311-介質(zhì)部,312-波導(dǎo)部,313-過渡部,314、412-波導(dǎo)法蘭盤,4-低頻饋源,411-低頻饋源本體。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。

      為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。

      實(shí)施例1:如圖1c、圖2、圖3所示,本實(shí)施例提供一種用于雙頻復(fù)合卡賽格倫天線饋源結(jié)構(gòu),其包括圍繞一虛軸均勻設(shè)置的四個(gè)低頻饋源4,及,沿該虛軸均勻設(shè)置的四個(gè)高頻饋源3;高頻饋源3被低頻饋源4包圍設(shè)置,同時(shí)高頻饋源3和低頻饋源4均獨(dú)立工作,通過與后端獨(dú)立的高頻、低頻收發(fā)支路對(duì)應(yīng)連接形成相應(yīng)的和差波束,實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的探測(cè)追蹤。

      實(shí)際應(yīng)用中,低頻饋源4、高頻饋源3數(shù)量可以相同或不同。比如低頻饋源4數(shù)量可以是兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè),甚至八個(gè),而同時(shí),其高頻饋源3的數(shù)量可以是四個(gè)或者五個(gè),或者其他數(shù)量;同時(shí),低頻饋源4截面(具體的是低頻饋源本體411的截面)可以是規(guī)則多邊形,比如正方形、矩形、三角形、菱形,也可以是如圖1a所示的具有特定弧度的圓環(huán),圖1a、圖1b及圖1c分別給出了不同饋源結(jié)構(gòu)的截面圖。

      由于在卡賽格倫天線中,饋源總是設(shè)置在負(fù)反射面1的虛焦點(diǎn)位置(即相位中心),而要想天線系統(tǒng)達(dá)到最佳增益,副反射面1邊緣要有一定的照射錐削,就需要使用高方向性饋源,讓主瓣能量均勻照射到副反射面1上,經(jīng)過二次輻射,通過主反射面2(拋物線面)以平面波的形式輻射到自由空間中,滿足最佳增益時(shí)的幾何光路,使能量得到最大程度的利用。為了滿足系統(tǒng)要求,本實(shí)施例中高頻饋源3選擇低副瓣、高增益、良好的方向圖等化性的介質(zhì)棒天線作為饋源,具體應(yīng)用中,高頻饋源3包括介質(zhì)部311、波導(dǎo)部312以及過渡部313,而過渡部313可以為階梯型或圓錐形漸變結(jié)構(gòu),本實(shí)施例中,介質(zhì)材料可以選擇聚四氟乙烯,以增加單元天線增益,減小波束寬度,當(dāng)然該介質(zhì)材料也可以是聚四氟乙烯、陶瓷、硫化鋅、石英或其他常見天線介質(zhì)材料。

      考慮到兩種饋源的復(fù)合形式,高頻饋源3和低頻饋源4相互之間需形成最小干擾,避免外圍低頻饋源影響內(nèi)圍高頻饋源3;同時(shí),由于受到系統(tǒng)尺寸的限制,應(yīng)用本饋源結(jié)構(gòu)時(shí),天線的主反射面2和副反射面1尺寸均優(yōu)選采用高頻段設(shè)計(jì),而此時(shí),對(duì)于低頻段的饋源來說,副反射面1的尺寸會(huì)略顯小,從而會(huì)產(chǎn)生繞射,但是若增大副反射面1尺寸則會(huì)使得副反的遮擋變大,從而影響整個(gè)天線系統(tǒng)的效率和增益,因而在本實(shí)施例中低頻饋源4采用斜切面的喇叭天線形式,即,低頻饋源頂端4為向虛軸傾斜的斜面。具體的,所述斜面的傾斜角度可以設(shè)置在0度~80度之間的任意值,比如10度、25度,45度、60度、75度、80度,其中優(yōu)選采用45度。這種結(jié)構(gòu)形式能有效避免由于失焦引起的能量繞射,使饋源能量集中照向副反射面1上,從而可以使得采用具有斜面頂端的饋源結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線的副反射面1可以相對(duì)于采用不具有斜面頂端的饋源結(jié)構(gòu)的卡賽格倫天線的負(fù)反射面1更小。

      為了進(jìn)一步的縮小饋源截面積,在一些實(shí)施例中,如圖1c所示,低頻饋源4在靠近虛軸的部分留有設(shè)置高頻饋源3的凹陷口,而高頻饋源3設(shè)置在該凹陷口內(nèi)使得該結(jié)構(gòu)與圖1b所示的實(shí)施例相比,結(jié)構(gòu)更加緊湊。

      同時(shí),低頻饋源4和高頻饋源3的底端選擇采用波導(dǎo)法蘭盤(314、412)與相應(yīng)收發(fā)支路連接,具體的,各個(gè)饋源可以采用單獨(dú)的波導(dǎo)法蘭盤與對(duì)應(yīng)低頻收發(fā)支路連接,也可以如圖2、圖3所示,低頻饋源和高頻饋源均各自采用一個(gè)統(tǒng)一的波導(dǎo)法蘭盤314、412與對(duì)應(yīng)低頻或高頻收發(fā)支路連接。

      實(shí)施例2:如圖4所示,本實(shí)施例提供一種應(yīng)用了實(shí)施例1所提供的饋源結(jié)構(gòu)的雙頻復(fù)合卡賽格倫天線,所述天線的饋源采用如上所述的饋源結(jié)構(gòu),天線中,所述饋源結(jié)構(gòu)中的虛軸為主反射面2及副反射面1的焦軸。

      以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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