1.一種用于形成半導體層的方法，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的方法，其中所述材料源是余弦n源并且n?≥?2。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述基板的直徑等于或大于6英寸(150?mm)。
4.如權利要求1所述的方法，其中：
5.如權利要求4所述的方法，其中：
6.如權利要求5所述的方法，其中所述半導體層是包括以下各者的子層的超晶格：a)mgo和zno，b)?mgzno和zno，或c)?mgzno和mgo。
7.如權利要求1所述的方法，其中：
8.如權利要求1所述的方法，其中所述半導體層是p型摻雜的mg基層。
9.一種用于形成基于氧化物的半導體層的方法，所述方法包括：
10.如權利要求9所述的方法，其中：
11.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是p型摻雜的mg基層。
12.如權利要求9所述的方法，其中：
13.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是包含纖維鋅礦mgxzn1-xo的極性結構，其中0?≤?x?<?0.45。
14.如權利要求13所述的方法，其中所述極性結構是由所述mgxzn1-xo的分級組成引發(fā)的p型或n型，其中0?≤?x?<?0.45。
15.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是以下各者的超晶格：a)mgxzn1-xo，0?≤?x?≤?1，與b)?mgyzn1-yo，0?≤?y?≤?1，其中x≠y。
16.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是包括以下各者的子層的超晶格：a)?mgo和zno，b)?mgzno和zno，或c)?mgzno和mgo。
17.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是mgznon。
18.如權利要求9所述的方法，其中所述基于氧化物的層是非極性mgxzn1-xo結構，其中x>?0.55。
19.如權利要求9所述的方法，其中所述基板的直徑等于或大于6英寸(150?mm)。
20.一種用于形成p型摻雜半導體層的方法，所述方法包括：
21.如權利要求20所述的方法，其中所述多個材料源還包括磷源以提供磷作為p型摻雜劑。
22.如權利要求20所述的方法，其中所述p型摻雜層是氧化物層，并且所述發(fā)射材料以形成所述p型摻雜層包括i)用氮替換氧原子或ii)用al或ga替換mg或zn原子。
23.如權利要求20所述的方法，其中所述p型摻雜層包括mgzno。
24.如權利要求20所述的方法，其中所述多個材料源還包括氧化氮(n2o)或氨(nh3)以實現(xiàn)所述p型摻雜層的p型摻雜。