本申請(qǐng)案主張美國(guó)第18/209,755號(hào)專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“2023年6月14日”)，其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開(kāi)關(guān)于一種半導(dǎo)體元件以及該半導(dǎo)體元件的制備方法。特別是有關(guān)于一種具有多個(gè)選擇結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件以及具有該等選擇結(jié)構(gòu)的該半導(dǎo)體元件的制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體元件使用在不同的電子應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，或其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件的尺寸逐漸地變小，以符合計(jì)算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的制程期間，增加不同的問(wèn)題，且如此的問(wèn)題持續(xù)增加。因此，仍然持續(xù)著在達(dá)到改善品質(zhì)、良率、效能與可靠度以及降低復(fù)雜度方面的挑戰(zhàn)。

2、上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明僅提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明揭示本公開(kāi)的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開(kāi)的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件，包括一第一上選擇結(jié)構(gòu)，沿著一第一方向與一主信號(hào)墊位在同一垂直位面處，并且與該主信號(hào)墊分離；一第二上選擇結(jié)構(gòu)，沿著不同于該第一方向的一第二方向與該主信號(hào)墊位在同一垂直位面處，并且與該主信號(hào)墊分離；一第一接地層，與該主信號(hào)墊位于同一垂直位面，并與該主信號(hào)墊、該第一上選擇結(jié)構(gòu)以及該第二上選擇結(jié)構(gòu)分離；一第一下選擇結(jié)構(gòu)，位在低于該主信號(hào)墊的一垂直位面處，并且在一頂視圖中與該第一上選擇結(jié)構(gòu)、該第二上選擇結(jié)構(gòu)以及該第一接地層部分重疊；一第一上通孔，位在該第一接地層與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；多個(gè)第二上通孔，位在該第一上選擇結(jié)構(gòu)與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間以及在該第二上選擇結(jié)構(gòu)與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；多個(gè)第一絕緣層，位在該多個(gè)第二上通孔與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；以及一布線墊，位在該主信號(hào)墊、該第一上選擇結(jié)構(gòu)以及該第二上選結(jié)構(gòu)上。

2、本公開(kāi)的另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件，包括一第一上選擇結(jié)構(gòu)，沿著一第一方向與一主信號(hào)墊位在同一垂直位面處，并且與該主信號(hào)墊分離；一第四上選擇結(jié)構(gòu)，與該主信號(hào)墊位在同一垂直位面處，并沿該第一方向而與該第一上選擇結(jié)構(gòu)分離，且該主信號(hào)墊插置在其間；一第一接地層，與該主信號(hào)墊位在同一垂直位面處，并與該主信號(hào)墊以及該第一上選擇結(jié)構(gòu)分離；一第二接地層，與該主信號(hào)墊位在同一垂直位面，并與該第四上選擇結(jié)構(gòu)以及該主信號(hào)墊分離；一第一下選擇結(jié)構(gòu)，位在低于該主信號(hào)墊的一垂直位面處，并且在一頂視圖中與該第一上選擇結(jié)構(gòu)以及該第一接地層部分重疊；一第二下選擇結(jié)構(gòu)，與該第一下選擇結(jié)構(gòu)位在同一垂直位面處，并且在一頂視圖中與該第四上選擇結(jié)構(gòu)以及該第二接地層部分重疊；一第一上通孔，位在該第一接地層與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；一第三上通孔，位在該第二接地層與該第二下選擇結(jié)構(gòu)之間；一第二上通孔，位在該第一上選擇結(jié)構(gòu)與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；一第四上通孔，位在該第四上選擇結(jié)構(gòu)與該第二下選擇結(jié)構(gòu)之間；以及一第一絕緣層，位在該第二上通孔與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；一第二絕緣層，位在該第四上通孔與該第二下選擇結(jié)構(gòu)之間。

