本發(fā)明涉及電子材料，具體為一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法。

背景技術(shù)：

1、透明電極，是各種光電器件中的重要組成部分，已廣泛應(yīng)用于傳感器、顯示器、發(fā)光二極管、太陽能電池等等。而隨著科技的發(fā)展，新的高性能光電子器件在此基礎(chǔ)上需要更高導(dǎo)電率、更好透明度的電極。

2、目前主要的透明電極有三種類型，第一種為透明導(dǎo)電氧化物，例如氧化銦錫；第二種為超薄金屬膜；第三種為納米金屬結(jié)構(gòu)。氧化銦錫與貴金屬相比透明度較高但是導(dǎo)電性相對較低，而且銦的稀缺導(dǎo)致氧化銦錫的成本較高。厚度小于5nm的超薄金屬薄膜，顯示出較高的合理傳輸性能，但是超薄金屬薄膜的厚度會(huì)導(dǎo)致更高的電阻率，并且超薄金屬薄膜對制造工藝有很高的要求，例如對薄膜的連續(xù)性和表面粗糙度，都有較高的加工要求。對于納米金屬結(jié)構(gòu)，納米金屬線表面的原子沒有被充分的鍵合，納米金屬線的電阻率受到邊界效應(yīng)的影響，且納米金屬線中的金屬粒子在高溫、高濕通電的環(huán)境下極易發(fā)生金屬遷移，使得金屬納米線被破壞，影響電極的導(dǎo)電性，為此，提出一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法，解決了上述背景技術(shù)中提出的金屬納米線表面未被鍵合的原子，影響電極的導(dǎo)電性和在高溫、高濕環(huán)境下，容易發(fā)生金屬遷移的問題。

2、本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，包括外保護(hù)膜，所述外保護(hù)膜的內(nèi)壁固定連接有隔熱層，所述隔熱層的內(nèi)腔從上到下一次設(shè)置有隔離板、封裝板、導(dǎo)電介質(zhì)、導(dǎo)電網(wǎng)和基底，所述基底的頂部鑲嵌有導(dǎo)電網(wǎng)，所述導(dǎo)電網(wǎng)的外表面涂抹有防漫反射涂層，所述導(dǎo)電網(wǎng)的頂部覆蓋有導(dǎo)電介質(zhì)，所述導(dǎo)電介質(zhì)的頂部固定連接有封裝板，所述封裝板的頂部固定連接有隔離板。

3、優(yōu)選的，所述基底的頂部設(shè)有與導(dǎo)電網(wǎng)適配的網(wǎng)槽，所述基底的底部均勻固定連接有導(dǎo)電柱。

4、優(yōu)選的，所述導(dǎo)電網(wǎng)包括金屬納米線，所述金屬納米線的外表面涂抹有防漫反射涂層。

5、優(yōu)選的，所述封裝板的材質(zhì)為石墨烯，所述外保護(hù)膜為透明導(dǎo)電材質(zhì)。

6、優(yōu)選的，所述隔熱層為網(wǎng)狀，且所述隔熱層和外保護(hù)膜之間填充有導(dǎo)電介質(zhì)，所述導(dǎo)電柱與隔熱層的網(wǎng)孔適配，且所述導(dǎo)電柱的底部通過隔熱層的網(wǎng)孔與外保護(hù)膜接觸。

7、一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極的制備方法，包括以下步驟：

8、步驟一、準(zhǔn)備透明的基底，且透明的基底的頂部為水平的，透明的基底的底部有凸出的導(dǎo)電柱；

9、步驟二、在透明的基底的頂部刻蝕網(wǎng)槽；

10、步驟三、在透明的基底的頂部噴涂親水涂層；

11、步驟四、制備金屬納米線，并在金屬納米線的外表面涂抹有防漫反射涂層，在防漫反射涂層的外表面涂抹親水涂層，把金屬鈉米線填充至網(wǎng)槽內(nèi)，金屬納米線形成導(dǎo)電網(wǎng)；

12、步驟五、把導(dǎo)電介質(zhì)噴涂在步驟四形成的結(jié)構(gòu)上；

13、步驟六、用封裝板對步驟五中形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，并在封裝板的頂部固定隔離板；

