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      一種背電場(chǎng)網(wǎng)版和絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):40231182發(fā)布日期:2024-12-06 16:52閱讀:23來(lái)源:國(guó)知局
      一種背電場(chǎng)網(wǎng)版和絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)的制作方法

      本技術(shù)涉及絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版,尤其涉及一種背電場(chǎng)網(wǎng)版和絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)。


      背景技術(shù):

      1、太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中的絲網(wǎng)印刷是一道重要的工序,印刷的效果會(huì)對(duì)太陽(yáng)能電池的效率產(chǎn)生較大的影響。絲網(wǎng)印刷包括背電場(chǎng)印刷,背電場(chǎng)印刷的工藝包括制作背電場(chǎng)網(wǎng)版的過(guò)程,在制作背電場(chǎng)網(wǎng)版時(shí),需在絲網(wǎng)上噴涂一層掩膜層,掩膜層上鏤空出與硅片上的柵線和硅片邊框線相對(duì)應(yīng)的鏤空縫隙。

      2、現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)應(yīng)硅片邊框線位置處的掩膜層與絲網(wǎng)之間的牢固性較弱,易脫落或卷邊翹起,不僅網(wǎng)版壽命偏低,而且漿料印刷至硅片上時(shí),造成印刷在硅片上對(duì)應(yīng)掩膜層脫落或卷邊翹起位置處的背電場(chǎng)偏厚,突出于硅片表面,在硅片疊放時(shí),該硅片上突出硅片表面的部分容易劃傷相鄰疊放的硅片,甚至出現(xiàn)硅片隱裂現(xiàn)象,降低了電池片的良率。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種背電場(chǎng)網(wǎng)版和絲網(wǎng)印刷系統(tǒng),用于提升掩膜層設(shè)置在絲網(wǎng)上的牢固性,避免掩膜層出現(xiàn)脫落或卷邊翹起現(xiàn)象,提升電池片良率。

      2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,第一方面,本實(shí)用新型提供一種背電場(chǎng)網(wǎng)版,包括絲網(wǎng)和掩膜層,掩膜層鋪設(shè)于絲網(wǎng)的一側(cè)表面。掩膜層包括第一掩膜部、第二掩膜部和連接線掩膜部,第一掩膜部圍設(shè)于第二掩膜部的外周,第一掩膜部和第二掩膜部之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片的邊框線的第一縫隙。第二掩膜部包括多個(gè)沿第一方向間隔排布的掩膜區(qū)塊,相鄰的兩個(gè)掩膜區(qū)塊之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片的柵線的第二縫隙,第二縫隙與第一縫隙連通。連接線掩膜部位于第一縫隙中,且連接線掩膜部的兩端分別與第一掩膜部和掩膜區(qū)塊連接。

      3、采用上述技術(shù)方案時(shí),第一掩膜部和第二掩膜部之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片的邊框線的第一縫隙,相鄰的兩個(gè)掩膜區(qū)塊之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片的柵線的第二縫隙,從而在印刷時(shí),漿料從第一縫隙和第二縫隙中下落至硅片上,以在硅片上形成背電場(chǎng)。連接線掩膜部位于第一縫隙中,且連接線掩膜部的兩端分別與第一掩膜部和掩膜區(qū)塊連接,連接線掩膜部的設(shè)置,用于將第一掩膜部和掩膜區(qū)塊連接在一起,使得掩膜區(qū)塊和第一掩膜部通過(guò)連接線掩膜部形成一個(gè)整體,能夠增強(qiáng)掩膜區(qū)塊設(shè)置在絲網(wǎng)上的牢固性,避免掩膜層出現(xiàn)脫落或卷邊翹起現(xiàn)象,進(jìn)一步地,減少硅片上的背電場(chǎng)偏厚導(dǎo)致的其它硅片被劃傷甚至出現(xiàn)隱裂的現(xiàn)象,從而可以提升電池片的良率。

      4、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,連接線掩膜部平行于第二縫隙的長(zhǎng)度延伸方向。

      5、采用上述技術(shù)方案時(shí),連接線掩膜部平行于第二縫隙,在印刷背電場(chǎng)時(shí),刮刀或墨刀沿著連接線掩膜部的長(zhǎng)度延伸方向運(yùn)動(dòng),如此,使得連接線掩膜部的受力方向平行于其長(zhǎng)度方向,避免連接線掩膜部受到垂直于其長(zhǎng)度方向的作用力,減弱連接線掩膜部設(shè)置在絲網(wǎng)上的穩(wěn)定性。

      6、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,連接線掩膜部的數(shù)量為多個(gè),其中,至少一個(gè)連接線掩膜部的一端與掩膜區(qū)塊的位于第一縫隙和第二縫隙之間的角端點(diǎn)連接。

      7、采用上述技術(shù)方案時(shí),連接線掩膜部連接角端點(diǎn),以將較容易卷邊脫落的角端點(diǎn)連接固定,提高角端點(diǎn)的固定強(qiáng)度。同時(shí),掩膜區(qū)塊的位于第一縫隙和第二縫隙之間的角端點(diǎn)不僅受到所在掩膜區(qū)塊的作用力,還受到了來(lái)自于連接線掩膜部的作用力,增強(qiáng)了角端點(diǎn)所受到的作用力的均勻性,有效避免角端點(diǎn)卷邊脫落。

