本公開(kāi)涉及由iii族氮化物半導(dǎo)體(以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為“氮化物半導(dǎo)體”)構(gòu)成的氮化物半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、iii族氮化物半導(dǎo)體是指在iii-v族半導(dǎo)體中使用氮作為v族元素的半導(dǎo)體。以氮化鋁(aln)、氮化鎵(gan)、氮化銦(inn)為代表例。一般而言，可以表示為alxinyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。

2、作為安裝于高頻放大器的氮化物半導(dǎo)體裝置，已知有hemt(high?electronmobility?transistor；高電子遷移率晶體管)，其具備具有良好的散熱性的半絕緣性的sic基板、形成于sic基板上的氮化物外延層以及配置于氮化物外延層上的源極電極、柵極電極及漏極電極。

3、關(guān)于安裝于高頻放大器的hemt，為了使接地穩(wěn)定，在sic基板的背面形成背電極，經(jīng)由貫通sic基板與氮化物外延層的層疊體的通孔將源極電極與背電極電連接。

4、然而，由于在sic基板上形成通孔需要高成本，因此存在hemt的制造成本變高的問(wèn)題。

5、在下述專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了使用導(dǎo)電性sic基板作為sic基板，使導(dǎo)電性sic基板自身接地而發(fā)揮功能的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。然而，在使用導(dǎo)電性sic基板作為sic基板的情況下，為了降低寄生電容，需要使氮化物外延層厚膜化。然而，氮化物外延層的厚膜化成為導(dǎo)電性sic基板的翹曲、在氮化物外延層中引起內(nèi)部裂紋的主要原因。

6、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)1：日本特表2008-536332號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、本公開(kāi)的目的在于提供一種能夠抑制sic基板的翹曲和氮化物外延層的內(nèi)部裂紋的氮化物半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

3、用于解決課題的方法

4、本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種氮化物半導(dǎo)體裝置，其包括具有第一主面及其相反的第二主面的sic基板、形成在上述第一主面上且電阻率比上述sic基板低的低電阻sic層、形成在上述低電阻sic層上且電阻率比上述低電阻sic層高的高電阻sic層以及配置在上述高電阻sic層上的氮化物外延層。

5、在該結(jié)構(gòu)中，可得到能夠抑制sic基板的翹曲和氮化物外延層的內(nèi)部裂紋的氮化物半導(dǎo)體裝置。

6、本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施方式提供一種氮化物半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括在具有第一主面及其相反的第二主面的sic基板的上述第一主面上形成電阻率比上述sic基板低的低電阻sic層的工序、在上述低電阻sic層上形成電阻率比上述低電阻sic層高的高電阻sic層的工序以及在上述高電阻sic層上形成氮化物外延層的工序。

7、在該制造方法中，可制造能夠抑制sic基板的翹曲和氮化物外延層的內(nèi)部裂紋的氮化物半導(dǎo)體裝置。

8、關(guān)于本公開(kāi)中的上述的或又一目的、特征及效果，參照附圖通過(guò)以下所述的實(shí)施方式的說(shuō)明而明確。

技術(shù)特征：

1.一種氮化物半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的氮化物半導(dǎo)體裝置，其中，

18.一種氮化物半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
氮化物半導(dǎo)體裝置1包括具有第一主面2a及其相反的第二主面2b的SiC基板2、形成于第一主面2a上且電阻率低于SiC基板2的低電阻SiC層3、形成于低電阻SiC層3且電阻率比低電阻SiC層3高的高電阻SiC層4以及配置于高電阻SiC層4的氮化物外延層20。

技術(shù)研發(fā)人員：四方啟太
受保護(hù)的技術(shù)使用者：羅姆股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10