專利名稱:固體攝影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝影裝置，特別涉及放大型CMOS圖像傳感器中的單元圖形，例如在便攜電子設(shè)備等中使用。
在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于在像素部?jī)?nèi)具有放大功能的放大型CMOS圖像傳感器，希望為適合像素?cái)?shù)增加的部件，而且希望為適合通過(guò)縮小圖像尺寸而縮小像素尺寸的部件。另外，放大型CMOS圖像傳感器與電荷耦合型CCD傳感器相比，因?yàn)橄M(fèi)電力低，而且也容易與使用和在傳感器部分的制造中的CMOS工藝相同的CMOS工藝制造的外圍電路合并，所以十分受到期待。
固體攝影裝置的單位單元，例如由光電二極管、向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送在光電二極管上積蓄的信號(hào)電荷的MOS型讀出晶體管、放大向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)的MOS型放大晶體管、向垂直輸出線傳送放大晶體管的輸出電壓信號(hào)(放大輸出)的MOS型垂直選擇晶體管、和復(fù)位在信號(hào)電荷檢測(cè)部中檢測(cè)到的信號(hào)電荷的MOS型復(fù)位晶體管構(gòu)成。
在現(xiàn)有技術(shù)的單位單元中，信號(hào)電荷檢測(cè)部由在讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)的全部面上注入N型雜質(zhì)離子形成的離子注入?yún)^(qū)構(gòu)成。讀出晶體管的變換增益由離子注入?yún)^(qū)的面積決定。在現(xiàn)有的單位單元中，在讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)的全部面上形成離子注入?yún)^(qū)，所以離子注入?yún)^(qū)的面積寬。因此，讀出晶體管的變換增益小。其結(jié)果，有信號(hào)電荷檢測(cè)部的飽和電壓不能變大，而且，傳感器的飽和輸出不能變大，信噪比(S/N)特性惡化等的問(wèn)題。
此外，在特開2005-101442中，公開了在固體攝影裝置中通過(guò)進(jìn)行二次離子注入、MOS型讀出晶體管的高濃度漏極區(qū)域變得比MOS晶體管的SDG區(qū)域小這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題提出的，其目的是提供一種固體攝影裝置，能夠增加具有放大功能的單位單元的放大晶體管的變換增益，提高信號(hào)電荷檢測(cè)部的飽和輸出，改善輸出的S/N特性。
根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，提供一種固體攝影裝置，具有在半導(dǎo)體襯底上以行列狀配置單位單元而成的攝影區(qū)域，其中，所述單位單元具有在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)置的、把輸入光信號(hào)光電變換為信號(hào)電荷、積蓄信號(hào)電荷的光電二極管、在所述半導(dǎo)體襯底的表層部上接近所述光電二極管設(shè)置的、把在所述光電二極管上積蓄的信號(hào)電荷向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的MOS型讀出晶體管、放大向所述信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)的放大晶體管，所述信號(hào)電荷檢測(cè)部由在所述讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的表層部的一部分上形成的離子注入?yún)^(qū)組成。
圖1是涉及本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器的電路圖，特別是一個(gè)單位單元的詳細(xì)的電路圖。
圖2是圖1的單位單元的圖形平面圖。
圖3是沿圖2的單位單元的III-III線的截面圖。
圖4是第一實(shí)施形態(tài)的CMOS圖像傳感器的一個(gè)制造工序中的截面圖。
圖5是第一實(shí)施形態(tài)的CMOS圖像傳感器的、接著圖4的制造工序的制造工序中的截面圖。
圖6是把現(xiàn)有技術(shù)例的CMOS圖像傳感器的飽和電壓作為基準(zhǔn)值，對(duì)比表示第一實(shí)施形態(tài)的單位單元的信號(hào)電荷檢測(cè)部的面積和傳感器輸出的飽和電壓的關(guān)系的特性圖。
圖7是涉及本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器的兩像素一單元型的單位單元的圖形平面圖。
圖8是涉及本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器的四像素一單元型的單位單元的圖形平面圖。
圖9是圖1的單位單元的其他的截面圖。
圖10是作為圖1的單位單元的一部分的信號(hào)電荷檢測(cè)部的詳細(xì)的放大截面圖。
具體實(shí)施方式下面參照本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。在以下的說(shuō)明中，給全部圖中共同的部分賦予共同的參照符號(hào)。
