本公開的各種實施方式涉及發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法及具有發(fā)光器件的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近來，已經(jīng)開發(fā)了使用具有可靠的無機晶體結(jié)構(gòu)的材料制造超小型發(fā)光二極管并使用該發(fā)光二極管制造發(fā)光器件的技術(shù)。例如，已經(jīng)開發(fā)了使用具有對應(yīng)于微米級尺寸或納米級尺寸的小尺寸的超小型發(fā)光二極管的發(fā)光器件。這種發(fā)光器件可以在諸如顯示設(shè)備和照明設(shè)備的各種電子設(shè)備中用作光源。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、本公開的各種實施方式涉及包括發(fā)光二極管的發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法以及包括發(fā)光器件的顯示設(shè)備。

3、技術(shù)方案

4、根據(jù)本公開的一方面，發(fā)光器件可以包括：基板；第一電極和第二電極，設(shè)置在基板上并且彼此間隔開；至少一個發(fā)光二極管，設(shè)置在第一電極與第二電極之間，并且包括在縱向方向上位于相對側(cè)上的第一端和第二端；絕緣圖案，設(shè)置成覆蓋發(fā)光二極管的上部部分并暴露發(fā)光二極管的第一端和第二端；第一接觸電極，與發(fā)光二極管的第一端接觸并將第一端電連接到第一電極；以及第二接觸電極，與發(fā)光二極管的第二端接觸并將第二端電連接到第二電極。絕緣圖案具有這樣的截面，該截面具有在其下端區(qū)域中其寬度減小的形狀，并且當從基板的頂部觀看時，絕緣圖案可以完全覆蓋發(fā)光二極管的第一端和第二端。

5、在實施方式中，第一接觸電極和第二接觸電極可以分別在第一端和第二端上與發(fā)光二極管的相對側(cè)表面接觸。第一接觸電極和第二接觸電極中的每一個的一端可以與絕緣圖案的下端區(qū)域接觸而不延伸到發(fā)光二極管的上表面。

6、在實施方式中，第一接觸電極和第二接觸電極可以彼此間隔開，并且在基板上設(shè)置在相同的層上或相同的高度處，且發(fā)光二極管插置在第一接觸電極和第二接觸電極之間。

7、在實施方式中，絕緣圖案可以包括：第一側(cè)表面，設(shè)置在發(fā)光二極管的第一端上并且包括傾斜表面或彎曲表面；以及第二側(cè)表面，設(shè)置在發(fā)光二極管的第二端上并且包括傾斜表面或彎曲表面。

8、在實施方式中，當從基板的頂部觀看時，第一側(cè)表面的上端可以位于在朝第一電極的方向上與第一端以等于或大于第一接觸電極和第二接觸電極中的每一個的厚度的距離間隔開的位置處。當從基板的頂部觀看時，第二側(cè)表面的上端可以位于在朝第二電極的方向上與第二端以等于或大于第一接觸電極和第二接觸電極中的每一個的厚度的距離間隔開的位置處。

9、在實施方式中，絕緣圖案可以具有等于或大于第一接觸電極和第二接觸電極中的每一個的厚度的厚度。

10、在實施方式中，發(fā)光器件還可以包括：至少一個第一絕緣層，設(shè)置在第一接觸電極的區(qū)域與第一電極之間；以及至少一個第二絕緣層，設(shè)置在第二接觸電極的區(qū)域與第二電極之間。

11、在實施方式中，絕緣圖案可以具有小于第一絕緣層和第二絕緣層中的每一個的厚度的厚度。

12、在實施方式中，絕緣圖案的上表面可以具有大于發(fā)光二極管的長度的寬度。

13、在實施方式中，發(fā)光器件還可以包括導電圖案，導電圖案設(shè)置在絕緣圖案上并且設(shè)置成與發(fā)光二極管重疊并且通過絕緣圖案與發(fā)光二極管以及第一接觸電極和第二接觸電極分離。