14、步驟七、用隔熱層對步驟六中形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行包裹，在隔熱層的外表面噴涂導(dǎo)電介質(zhì)。

15、步驟八、在隔熱層的外表面固定透明外保護(hù)膜。

16、優(yōu)選的，步驟七中，導(dǎo)電柱通過隔熱層的網(wǎng)孔與外保護(hù)膜接觸。

17、與現(xiàn)有技術(shù)對比，本發(fā)明具備以下有益效果：

18、1、該石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法，通過隔熱層的設(shè)置，能夠攔截?zé)崃?，使該電極具有隔熱的功能，降低外界環(huán)境對該電極的影響，通過外保護(hù)膜的設(shè)置，能夠起到水氧阻隔的作用，便于該電極的使用。

19、2、該石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法，通過在到電網(wǎng)的外表面涂抹防漫反射涂層，能夠降低金屬納米線的邊界效應(yīng)，提高該電機(jī)的導(dǎo)電率，便于該電極的使用。

技術(shù)特征：

1.一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，包括外保護(hù)膜(1)，其特征在于：所述外保護(hù)膜(1)的內(nèi)壁固定連接有隔熱層(5)，所述隔熱層(5)的內(nèi)腔從上到下一次設(shè)置有隔離板(6)、封裝板(7)、導(dǎo)電介質(zhì)(4)、導(dǎo)電網(wǎng)(3)和基底(2)，所述基底(2)的頂部鑲嵌有導(dǎo)電網(wǎng)(3)，所述導(dǎo)電網(wǎng)(3)的外表面涂抹有防漫反射涂層，所述導(dǎo)電網(wǎng)(3)的頂部覆蓋有導(dǎo)電介質(zhì)(4)，所述導(dǎo)電介質(zhì)(4)的頂部固定連接有封裝板(7)，所述封裝板(7)的頂部固定連接有隔離板(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，其特征在于：所述基底(2)的頂部設(shè)有與導(dǎo)電網(wǎng)(3)適配的網(wǎng)槽(9)，所述基底(2)的底部均勻固定連接有導(dǎo)電柱(8)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，其特征在于：所述導(dǎo)電網(wǎng)(3)包括金屬納米線，所述金屬納米線的外表面涂抹有防漫反射涂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，其特征在于：所述封裝板(7)的材質(zhì)為石墨烯，所述外保護(hù)膜(1)為透明導(dǎo)電材質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，其特征在于：所述隔熱層(5)為網(wǎng)狀，且所述隔熱層(5)和外保護(hù)膜(1)之間填充有導(dǎo)電介質(zhì)(4)，所述導(dǎo)電柱(8)與隔熱層(5)的網(wǎng)孔適配，且所述導(dǎo)電柱(8)的底部通過隔熱層(5)的網(wǎng)孔與外保護(hù)膜(1)接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極的制備方法，其特征在于：步驟七中，導(dǎo)電柱(8)通過隔熱層(5)的網(wǎng)孔與外保護(hù)膜(1)接觸。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極，涉及電子材料技術(shù)領(lǐng)域，具體包括外保護(hù)膜，所述外保護(hù)膜的內(nèi)壁固定連接有隔熱層，所述隔熱層的內(nèi)腔從上到下一次設(shè)置有隔離板、封裝板、導(dǎo)電介質(zhì)、導(dǎo)電網(wǎng)和基底，所述基底的頂部鑲嵌有導(dǎo)電網(wǎng)，所述導(dǎo)電網(wǎng)的外表面涂抹有防漫反射涂層，所述導(dǎo)電網(wǎng)的頂部覆蓋有導(dǎo)電介質(zhì)，所述導(dǎo)電介質(zhì)的頂部固定連接有封裝板，所述封裝板的頂部固定連接有隔離板。該石墨烯封裝金屬納米線復(fù)合透明電極及制備方法，通過隔熱層的設(shè)置，能夠攔截?zé)崃?，使該電極具有隔熱的功能，降低外界環(huán)境對該電極的影響，通過外保護(hù)膜的設(shè)置，能夠起到水氧阻隔的作用，便于該電極的使用。

技術(shù)研發(fā)人員：王帥,甘李,周明,楊建文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶烯宇新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/26