涉及本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的固體攝影裝置，作為基本的結(jié)構(gòu)，有在半導(dǎo)體襯底上以行列狀配置單位單元而成的攝影區(qū)域、和掃描該攝影區(qū)域讀出各單位單元的信號(hào)的信號(hào)掃描部。
<第一實(shí)施形態(tài)>
圖1是涉及本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器的電路圖，特別是一個(gè)單位單元的詳細(xì)的電路圖。該單位單元10由光電變換光輸入信號(hào)、積蓄變換為信號(hào)電荷的光電二極管11、向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送在光電二極管上積蓄的積蓄信號(hào)的MOS型讀出晶體管12、放大向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)的MOS型放大晶體管13、向垂直輸出線18傳送放大晶體管的輸出電壓信號(hào)(放大輸出)的MOS型垂直選擇晶體管(地址晶體管)14、復(fù)位在信號(hào)電荷檢測(cè)部中檢測(cè)出來(lái)的信號(hào)電荷的MOS型復(fù)位晶體管15、地址柵極布線16、和復(fù)位柵極布線17等構(gòu)成。
圖2是圖1的單位單元的圖形平面圖，圖3是沿圖2的單位單元的III-III線的截面圖。如圖2以及圖3所示，在半導(dǎo)體襯底的表層部上形成的P阱20的表層部上形成淺溝(シヤロウトレンチ)型的元件分離區(qū)(STI)21，在通過(guò)該STI21圍起來(lái)的元件區(qū)域上形成如圖1所示結(jié)構(gòu)的單位單元10。
在單位單元10中，在P阱20的平面內(nèi)的規(guī)定位置，設(shè)置光電變換輸入光信號(hào)而且積蓄通過(guò)光電變換得到的信號(hào)電荷的光電二極管11。光電二極管11具有從P阱20的表面向襯底深度方向離開規(guī)定距離的位置處形成的N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)22、在該N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)22上在P阱20的表層部形成的由高濃度的P+擴(kuò)散層形成的表面屏蔽層23。
進(jìn)而，在P阱20的表層部中，接近光電二極管11，形成向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送光電二極管的信號(hào)電荷的MOS型讀出晶體管12。12G是在讀出晶體管12的溝道區(qū)(P阱的表層部的一部分)上通過(guò)柵極絕緣膜24設(shè)置的讀出柵極電極。
在本實(shí)施形態(tài)中，在讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)的一部分上形成通過(guò)注入N型雜質(zhì)(例如P)離子而成的離子注入?yún)^(qū)(N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū))25作為信號(hào)電荷檢測(cè)部。離子注入?yún)^(qū)25具有比漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)小的面積。此外，在形成離子注入?yún)^(qū)25時(shí)向讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)的一部分注入的N型雜質(zhì)(例如P)離子不僅在半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)深度方向上而且也在平面方向上擴(kuò)散，所以實(shí)際上如圖10所示，離子注入?yún)^(qū)25包含在P阱20的表面部上、讀出晶體管12的柵極電極12G的端緣下部的區(qū)域。
進(jìn)而在讀出晶體管12的附近形成MOS型放大晶體管13。13G是讀出晶體管12的柵極電極(放大柵極電極)。31是連接離子注入?yún)^(qū)25和放大柵極電極13G的放大柵極電極布線，用接觸部C1連接到離子注入?yún)^(qū)25上，同時(shí)用接觸部C2連接到放大柵極電極13G上。對(duì)于放大晶體管13，在漏極區(qū)13D上通過(guò)接觸部C3供給電源電壓VDD，放大離子注入?yún)^(qū)25的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)。
接近放大晶體管13，形成MOS型垂直選擇晶體管14。14G是垂直選擇晶體管14的柵極電極(地址柵極電極)。對(duì)于垂直選擇晶體管14，漏極區(qū)14D通過(guò)接觸部C4連接垂直輸出線18，向垂直輸出線18傳送放大晶體管13的電壓信號(hào)(放大輸出)。
接近離子注入?yún)^(qū)25形成MOS型復(fù)位晶體管15。15G是復(fù)位晶體管15的柵極電極(復(fù)位柵極電極)。對(duì)于復(fù)位晶體管15，在漏極區(qū)15D通過(guò)接觸部C5供給復(fù)位電壓，復(fù)位離子注入?yún)^(qū)25的電荷。