14、在實施方式中，導電圖案可以由與第一接觸電極和第二接觸電極中的每一個的材料相同的材料形成并且被電隔離。

15、在實施方式中，發(fā)光器件還可以包括設(shè)置在基板與發(fā)光二極管之間的第三絕緣層。

16、在實施方式中，發(fā)光二極管可以水平地設(shè)置在基板的一個表面上，并且在橫向方向上定向在第一電極與第二電極之間。

17、在實施方式中，發(fā)光二極管可以包括具有處于納米級到微米級的范圍內(nèi)的直徑或長度的桿式發(fā)光二極管。

18、根據(jù)本公開的一方面，制造發(fā)光器件的方法可以包括：在基板上形成彼此間隔開的第一電極和第二電極；在其上形成有第一電極和第二電極的基板上形成第一絕緣材料層；在其上形成有第一絕緣材料層的基板上供應(yīng)至少一個發(fā)光二極管，并且在第一電極與第二電極之間對準發(fā)光二極管，使得發(fā)光二極管的第一端和第二端分別與第一電極和第二電極相鄰；在其上對準有發(fā)光二極管的基板上形成第二絕緣材料層；在其上形成有第二絕緣材料層的基板上形成掩模，并蝕刻第一絕緣材料層和第二絕緣材料層，使得第一端和第二端以及第一電極和第二電極中的每一個的至少一個區(qū)域被暴露；以及形成第一接觸電極和第二接觸電極，第一接觸電極和第二接觸電極配置成分別將第一端和第二端連接到第一電極和第二電極?？涛g第一絕緣材料層和第二絕緣材料層可以包括在發(fā)光二極管的其上定位有第一端和第二端的相對側(cè)之上對第二絕緣材料層進行過蝕刻，以及在發(fā)光二極管的頂部處形成絕緣圖案，該絕緣圖案的寬度在其與發(fā)光二極管相鄰的下端區(qū)域中減小，并且當從基板的頂部觀看時，該絕緣圖案完全覆蓋第一端和第二端。

19、在實施方式中，形成掩模可以包括：在其上形成有第二絕緣材料層的基板上形成光致抗蝕劑層；以及在光致抗蝕劑層中形成第一開口和第二開口，使得位于第一電極和第二電極之上的第二絕緣材料層在分別與第一端和第二端以預(yù)定距離間隔開的位置處被部分地暴露。

20、在實施方式中，在形成第一接觸電極和第二接觸電極時，可以在絕緣圖案上還形成與發(fā)光二極管以及第一接觸電極和第二接觸電極分離的導電圖案。

21、在實施方式中，第一電極和第二電極可以在基板上同時形成在相同的層上。

22、在實施方式中，第一接觸電極和第二接觸電極可以在基板上同時形成在相同的層上。

23、根據(jù)本公開的一方面，顯示設(shè)備可以包括：基板，包括顯示區(qū)域；以及像素，設(shè)置在顯示區(qū)域中。像素可以包括：第一電極和第二電極，設(shè)置在基板的區(qū)域上并且彼此間隔開；至少一個發(fā)光二極管，設(shè)置在第一電極與第二電極之間，并且包括在縱向方向上位于相對側(cè)上的第一端和第二端；絕緣圖案，設(shè)置成覆蓋發(fā)光二極管的上部部分并暴露發(fā)光二極管的第一端和第二端；第一接觸電極，與發(fā)光二極管的第一端接觸并將第一端連接到第一電極；以及第二接觸電極，與發(fā)光二極管的第二端接觸并將第二端連接到第二電極。絕緣圖案具有這樣的截面，該截面具有在其下端區(qū)域中其寬度減小的形狀，并且當從基板的頂部觀看時，絕緣圖案可以完全覆蓋發(fā)光二極管的第一端和第二端。

24、有益效果

25、在根據(jù)本公開的實施方式的發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法以及包括發(fā)光器件的顯示設(shè)備中，可以將發(fā)光二極管可靠地連接在第一電極與第二電極之間，并且還可以簡化制造工藝。

技術(shù)特征：

1.發(fā)光器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括：設(shè)置在所述絕緣圖案上的導電圖案，

6.根據(jù)權(quán)利要求5的發(fā)光器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5的發(fā)光器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，

12.發(fā)光器件，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，還包括：設(shè)置在所述絕緣圖案上的導電圖案，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，

技術(shù)總結(jié)
公開了發(fā)光器件，其可以包括：基礎(chǔ)部件；第一電極和第二電極，在基礎(chǔ)部件上彼此間隔開；發(fā)光二極管，在第一電極和第二電極之間，并且具有在縱向方向上位于相對側(cè)上的第一端和第二端；絕緣圖案，覆蓋發(fā)光二極管并暴露發(fā)光二極管的第一端和第二端；第一接觸電極，將發(fā)光二極管的第一端電連接到第一電極；以及第二接觸電極，將發(fā)光二極管的第二端電連接到第二電極，其中，當在基礎(chǔ)部件的平面上觀察時，絕緣圖案與第一端、第二端、第一接觸電極和第二接觸電極重疊，以及其中，絕緣圖案的截面具有在其下端區(qū)域中其寬度減小的形狀。

技術(shù)研發(fā)人員：韋德和·巴塞爾,李新興,李熙根,太昌一,孔兌辰,金明姬
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9