3、本公開(kāi)的另一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括形成一第一下選擇結(jié)構(gòu)在一基底上，并包括一第一連接下選擇層、沿一第一方向從該第一連接下選擇層延伸的一第一垂直下選擇層、以及沿不同于該第一方向的一第二方向從該第一連接下選擇層延伸的一第一水平下選擇層；形成多個(gè)第二上通孔在該第一水平下選擇層與該第一垂直下選擇層上，以及形成一第一上通孔在該第一連接下選擇層上；形成多個(gè)第一絕緣層在該多個(gè)第二上通孔與該第一水平下選擇層之間以及在該多個(gè)第二上通孔與該第一垂直下選擇層之間；形成一第一接地層在該第一上通孔上；分別對(duì)應(yīng)地形成一第一上選擇結(jié)構(gòu)以及一第二上選擇結(jié)構(gòu)在該多個(gè)第二上通孔上；形成一主信號(hào)墊在與該第一接地層同一垂直位面處，并與該第一上選擇結(jié)構(gòu)以及該第二上選擇結(jié)構(gòu)分離；以及形成一布線墊在該主信號(hào)墊、該第一上選擇結(jié)構(gòu)以及該第二上選擇結(jié)構(gòu)上。在一頂視圖中，該第一上選擇結(jié)構(gòu)與該第一水平下選擇層部分重疊，且該第二上選擇結(jié)構(gòu)與該第一垂直下選擇層部分重疊。

4、由于本公開(kāi)的半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)，根據(jù)在程序化期間的選擇，可以形成一條或多條信號(hào)路徑，這可以根據(jù)使用者的需求來(lái)確定。可以單獨(dú)使用布線墊傳導(dǎo)多個(gè)信號(hào)以傳輸?shù)街餍盘?hào)墊以及經(jīng)由選擇性地程序化第一上選擇結(jié)構(gòu)、第二上選擇結(jié)構(gòu)、第三上選擇結(jié)構(gòu)及/或第四上選擇結(jié)構(gòu)形成的該等信號(hào)路徑，以節(jié)省寶貴的半導(dǎo)體的占據(jù)空間(realestate)。因此，可以為半導(dǎo)體元件提供更多的功能元件。

5、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開(kāi)的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使下文的本公開(kāi)詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開(kāi)的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本公開(kāi)相同的目的。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開(kāi)的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一下選擇結(jié)構(gòu)包括：

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一上選擇結(jié)構(gòu)包括：

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二上選擇結(jié)構(gòu)包括：

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一信號(hào)上選擇層與該第二信號(hào)上選擇層在一頂視圖中包括一弧形輪廓。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，還包括：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二下選擇結(jié)構(gòu)包括：

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該第三上選擇結(jié)構(gòu)包括：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該第四上選擇結(jié)構(gòu)包括：

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中該第三信號(hào)上選擇層與該第四信號(hào)上選擇層在一頂視圖中包括一弧形輪廓。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其中該布線墊設(shè)置在該主信號(hào)墊、該第一信號(hào)上選擇層、該第二信號(hào)上選擇層、該第三信號(hào)上選擇層以及該第四信號(hào)上選擇層上。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，還包括一電線，與該布線墊電性連接。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件，還包括一主橋接墊，位在低于該主信號(hào)墊的一垂直位面處，并且電性連接到該主信號(hào)墊。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，還包括一主上通孔，位在該主信號(hào)墊與該主橋接墊之間，并且電性連接該主信號(hào)墊與該主橋接墊。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件，其中該多個(gè)第一絕緣層以及該多個(gè)第二絕緣層包括一高k材料。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一方向與第二方向互相垂直。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體元件，包括一第一上選擇結(jié)構(gòu)以及一第二上選擇結(jié)構(gòu)，與一主信號(hào)墊處于同一垂直位面并與該主信號(hào)墊分離，且分別沿不同方向延伸；一第一接地層，與該主信號(hào)墊以及該等上選擇結(jié)構(gòu)處于同一垂直位面并分離；一第一下選擇結(jié)構(gòu)，位在低于該主信號(hào)墊的一垂直位面處，并且在一頂視中與該等上選擇結(jié)構(gòu)以及該第一接地層部分重疊；一第一上通孔，位在該第一接地層與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；多個(gè)第二上通孔，位在該等上選擇結(jié)構(gòu)與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；多個(gè)第一絕緣層，位在該等第二上通孔與該第一下選擇結(jié)構(gòu)之間；以及一布線墊，位在該主信號(hào)墊焊盤與該等上選擇結(jié)構(gòu)上。

技術(shù)研發(fā)人員：丘世仰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19