下面參照?qǐng)D4以及圖5所示的截面圖說(shuō)明本實(shí)施形態(tài)的CMOS圖像傳感器的制造工序。如圖4所示，在半導(dǎo)體襯底的表層部形成P阱20，在P阱20的表層部形成STI21。在由STI21圍起來(lái)的半導(dǎo)體區(qū)域亦即元件形成用區(qū)域內(nèi)如下所述形成單位單元10。
首先，在半導(dǎo)體襯底上的全部面上堆積柵極絕緣膜24以及多晶硅層。此后，在多晶硅層上的規(guī)定部分上形成抗蝕劑圖形41。通過(guò)把該抗蝕劑圖形41作為掩模進(jìn)行腐蝕處理，對(duì)于多晶硅層以及柵極絕緣膜24進(jìn)行圖形化，形成多個(gè)MOS晶體管的柵極。在圖4以及圖5中，僅表示出讀出用的MOS晶體管12的部分，12G表示由上述多晶硅層組成的MOS晶體管12的讀出柵極電極。此后，除去抗蝕劑圖形41。
接著，如圖5所示，在圖形化后的多晶硅層上以及半導(dǎo)體襯底上的規(guī)定部分上形成抗蝕劑圖形51。在讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)內(nèi)，形成STI21上的抗蝕劑圖形51，以使其從STI21上延伸到P阱20上覆蓋讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的一部分。51a表示延伸形成的抗蝕劑圖形51的尖端部。
此后，把抗蝕劑圖形51作為掩模，離子注入N型雜質(zhì)離子，例如P(磷)離子。離子注入?yún)^(qū)域由抗蝕劑圖形51決定。通過(guò)該離子注入，在讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域中，通過(guò)讀出柵極電極12G從用自校準(zhǔn)決定的位置到用抗蝕劑圖形的端部51a決定的位置的半導(dǎo)體區(qū)域上形成離子注入?yún)^(qū)25。另外，離子注入?yún)^(qū)25的面積比漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積小。此外，在形成離子注入?yún)^(qū)25時(shí)向讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域(SDG區(qū)域)的一部分注入的N型雜質(zhì)(例如P)離子不僅在半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)深度方向上而且也在平面方向上擴(kuò)散，所以實(shí)際上如圖11所示，離子注入?yún)^(qū)25包含在P阱20的表面部上、讀出晶體管12的柵極電極12G的端緣下部的區(qū)域。
圖6把現(xiàn)有技術(shù)例的CMOS圖像傳感器的飽和電壓作為基準(zhǔn)值，對(duì)比表示本實(shí)施形態(tài)的單位單元10的離子注入?yún)^(qū)25的面積和傳感器輸出的飽和電壓的關(guān)系。如從圖6可知，即使在把離子注入?yún)^(qū)25的面積做成0.2μm2左右小的場(chǎng)合，因?yàn)樵诒緦?shí)施形態(tài)中與現(xiàn)有技術(shù)例相比飽和電壓增加到約1.3倍，所以能夠?qū)崿F(xiàn)S/N大的CMOS圖像傳感器。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的CMOS圖像傳感器，因?yàn)樽鳛樾盘?hào)電荷檢測(cè)部作用的離子注入?yún)^(qū)25的面積比讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積小，所以能夠提高具有放大功能的單位單元的讀出晶體管的變換增益，增大飽和輸出，改善輸出的S/N特性。
另外，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的CMOS圖像傳感器，因?yàn)槟軌蛲ㄟ^(guò)作為讀出晶體管12的漏極側(cè)區(qū)域的一部分的離子注入?yún)^(qū)25而設(shè)定信號(hào)電荷檢測(cè)部，所以對(duì)于讀出晶體管12的變換增益控制性好，生產(chǎn)方面優(yōu)良。例如，通過(guò)使讀出晶體管12的漏極側(cè)區(qū)域的圖形一定、改變離子注入?yún)^(qū)25的圖形，能夠改變讀出晶體管12的變換增益，改變飽和電壓特性，所以容易實(shí)現(xiàn)飽和電壓不同的CMOS圖像傳感器。
此外，在上述第一實(shí)施形態(tài)中，作為單位單元示出在一個(gè)單元中有一個(gè)像素的一像素一單元型的結(jié)構(gòu)，但是不限于此，在一個(gè)單元中有兩個(gè)像素的兩像素一單元型、或者在一個(gè)單元中有四個(gè)像素的四像素一單元型的單位單元中也可以使用本發(fā)明。亦即在單位單元內(nèi)設(shè)置多組信號(hào)積蓄區(qū)域以及讀出晶體管、而且在這些多個(gè)讀出晶體管中共有一個(gè)離子注入?yún)^(qū)的CMOS圖像傳感器中也可以使用本發(fā)明。
<第二實(shí)施形態(tài)>
圖7是涉及本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器中的兩像素一單元型的單位單元的圖形平面圖。該單位單元，與參照?qǐng)D2說(shuō)明的單位單元比較，變更為以讀出晶體管12的漏極側(cè)區(qū)域以及離子注入?yún)^(qū)25為軸線，對(duì)稱設(shè)置兩個(gè)由光電二極管11以及讀出晶體管12(在圖7中僅圖示讀出柵極電極12G)組成的組，兩個(gè)組共有讀出晶體管12的漏極側(cè)區(qū)域以及離子注入?yún)^(qū)25，放大晶體管13(在圖7中僅圖示放大柵極電極13G)以及垂直選擇晶體管14(在圖7中僅圖示地址柵極電極14G)配置在一組光電二極管11以及讀出晶體管12的側(cè)方，復(fù)位晶體管15(在圖7中僅圖示復(fù)位柵極電極15G)配置在另一組光電二極管11以及讀出晶體管12的側(cè)方。
