本申請屬于顯示,具體涉及一種柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)和顯示裝置。
背景技術(shù):
1、在陣列基板中采用柵極驅(qū)動技術(shù)(gate?driver?on?array,簡稱goa),實現(xiàn)顯示面板的逐行掃描驅(qū)動。goa電路的穩(wěn)定性直接關(guān)系到顯示面板的顯示穩(wěn)定。但是goa電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,在goa電路中密集排列了大量的信號線和薄膜晶體管(thin?film?transistor,tft),goa電路容易受到漏電流的影響,導(dǎo)致goa電路的邏輯功能的不穩(wěn)定,在對顯示面板進行逐行掃描驅(qū)動時容易出錯,導(dǎo)致顯示面板的顯示效果變差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),能夠有效的減少漏電流的影響,提高顯示面板的顯示效果。
2、本申請的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然,或部分地通過本申請的實踐而習(xí)得。
3、根據(jù)本申請實施例的一個方面,本申請?zhí)峁┮环N柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)包括輸出模塊,所述輸出模塊連接輸出線;
4、所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括若干功能模塊,至少部分所述功能模塊連接所述輸出線,所述功能模塊配合所述輸出模塊形成掃描信號;
5、至少一所述功能模塊包括第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管包括:
6、第一半導(dǎo)體層;
7、第一源漏極層,所述第一源漏極層包括第一源極層和第一漏極層,所述第一源極層和所述第一漏極層設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層的上方;
8、第一緩沖層,所述第一緩沖層設(shè)置于所述第一源極層和所述第一半導(dǎo)體層之間、以及所述第一漏極層和所述第一半導(dǎo)體層之間,所述第一緩沖層為復(fù)合金屬層,基于所述復(fù)合金屬層減少所述第一薄膜晶體管的漏電流。
9、在其中一個方面,所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括有機層,所述有機層設(shè)置于所述第一源漏極層的上方。
10、在其中一個方面,所述第一源極層和所述第一漏極層之間形成溝道區(qū),所述有機層至少覆蓋所述溝道區(qū)。
11、在其中一個方面,所述有機層為紅色色阻層、綠色色阻層、藍色色阻層中的至少其中一種。
12、在其中一個方面,所述第一緩沖層包括鉬、鈦、鋁、鉭、鎳和釹中的至少兩種金屬。
13、在其中一個方面,所述輸出模塊包括第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管同層設(shè)置,所述第二薄膜晶體管包括:
14、第二半導(dǎo)體層;
15、第二源漏極層,所述第二源漏極層包括第二源極層和第二漏極層,所述第二源極層和所述第二漏極層設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層的上方;
16、第二緩沖層,所述第二緩沖層設(shè)置于所述第二源極層和所述第二半導(dǎo)體層之間、以及所述第二漏極層和所述第二半導(dǎo)體層之間,所述第二緩沖層為單質(zhì)金屬層,基于所述單質(zhì)金屬層增加所述第二薄膜晶體管的開態(tài)電流。
17、在其中一個方面,所述第二緩沖層為鉬、鈦、鋁、鉭、鎳和釹中的一種金屬。
18、在其中一個方面,所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括第一絕緣層和第二絕緣層;
19、所述第一薄膜晶體管包括第一柵極層,所述第一絕緣層設(shè)置于所述第一柵極層和所述第一半導(dǎo)體層之間,所述第二絕緣層覆蓋所述第一源漏極層的表面;
20、所述第二薄膜晶體管還包括第二柵極層,所述第一絕緣層延伸至所述第二半導(dǎo)體層和所述第二柵極層之間,所述第二絕緣層延伸至所述第二源漏極層,并覆蓋所述第二源漏極層;
21、所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括平坦層,所述平坦層設(shè)置于所述第一薄膜晶體管的上方,且所述平坦層延伸至所述第二薄膜晶體管,并覆蓋所述第二絕緣層。
22、在其中一個方面,所述功能模塊分別為充電模塊、上拉模塊、下拉模塊、第一復(fù)位模塊、第二復(fù)位模塊和電容,所述電容包括相對設(shè)置的第一電極板和第二電極板,所述電容設(shè)置于所述輸出線上;
23、所述充電模塊連接所述第一電極板,所述第一復(fù)位模塊連接所述第一電極板,所述第二復(fù)位模塊連接所述第二電極板,所述上拉模塊連接所述下拉模塊,所述下拉模塊連接所述第一復(fù)位模塊和所述第二復(fù)位模塊;
24、所述充電模塊、所述上拉模塊、所述下拉模塊、所述第一復(fù)位模塊和所述第二復(fù)位模塊中分別設(shè)置有所述第一薄膜晶體管,或者,所述充電模塊、所述下拉模塊、所述第一復(fù)位模塊和所述第二復(fù)位模塊中分別設(shè)置有所述第一薄膜晶體管,所述上拉模塊中設(shè)置所述第二薄膜晶體管。
25、此外,為了解決上述問題,本申請還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置具有顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置,所述顯示裝置包括如上文所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述非顯示區(qū)。
26、本申請中,通過多個功能模塊配合輸出模塊形成掃描信號,掃描信號能夠?qū)︼@示面板進行逐行掃描驅(qū)動。第一薄膜晶體管中,在第一源極層和第一半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第一緩沖層,同樣地,在第一漏極層和第一半導(dǎo)體層之間也設(shè)置第一緩沖層。由于第一緩沖層為復(fù)合金屬層,能夠增加第一緩沖層與第一半導(dǎo)體層的接觸電阻,從而減少第一薄膜晶體管的漏電流,進而減少了漏電流的影響,使掃描信號更加穩(wěn)定,提高顯示面板的顯示效果。
27、本申請中應(yīng)當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本申請。
1.一種柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)包括輸出模塊,所述輸出模塊連接輸出線;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括有機層,所述有機層設(shè)置于所述第一源漏極層的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一源極層和所述第一漏極層之間形成溝道區(qū),所述有機層至少覆蓋所述溝道區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述有機層為紅色色阻層、綠色色阻層、藍色色阻層中的至少其中一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一緩沖層包括鉬、鈦、鋁、鉭、鎳和釹中的至少兩種金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述輸出模塊包括第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管同層設(shè)置,所述第二薄膜晶體管包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二緩沖層為鉬、鈦、鋁、鉭、鎳和釹中的一種金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)還包括第一絕緣層和第二絕緣層;
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),其特征在于,所述功能模塊分別為充電模塊、上拉模塊、下拉模塊、第一復(fù)位模塊、第二復(fù)位模塊和電容,所述電容包括相對設(shè)置的第一電極板和第二電極板,所述電容設(shè)置于所述輸出線上;
10.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置具有顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至9中任一項所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu),所述柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述非顯示區(qū)。