本申請涉及芯片制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、倒裝芯片規(guī)模封裝(fccsp，flip?chip?chip?scale?package)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中需要在基板上設(shè)置芯片。出于散熱的需要，封裝材料通常會選用散熱快的封裝材料(highthermos?cpd)。但是散熱快的封裝材料的收縮率較難調(diào)整，這會導(dǎo)致封裝產(chǎn)品的翹曲度不能滿足客戶的需求。圖9示出了一個實施例的發(fā)生了翹曲的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，封裝產(chǎn)品的四角處d會相對于封裝產(chǎn)品主體部e和中心部f發(fā)生翹曲。

2、現(xiàn)有技術(shù)通常采用在基板901上設(shè)置強化組件(例如：金屬環(huán))的方式以減小封裝產(chǎn)品的翹曲度。圖8示出了對比具有強化組件的封裝結(jié)構(gòu)和沒有強化組件的封裝結(jié)構(gòu)在加熱和降溫過程中翹曲度變化的折線圖。如圖8所示，在產(chǎn)品制程的加溫和降溫過程中，具有強化組件的封裝產(chǎn)品的翹曲度(即，封裝產(chǎn)品中心部與四角處之間的高度差)明顯低于沒有強化組件的封裝產(chǎn)品的翹曲度。

3、圖6示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一個實施例的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7示出了如圖6所示的根據(jù)本申請一個實施例的封裝結(jié)構(gòu)中標(biāo)識為g的部分的示意圖。如圖6-7所示，芯片902的周圍設(shè)置了強化組件903的方式減小封裝產(chǎn)品的翹曲度，封裝材料會完全包覆強化組件903和芯片902。同時，為了縮小產(chǎn)品尺寸并避免在切割產(chǎn)品時切到強化組件903，切割產(chǎn)品時會緊鄰強化組件的外側(cè)進行切割。但是，這種切割方式經(jīng)常會造成用于粘接強化組件903和基板901的粘接組件905從封裝材料側(cè)面露出，這容易導(dǎo)致在產(chǎn)品進行測試時出現(xiàn)分層。

4、綜上所述，本領(lǐng)域需要提供一種封裝結(jié)構(gòu)，其能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)，其能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。本申請的目的通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)。

2、本申請的一個實施方式提供了一種封裝結(jié)構(gòu)，其包括：基板；強化組件，強化組件包括第一側(cè)面和第二側(cè)面，第一側(cè)面朝向封裝結(jié)構(gòu)的中心，第二側(cè)面朝向封裝機構(gòu)的外側(cè)，強化組件設(shè)置在基板的上表面；粘接組件，粘接組件包括朝向封裝結(jié)構(gòu)中心的第一邊和朝向封裝結(jié)構(gòu)外側(cè)的第二邊，粘接組件設(shè)置于基板和強化組件之間；包覆層，包覆層包覆粘接組件，第二邊與包覆層的接觸點位于包覆層內(nèi)側(cè)。

3、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中基板和強化組件之間具有縫隙，粘接組件部分填充縫隙。

4、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中第二邊在水平方向上距離基板邊緣的距離小于第一側(cè)面在水平方向上距離基板邊緣的距離。

5、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中基板的上表面具有波浪狀起伏，強化組件的上表面平整。

6、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中第二邊位于強化組件的下方。

7、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中第二邊在水平方向上向基板中心方向凹陷。

8、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中第一邊在水平方向上向基板中心方向凸起。

9、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中包覆層還包覆強化組件。

10、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中包覆層填充縫隙中未被粘接組件填充的部分。

11、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中包覆層在于第二邊接觸的位置向粘接組件的方向凸出。

12、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中封裝結(jié)構(gòu)還包括芯片，芯片設(shè)置在基板的上表面的中心。

13、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中強化組件呈環(huán)形，芯片位于環(huán)形的強化組件的中心。

14、在一些可選的實施方式中，根據(jù)本申請的上述一個實施方式提供的封裝結(jié)構(gòu)，其中包覆層包覆強化組件和的芯片。

15、根據(jù)本申請實施方式封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于：在保證了封裝結(jié)構(gòu)平整度和散熱能力的同時，避免了粘接組件從封裝結(jié)構(gòu)側(cè)面露出，并避免了因為粘接組件露出所造成的封裝結(jié)構(gòu)分層。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二邊在水平方向上距離所述基板邊緣的距離小于所述第一側(cè)面在水平方向上距離所述基板邊緣的距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的上表面具有波浪狀起伏，所述強化組件的上表面平整。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二邊位于所述強化組件的下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二邊在水平方向上向所述基板中心方向凹陷。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一邊在水平方向上向所述基板中心方向凸起。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述包覆層還包覆所述強化組件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板和所述強化組件之間具有縫隙，所述包覆層填充所述縫隙中未被所述粘接組件填充的部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述包覆層在于所述第二邊接觸的位置向所述粘接組件的方向凸出。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括芯片，所述芯片設(shè)置在所述基板的上表面的中心。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板；強化組件，強化組件包括第一側(cè)面和第二側(cè)面，第一側(cè)面朝向封裝結(jié)構(gòu)的中心，第二側(cè)面朝向封裝機構(gòu)的外側(cè)，強化組件設(shè)置在基板的上表面；粘接組件，粘接組件包括朝向封裝結(jié)構(gòu)中心的第一邊和朝向封裝結(jié)構(gòu)外側(cè)的第二邊，粘接組件設(shè)置于基板和強化組件之間；包覆層，包覆層包覆粘接組件，第二邊與包覆層的接觸點位于包覆層內(nèi)側(cè)。本申請的優(yōu)點在于：在保證了封裝結(jié)構(gòu)平整度和散熱能力的同時，避免了粘接組件從封裝結(jié)構(gòu)側(cè)面露出，并避免了因為粘接組件露出所造成的封裝結(jié)構(gòu)分層。

技術(shù)研發(fā)人員：游騰岳,賴盈佐,潘紀(jì)宏,郭峻誠
受保護的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240104
技術(shù)公布日：2024/11/14