在本實(shí)施形態(tài)中也作為信號(hào)電荷檢測(cè)部作用的離子注入?yún)^(qū)25的面積比讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積小，所以能夠得到和上述第一實(shí)施形態(tài)同樣的效果。
<第三實(shí)施形態(tài)>
圖8是涉及本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的放大型CMOS圖像傳感器的四像素一單元型的單位單元的圖形平面圖。該單位單元與參照?qǐng)D7說(shuō)明的單位單元相比，變更為進(jìn)一步設(shè)置一個(gè)和圖7所示的兩個(gè)組的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，以放大晶體管13、垂直選擇晶體管14以及復(fù)位晶體管15的排列為軸互相成線對(duì)稱配置，一方的結(jié)構(gòu)的兩個(gè)讀出晶體管12共有該一方的結(jié)構(gòu)的一個(gè)漏極側(cè)區(qū)域以及一個(gè)離子注入?yún)^(qū)25，另一方的結(jié)構(gòu)的兩個(gè)讀出晶體管12共有該另一方的結(jié)構(gòu)的一個(gè)漏極側(cè)區(qū)域以及一個(gè)離子注入?yún)^(qū)25，在這些離子注入?yún)^(qū)25上共同連接復(fù)位晶體管15的源極以及放大晶體管的柵極電極布線31。
在本實(shí)施形態(tài)中也作為信號(hào)電荷檢測(cè)部作用的離子注入?yún)^(qū)25的面積比讀出晶體管12的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積小，所以能夠得到和上述第一實(shí)施形態(tài)同樣的效果。
在上述各實(shí)施形態(tài)中，作為信號(hào)電荷檢測(cè)部作用的離子注入?yún)^(qū)25形成為比復(fù)位晶體管15的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域小。
另外，在上述各實(shí)施形態(tài)中，以阱為P型的場(chǎng)合加以說(shuō)明，但是如圖9所示，即使把阱作為N型，把P型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域變?yōu)镹型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，另外把N型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域變?yōu)镻型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域，也能得到和上述各實(shí)施形態(tài)同樣的效果。
此外，通過(guò)使讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積形成得小也能夠使變換增益增大，但是，進(jìn)一步縮小面積在技術(shù)上不容易，即使使讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的面積形成得更加小由此能夠增大變換增益，也經(jīng)常存在希望進(jìn)一步增大讀出晶體管的變換增益進(jìn)一步增大傳感器的飽和輸出這樣的要求。如上述各實(shí)施形態(tài)，通過(guò)離子注入在讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的一部分上形成信號(hào)電荷檢測(cè)部的方法，作為進(jìn)一步增大讀出晶體管的變換增益、進(jìn)一步增大飽和輸出的顯示的方法，是理想的方法。另外，即使在要求比當(dāng)初的設(shè)計(jì)值大的飽和輸出那樣的場(chǎng)合，根據(jù)基于離子注入的上述方法，能夠容易地變更信號(hào)電荷檢測(cè)部的面積，由此能夠增大變換增益，容易地變更傳感器的飽和輸出。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，另外的優(yōu)點(diǎn)和修改很容易發(fā)生。因此，本發(fā)明在其更廣闊的方面不限于這里圖示和說(shuō)明的具體細(xì)節(jié)和代表性實(shí)施例。因此，可以進(jìn)行各種修改而不離開由所附權(quán)利要求
