本技術(shù)實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)，且特別涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置用于各種電子應(yīng)用，舉例而言，諸如個人電腦、手機、數(shù)字相機及其他電子設(shè)備。通常是通過在半導(dǎo)體基板之上依序沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層的材料，并使用光刻(lithography)對各種材料層進(jìn)行圖案化以在其上形成電路組件及元件來制造半導(dǎo)體裝置。

2、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減少最小部件尺寸來持續(xù)提高各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度(integration?density)，其允許將更多元件整合到給定區(qū)域中。然而，隨著最小部件尺寸的減少，出現(xiàn)了該被解決的其他問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一些實施例中，提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括第一反相器(inverter)及第二反相器。第一反相器包括第一p型晶體管及第一n型晶體管。第一p型晶體管包括多個第一納米結(jié)構(gòu)，且多個第一納米結(jié)構(gòu)具有第一寬度。第一n型晶體管包括多個第二納米結(jié)構(gòu)，多個第二納米結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且第二寬度不同于第一寬度。第二反相器包括第二p型晶體管及第二n型晶體管。第二p型晶體管包括多個第三納米結(jié)構(gòu)，多個第三納米結(jié)構(gòu)具有第三寬度，且第三寬度不同于第一寬度。第二n型晶體管包括多個第四納米結(jié)構(gòu)，多個第四納米結(jié)構(gòu)具有第四寬度，且第四寬度不同于第三寬度及第二寬度。

2、在一些實施例中，該第二寬度大于該第一寬度。

3、在一些實施例中，該第四寬度大于該第三寬度。

4、在一些實施例中，該第四寬度小于該第一寬度。

5、在一些實施例中，其中該第一反相器的數(shù)量為一第一數(shù)量，該第二反相器的數(shù)量為一第二數(shù)量，且該第一數(shù)量的該第一反相器及該第二數(shù)量的該第二反相器沿著一方向以一重復(fù)順序交錯排序。

6、在一些實施例中，其中該重復(fù)順序具有該第一數(shù)量的該第一反相器與該第二數(shù)量的該第二反相器的一交錯比，且該交錯比在1:1至1:3之間。

7、在一些實施例中，該第一數(shù)量相同于該第二數(shù)量在一些實施例中，該第一數(shù)量不同于該第二數(shù)量。

8、在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置還包括一第三數(shù)量的一第三反相器，且該第一數(shù)量的該第一反相器、該第二數(shù)量的該第二反相器及該第三數(shù)量的該第三反相器沿著該方向以該重復(fù)順序交錯排序。

9、在一些實施例中，該重復(fù)順序具有該第一數(shù)量的該第一反相器、該第二數(shù)量的該第二反相器與該第三數(shù)量的該第三反相器的一交錯比，且該交錯比為1:1:1、2:1:1、1:2:1或1:1:2。

10、本實用新型的至少一個實施例具有如下的優(yōu)點或技術(shù)效果：高效率單元及高速單元定義了具有不同數(shù)量的納米結(jié)構(gòu)的晶體管，其允許高效率單元及高速單元具有不同的功函數(shù)。當(dāng)單元(在俯視圖中)具有相同尺寸時，它們?nèi)钥砂ň哂胁煌ぷ鞴δ艿难b置。因此可在不放大(scaling?up)裝置尺寸的情況下調(diào)節(jié)裝置性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第二寬度大于該第一寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四寬度大于該第三寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四寬度小于該第一寬度。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第一反相器的數(shù)量為一第一數(shù)量，該第二反相器的數(shù)量為一第二數(shù)量，且該第一數(shù)量的該第一反相器及該第二數(shù)量的該第二反相器沿著一方向以一重復(fù)順序交錯排序。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該重復(fù)順序具有該第一數(shù)量的該第一反相器與該第二數(shù)量的該第二反相器的一交錯比，且該交錯比在1:1至1:3之間。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第一數(shù)量相同于該第二數(shù)量。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第一數(shù)量不同于該第二數(shù)量。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一第三數(shù)量的一第三反相器，且該第一數(shù)量的該第一反相器、該第二數(shù)量的該第二反相器及該第三數(shù)量的該第三反相器沿著該方向以該重復(fù)順序交錯排序。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該重復(fù)順序具有該第一數(shù)量的該第一反相器、該第二數(shù)量的該第二反相器與該第三數(shù)量的該第三反相器的一交錯比，且該交錯比為1:1:1、2:1:1、1:2:1或1:1:2。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括第一反相器及第二反相器。第一反相器包括第一p型晶體管及第一n型晶體管。第一p型晶體管包括多個第一納米結(jié)構(gòu)，且多個第一納米結(jié)構(gòu)具有第一寬度。第一n型晶體管包括多個第二納米結(jié)構(gòu)，多個第二納米結(jié)構(gòu)具有第二寬度，且第二寬度不同于第一寬度。第二反相器包括第二p型晶體管及第二n型晶體管。第二p型晶體管包括多個第三納米結(jié)構(gòu)，多個第三納米結(jié)構(gòu)具有第三寬度，且第三寬度不同于第一寬度。第二n型晶體管包括多個第四納米結(jié)構(gòu)，多個第四納米結(jié)構(gòu)具有第四寬度，且第四寬度不同于第三寬度及第二寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：董雨隴,王小東,廖忠志
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240306
技術(shù)公布日：2024/12/5