技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：襯底上的有源圖案，所述有源圖案包括在所述有源圖案的上部中的源/漏圖案；柵電極，在所述有源圖案上并且在第一方向上延伸，所述柵電極和所述源/漏圖案在與所述第一方向相交的第二方向上彼此相鄰；以及共享接觸部，耦接到所述源/漏圖案和所述柵電極以將所述源/漏圖案與所述柵電極電連接，其中所述共享接觸部包括：電連接到所述源/漏圖案的有源接觸部；以及電連接到所述柵電極的柵接觸部，其中所述柵接觸部包括：耦接到所述柵電極的主體部；以及突出部，所述突出部沿所述第二方向從所述主體部突出，并且其中所述突出部延伸到所述有源接觸部中并且被掩埋在所述有源接觸部中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上與所述有源接觸部重疊，并且其中所述主體部從所述有源接觸部水平地偏移。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述有源接觸部和所述柵接觸部均包括屏障圖案和導(dǎo)電圖案，其中所述屏障圖案覆蓋所述導(dǎo)電圖案的表面，并且所述突出部的屏障圖案被插入在所述突出部的導(dǎo)電圖案與所述有源接觸部的導(dǎo)電圖案之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述主體部的頂表面與所述有源接觸部的頂表面共面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部的頂表面與所述有源接觸部的頂表面共面。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部的頂表面低于所述有源接觸部的頂表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部比所述主體部的底表面更遠離所述襯底。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述有源接觸部包括連接部和凹陷部，其中所述連接部與所述突出部接觸，并且其中所述凹陷部的頂表面比所述連接部的頂表面更靠近所述襯底。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述凹陷部上的上絕緣層，其中所述連接部的頂表面與所述上絕緣層的頂表面共面。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述有源圖案包括在器件隔離層上方突出的有源鰭，或者其中所述有源圖案包括豎直地堆疊的多個溝道圖案。11.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括襯底上的sram單元，其中所述sram單元包括：第一上拉晶體管/第一下拉晶體管和第二上拉晶體管/第二下拉晶體管；以及第一節(jié)點，將所述第一上拉晶體管/所述第一下拉晶體管的第一公共源/漏極連接到所述第二上拉晶體管/所述第二下拉晶體管的第一公共柵極，
其中所述第一節(jié)點包括：第一共享接觸部，所述第一共享接觸部耦接到所述第一公共源/漏極和所述第一公共柵極，以將所述第一公共源/漏極與所述第一公共柵極電連接，其中所述第一共享接觸部包括電連接到所述第一公共源/漏極的有源接觸部，并且其中所述第一共享接觸部包括電連接到所述第一公共柵極的柵接觸部，其中所述柵接觸部包括：耦接到所述第一公共柵極的主體部；以及突出部，所述突出部從所述主體部朝著所述有源接觸部突出，其中所述主體部的頂表面與所述有源接觸部的頂表面共面，其中所述突出部與所述有源接觸部豎直地重疊，并且其中所述主體部從所述有源接觸部水平地偏移。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部的頂表面與所述有源接觸部的頂表面共面。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部的頂表面比所述有源接觸部的頂表面更靠近所述襯底。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述有源接觸部包括連接部和凹陷部，其中所述連接部與所述突出部接觸，并且其中所述凹陷部的頂表面比所述連接部的頂表面更靠近所述襯底。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述sram單元還包括：第二節(jié)點，將所述第二上拉晶體管/所述第二下拉晶體管的第二公共源/漏極連接到所述第一上拉晶體管/所述第一下拉晶體管的第二公共柵極，并且其中所述第二節(jié)點包括：第二共享接觸部，所述第二共享接觸部耦接到所述第二公共源/漏極和所述第二公共柵極，以將所述第二公共源/漏極與所述第二公共柵極電連接。16.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：包括比特單元區(qū)域的襯底；所述比特單元區(qū)域上的第一有源圖案和第二有源圖案，所述第一有源圖案在第一方向上與所述第二有源圖案間隔開，所述第一有源圖案包括設(shè)置在所述第一有源圖案的上部中的第一源/漏圖案，所述第二有源圖案包括設(shè)置在所述第二有源圖案的上部中的第二源/漏圖案；器件隔離層，設(shè)置在所述襯底上，以覆蓋所述第一有源圖案和所述第二有源圖案中的每一個的下部的側(cè)表面，所述第一有源圖案和所述第二有源圖案中的每一個的上部在所述器件隔離層上方延伸；柵電極，設(shè)置在所述第一有源圖案上并且在所述第一方向上延伸，所述柵電極和所述第一源/漏圖案在第二方向上彼此相鄰；柵絕緣層，在所述柵電極與所述第一有源圖案之間；柵間隔物，在所述柵電極的至少一個側(cè)表面上；柵封蓋圖案，在所述柵電極上；層間絕緣層，在所述柵封蓋圖案上；有源接觸部，所述有源接觸部延伸通過所述層間絕緣層，耦接到所述第一源/漏圖案和所述第二源/漏圖案，并且在所述第一方向上延伸以將所述第一源/漏圖案和所述第二源/
漏圖案彼此連接；硅化物圖案，在所述第一源/漏圖案和所述第二源/漏圖案中的每一個與所述有源接觸部之間；柵接觸部，所述柵接觸部延伸通過所述柵封蓋圖案并且耦接到所述柵電極；以及順序地堆疊在所述層間絕緣層上的第一互連層、第二互連層和第三互連層，其中所述柵接觸部包括：耦接到所述柵電極的主體部；以及突出部，所述突出部沿所述第二方向從所述主體部突出，并且其中所述突出部延伸到所述有源接觸部中并且被掩埋在所述有源接觸部中。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述第一互連層包括位線，并且其中所述第三互連層包括字線。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述第一源/漏圖案具有p型導(dǎo)電性，并且其中所述第二源/漏圖案具有n型導(dǎo)電性。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述突出部與所述有源接觸部豎直地重疊，并且其中所述主體部從所述有源接觸部水平地偏移。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中所述柵接觸部和所述有源接觸部彼此連接作為共享接觸部，并且其中所述共享接觸部將所述第一源/漏圖案和所述第二源/漏圖案電連接到所述柵電極。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：襯底上的有源圖案，所述有源圖案包括在所述有源圖案的上部中的源/漏圖案；柵電極，在所述有源圖案上并且在第一方向上延伸，所述柵電極與所述源/漏圖案在與所述第一方向相交的第二方向上彼此相鄰；以及共享接觸部，耦接到所述源/漏圖案和所述柵電極以將所述源/漏圖案和所述柵電極電連接。所述共享接觸部包括有源接觸部和柵接觸部，所述有源接觸部和所述柵接觸部分別電連接到所述源/漏圖案和所述柵電極。所述柵接觸部包括：耦接到所述柵電極的主體部；以及突出部，所述突出部沿所述第二方向從所述主體部突出并且延伸到且被掩埋在所述有源接觸部中。并且延伸到且被掩埋在所述有源接觸部中。并且延伸到且被掩埋在所述有源接觸部中。


技術(shù)研發(fā)人員：裴德漢 樸柱勛 李留利 鄭潤永 洪秀妍
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2022.01.13
技術(shù)公布日：2022/10/17