及其等價(jià)要求限定的一般發(fā)明概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種固體攝影裝置，具有在半導(dǎo)體襯底上以行列狀配置單位單元而成的攝影區(qū)域，其中，所述單位單元具有在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)置的、把輸入光信號(hào)光電變換為信號(hào)電荷、積蓄信號(hào)電荷的光電二極管、在所述半導(dǎo)體襯底的表層部接近所述光電二極管設(shè)置的、向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送在所述光電二極管上積蓄的信號(hào)電荷的MOS型讀出晶體管、放大向所述信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)的放大晶體管，所述信號(hào)電荷檢測(cè)部由在所述讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的表層部的一部分上形成的離子注入?yún)^(qū)形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述信號(hào)電荷檢測(cè)部由在P型半導(dǎo)體區(qū)域上形成的N型區(qū)域形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述信號(hào)電荷檢測(cè)部由在N型半導(dǎo)體區(qū)域上形成的P型雜質(zhì)離子注入?yún)^(qū)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述離子注入?yún)^(qū)包含在所述半導(dǎo)體襯底的表層部、所述讀出晶體管的柵極電極端緣下部的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述離子注入?yún)^(qū)比所述復(fù)位晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域小。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述單位單元具有多個(gè)由所述光電二極管以及所述讀出晶體管組成的組，所述離子注入?yún)^(qū)被所述多個(gè)組共有。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述單位單元進(jìn)一步具有向垂直輸出線傳送所述放大晶體管的輸出電壓信號(hào)的MOS型垂直選擇晶體管、和復(fù)位在所述信號(hào)電荷檢測(cè)部上積蓄的信號(hào)電荷的MOS型復(fù)位晶體管，所述單位單元具有多個(gè)由所述光電二極管以及所述讀出晶體管組成的組，所述放大晶體管、所述垂直選擇晶體管以及所述復(fù)位晶體管被所述多個(gè)組共有。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述單位單元具有兩個(gè)由所述光電二極管以及所述讀出晶體管組成的組，所述離子注入?yún)^(qū)被所述兩個(gè)組共有。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，以在所述讀出二極管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域及其一部分上形成的所述離子注入?yún)^(qū)為軸，相互線對(duì)稱配置所述兩個(gè)組的所述光電二極管以及所述讀出晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的固體攝影裝置，其中，所述單位單元進(jìn)一步具有向垂直輸出線傳送所述放大晶體管的輸出電壓信號(hào)的MOS型垂直選擇晶體管、和復(fù)位在所述信號(hào)電荷檢測(cè)部上積蓄的信號(hào)電荷的MOS型復(fù)位晶體管，所述放大晶體管、所述垂直選擇晶體管以及所述復(fù)位晶體管在所述兩個(gè)組的一側(cè)部沿該側(cè)部被配置，被所述兩個(gè)組共有。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的固體攝影裝置，其中，所述單位單元進(jìn)一步具有分別和由所述光電二極管以及所述讀出二極管組成的所述兩個(gè)組的所述結(jié)構(gòu)相同結(jié)構(gòu)的兩個(gè)組，以所述放大晶體管、所述垂直選擇晶體管以及所述復(fù)位晶體管單位單元的排列為軸，和所述兩個(gè)組互相線對(duì)稱配置所述進(jìn)一步具有的兩個(gè)組。
專利摘要
公開了一種固體攝影裝置，具有在半導(dǎo)體襯底上以行列狀配置單位單元而成的攝影區(qū)域，其中，所述單位單元具有在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)置的、把輸入光信號(hào)光電變換為信號(hào)電荷、積蓄信號(hào)電荷的光電二極管、在所述半導(dǎo)體襯底的表層部接近所述光電二極管設(shè)置的、向信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送在所述光電二極管上積蓄的信號(hào)電荷的MOS型讀出晶體管、放大向所述信號(hào)電荷檢測(cè)部傳送的信號(hào)電荷后輸出電壓信號(hào)的放大晶體管，所述信號(hào)電荷檢測(cè)部由在所述讀出晶體管的漏極側(cè)的半導(dǎo)體區(qū)域的表層部的一部分上形成的離子注入?yún)^(qū)形成。
文檔編號(hào)H01L27/146GK1996606SQ200710001841
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2007年1月5日
發(fā)明者井原久典 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan