本申請案主張2022年2月22日提出申請的美國臨時申請案第63/312,824號的優(yōu)先權(quán)，在此將該美國臨時申請案的整體揭示內(nèi)容以引用方式并入本文。本案揭示內(nèi)容的實(shí)施方式屬于電子元件制造的領(lǐng)域。特定而言，本案揭示內(nèi)容的實(shí)施方式涉及電子元件、處理系統(tǒng)和形成包括低電阻接觸件(contact)的電子元件的方法。
背景技術(shù)：
1、晶體管是現(xiàn)代數(shù)字處理器和存儲器裝置的基本元器件，并且已在高功率電子裝置中發(fā)現(xiàn)了應(yīng)用。當(dāng)前，有多種可用于不同的應(yīng)用的晶體管設(shè)計(jì)或類型。各種晶體管類型包括例如雙極結(jié)型晶體管(bjt)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(jfet)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)、垂直溝道或溝槽場效應(yīng)晶體管、以及超級結(jié)或多漏極晶體管。在mosfet族群的晶體管中出現(xiàn)的一種晶體管是鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)。
2、finfet能夠在塊體半導(dǎo)體基板(例如硅基板)上制造，并且finfet能夠包括鰭狀結(jié)構(gòu)，該鰭狀結(jié)構(gòu)沿著基板表面在長度方向上前進(jìn)且在垂直于基板表面的高度方向上延伸。鰭片具有狹窄的寬度，例如，小于250納米。鰭片能夠穿過絕緣層。在鰭片區(qū)域上面能夠形成柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電柵極材料和柵極絕緣體。在柵極結(jié)構(gòu)的任一側(cè)上對鰭片的上部進(jìn)行摻雜，而形成與柵極相鄰的源極/漏極區(qū)域。
3、finfet具有受青睞的靜電特性，以用于使互補(bǔ)式mosfet規(guī)?？s小到更小的尺寸。因?yàn)轹捚侨S結(jié)構(gòu)，所以晶體管溝道能夠形成在鰭片的三個表面上，使得finfet能夠在基板上所占據(jù)的給定表面積上展現(xiàn)出高電流切換能力。由于溝道與元件能夠從基板表面抬升，所以與常規(guī)的平面mosfet相較，能夠減少相鄰元件之間的電場耦合。
4、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造和操作中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是接觸電阻。例如，finfet元件的源極和漏極區(qū)域可能會受到用于形成源極/漏極接觸件溝槽的蝕刻工藝的侵蝕，造成接觸電阻增加。增加的接觸電阻的結(jié)果是電路元件的性能降低，所述電路元件包括形成在半導(dǎo)體基板上的晶體管和其他元件結(jié)構(gòu)。
5、由于規(guī)?？s放趨勢及3d元件中接觸面積的增加，接觸電阻正成為整體元件電阻的主要部分。解決此問題而提出的絕大多數(shù)解決方案都聚焦在低功函數(shù)硅化物。但是，相對于純金屬，硅化物的費(fèi)米能量被固定在硅的中間能帶隙。
6、因此，需要具有減小的接觸電阻的接觸件。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本案揭示內(nèi)容的一個或多個實(shí)施方式涉及形成接觸件的方法。該方法包括沉積功函數(shù)層，該功函數(shù)層包含不形成硅化物的材料。
2、本案揭示內(nèi)容的另外的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件包括在硅層上的功函數(shù)層及在該功函數(shù)層上的金屬接觸件。該功函數(shù)層包含不形成硅化物的材料。
1.一種形成接觸件的方法，所述方法包括：沉積功函數(shù)層，所述功函數(shù)層包括不形成硅化物的材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功函數(shù)層包括鈦與一金屬。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述鈦與所述金屬形成合金或金屬間物質(zhì)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬包括鉍。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬包括銦。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述金屬包括鋅。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功函數(shù)層不形成氧化物。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功函數(shù)層不形成氮化物。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述功函數(shù)層具有大于500攝氏度的熔化溫度。
10.一種形成接觸件的方法，所述方法包括：沉積功函數(shù)層，所述功函數(shù)層包括不形成硅化物的材料，所述功函數(shù)層包括鈦與一金屬，所述鈦與所述金屬形成合金或金屬間物質(zhì)；所述金屬包括鉍、銦或鋅中的一種或多種。
11.一種半導(dǎo)體元件，包括：在硅層上的功函數(shù)層；及在所述功函數(shù)層上的金屬接觸件，所述功函數(shù)層包括不形成硅化物的材料。
12.如權(quán)利要求10所述的元件，其中所述功函數(shù)層包括鈦與一金屬。
13.如權(quán)利要求11所述的元件，其中所述鈦與所述金屬形成合金或金屬間物質(zhì)。
14.如權(quán)利要求11所述的元件，其中所述金屬包括鉍。
15.如權(quán)利要求11所述的元件，其中所述金屬包括銦。
16.如權(quán)利要求11所述的元件，其中所述金屬包括鋅。
17.如權(quán)利要求10所述的元件，其中所述功函數(shù)層不形成氧化物。
18.如權(quán)利要求10所述的元件，其中所述功函數(shù)層不形成氮化物。
19.如權(quán)利要求10所述的元件，其中所述功函數(shù)層具有大于500攝氏度的熔化溫度。