      8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,第一縫隙和第二縫隙之間的夾角為銳角,連接線掩膜部的一端與掩膜區(qū)塊的位于第一縫隙和第二縫隙之間的銳角端點(diǎn)連接。

      9、采用上述技術(shù)方案時(shí),連接線掩膜部連接銳角端點(diǎn),以將較容易卷邊脫落的銳角端點(diǎn)連接固定,提高銳角端點(diǎn)的固定強(qiáng)度。同時(shí),掩膜區(qū)塊的位于第一縫隙和第二縫隙之間的銳角端點(diǎn)不僅受到所在掩膜區(qū)塊的作用力,還受到了來(lái)自于連接線掩膜部的作用力,增強(qiáng)了銳角端點(diǎn)所受到的作用力的均勻性,有效避免銳角端點(diǎn)卷邊脫落。

      10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,連接線掩膜部的寬度小于或等于50μm。

      11、采用上述技術(shù)方案時(shí),限定了連接線掩膜部的最大寬度,在確保掩膜區(qū)塊與第一膜層部的連接強(qiáng)度的同時(shí),保證充足漿料印刷在硅片邊框線上,避免連接線掩膜部的設(shè)置影響邊框線的背電場(chǎng)印刷。

      12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,連接線掩膜部的寬度小于或等于30μm。

      13、采用上述技術(shù)方案時(shí),在確保掩膜區(qū)塊與第一膜層部的連接強(qiáng)度的同時(shí),保證充足漿料印刷在硅片邊框線上,避免連接線掩膜部的設(shè)置影響邊框線的背電場(chǎng)印刷。

      14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,掩膜層為乳劑層或聚酰亞胺層。

      15、第二方面,本實(shí)用新型提供一種絲網(wǎng)印刷系統(tǒng),包括硅片和第一方面或第一方面任一可能的實(shí)現(xiàn)方式所描述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,硅片上設(shè)置有多個(gè)沿第二方向延伸的細(xì)柵線,多個(gè)細(xì)柵線沿第一方向間隔排布,第一方向與第二方向相垂直。多個(gè)細(xì)柵線形成的區(qū)域外設(shè)置有閉合的邊框線,細(xì)柵線的兩端與邊框線連接。背電場(chǎng)網(wǎng)版的第一縫隙與邊框線相對(duì)應(yīng),背電場(chǎng)網(wǎng)版的第二縫隙與細(xì)柵線相對(duì)應(yīng),用于使?jié){料落至邊框線和細(xì)柵線上。

      16、第二方面所提供的絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)的有益效果,可以參照第一方面所提供的背電場(chǎng)網(wǎng)版的有益效果,此處不作贅述。



      技術(shù)特征:

      1.一種背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述連接線掩膜部平行于所述第二縫隙的長(zhǎng)度延伸方向。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述連接線掩膜部的數(shù)量為多個(gè),其中,至少一個(gè)所述連接線掩膜部的一端與所述掩膜區(qū)塊的位于所述第一縫隙和所述第二縫隙之間的角端點(diǎn)連接。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述第一縫隙和所述第二縫隙之間的夾角為銳角,所述連接線掩膜部的一端與所述掩膜區(qū)塊的位于所述第一縫隙和所述第二縫隙之間的銳角端點(diǎn)連接。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述連接線掩膜部的寬度小于或等于50μm。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述連接線掩膜部的寬度小于或等于30μm。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背電場(chǎng)網(wǎng)版,其特征在于,所述掩膜層為乳劑層或聚酰亞胺層。

      8.一種絲網(wǎng)印刷系統(tǒng),其特征在于,包括:


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)公開(kāi)一種背電場(chǎng)網(wǎng)版和絲網(wǎng)印刷系統(tǒng),涉及絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版技術(shù)領(lǐng)域,用于提升掩膜層設(shè)置在絲網(wǎng)上的牢固性,避免掩膜層出現(xiàn)脫落或卷邊翹起現(xiàn)象,提升電池片良率。背電場(chǎng)網(wǎng)版包括絲網(wǎng)和掩膜層,掩膜層鋪設(shè)于絲網(wǎng)的一側(cè)表面。掩膜層包括第一掩膜部、第二掩膜部和連接線掩膜部,第一掩膜部圍設(shè)于第二掩膜部的外周,第一掩膜部和第二掩膜部之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片邊框線的第一縫隙。第二掩膜部包括多個(gè)沿第一方向間隔排布的掩膜區(qū)塊,相鄰的兩個(gè)掩膜區(qū)塊之間具有對(duì)應(yīng)待印刷硅片的柵線的第二縫隙,第二縫隙與第一縫隙連通。連接線掩膜部位于第一縫隙中,且連接線掩膜部的兩端分別與第一掩膜部和掩膜區(qū)塊連接。絲網(wǎng)印刷系統(tǒng)包括硅片和背電場(chǎng)網(wǎng)版。

      技術(shù)研發(fā)人員:劉建璽,王武林,馬元,鄧彩霞,王浩,田云全
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:寧夏隆基樂(lè)葉科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240306
      技術(shù)公布日:2024/12/5
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