本公開涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種缺陷檢測(cè)的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、用于制造半導(dǎo)體器件的晶圓的生產(chǎn)工序通常包括拉晶、切割、研磨、拋光以及清洗工序。在完成清洗工序之后，會(huì)對(duì)晶圓表面的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，例如針孔（pinhole）缺陷、劃痕缺陷、顆粒（particle）缺陷以及空洞缺陷等。

2、在目前常見的缺陷檢測(cè)方案中，通常會(huì)采用透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)pinhole缺陷。在利用透射式光學(xué)檢測(cè)方式進(jìn)行檢測(cè)的過程中，會(huì)對(duì)檢測(cè)出的所有缺陷（defect）逐一進(jìn)行復(fù)查（review）以從這些缺陷中確定是否存在的pinhole缺陷。

3、在上述檢測(cè)過程中，由于針對(duì)所有缺陷的review需要花費(fèi)較多的時(shí)間，因此，目前進(jìn)行pinhole缺陷檢測(cè)的過程產(chǎn)能較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供了一種缺陷檢測(cè)的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)；在通過透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢出缺陷后，按照缺陷信息設(shè)置掩膜，以使得不對(duì)掩膜所指示的缺陷進(jìn)行復(fù)查，從而降低晶圓生產(chǎn)過程中進(jìn)行pinhole缺陷檢測(cè)所花費(fèi)的時(shí)長，提高了進(jìn)行pinhole缺陷檢測(cè)的稼動(dòng)率。

2、本公開的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本公開提供了一種缺陷檢測(cè)的方法，所述方法包括：

4、基于透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)出晶圓表面的缺陷；

5、在檢出的所有缺陷中，按照非針孔缺陷的缺陷特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜；

6、將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷中去除后，獲得待復(fù)查的缺陷；

7、對(duì)所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查，確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷。

8、第二方面，本公開提供了一種缺陷檢測(cè)的裝置，所述缺陷檢測(cè)的裝置包括：檢測(cè)部分、生成部分、去除部分和復(fù)查部分；其中，

9、所述檢測(cè)部分，被配置成基于透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)出晶圓表面的缺陷；

10、所述生成部分，被配置成在檢出的所有缺陷中，按照非針孔缺陷的缺陷特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜；

11、所述去除部分，被配置成將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷中去除后，獲得待復(fù)查的缺陷；

12、所述復(fù)查部分，被配置成對(duì)所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查，確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷。

13、第三方面，本公開提供了一種計(jì)算設(shè)備，所述計(jì)算設(shè)備包括：處理器和存儲(chǔ)器；所述處理器用于執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的指令，以實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的缺陷檢測(cè)的方法。

14、第四方面，本公開提供了一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有至少一條指令，所述至少一條指令用于被處理器執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的缺陷檢測(cè)的方法。

15、本公開提供了一種缺陷檢測(cè)的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)；在晶圓生產(chǎn)過程中，通過透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢出晶圓表面的缺陷之后，利用非pinhole缺陷的缺陷特征形成屏蔽掩膜以降低復(fù)查過程中的非pinhole缺陷的數(shù)量，縮短了透射式光學(xué)檢測(cè)的時(shí)長，減少透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)pinhole缺陷的產(chǎn)能浪費(fèi)，提高設(shè)備稼動(dòng)率。

技術(shù)特征：

1.一種缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，按照非針孔缺陷的缺陷特征，設(shè)定由缺陷的坐標(biāo)及描述信息為評(píng)判依據(jù)的卡控策略，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述基于所述卡控策略，根據(jù)檢出的所有缺陷的坐標(biāo)以及描述信息獲取非針孔缺陷對(duì)應(yīng)的屏蔽掩膜，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述數(shù)量閾值為10，所述距離閾值為8.5μm，所述長寬比閾值為5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷中去除后，獲得待復(fù)查的缺陷，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的缺陷檢測(cè)的方法，其特征在于，所述對(duì)所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查，確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷，包括：

8.一種缺陷檢測(cè)的裝置，其特征在于，所述缺陷檢測(cè)的裝置包括：檢測(cè)部分、生成部分、去除部分和復(fù)查部分；其中，

9.一種計(jì)算設(shè)備，其特征在于，所述計(jì)算設(shè)備包括：處理器和存儲(chǔ)器；所述處理器用于執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的指令，以實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的缺陷檢測(cè)的方法。

10.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有至少一條指令，所述至少一條指令用于被處理器執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的缺陷檢測(cè)的方法。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種缺陷檢測(cè)的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法可以包括：基于透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)出晶圓表面的缺陷；在檢出的所有缺陷中，按照非針孔缺陷的缺陷特征數(shù)據(jù)生成屏蔽掩膜；將所述屏蔽掩膜覆蓋的缺陷從所述檢出的所有缺陷中去除后，獲得待復(fù)查的缺陷；對(duì)所述待復(fù)查的缺陷進(jìn)行復(fù)查，確定所述待復(fù)查的缺陷中是否存在針孔缺陷。通過本公開的技術(shù)方案縮短了透射式光學(xué)檢測(cè)的時(shí)長，減少透射式光學(xué)檢測(cè)方式檢測(cè)針孔（pinhole）缺陷的產(chǎn)能浪費(fèi)，提高設(shè)備稼動(dòng)率。

技術(shù)研發(fā)人員：王雷,盧龍龍,楊震,王琳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9