專利名稱：薄膜晶體管和有源矩陣液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管和有源矩陣液晶顯示器件，更具體地說，涉及防止因入射光而在TFT的源極和漏極之間產(chǎn)生光電子漏電流的技術(shù)。
通常，具有一個薄膜晶體管的有源矩陣液晶顯示器件包括分別水平設(shè)置和垂直設(shè)置的多根掃描線(柵極線)和多根信號線(數(shù)據(jù)線)、在上述掃描線和信號線的各交叉點上作為非線性元件的薄膜晶體管(TFT)、一個具有與所述各薄膜晶體管相連的透明顯示電極的透明絕緣襯底、具有一濾色器、一公用電極和一反射金屬黑色矩陣的另一透明絕緣襯底、一個將光線從一個透明絕緣襯底向另一透明絕緣襯底照射的光源、一個向所述掃描線加掃描電壓的裝置和一個向信號線加信號電壓的裝置。液晶材料放在這兩個透明絕緣襯底之間。對于各個構(gòu)成一象素元件的液晶顯示單元形成透明顯示電極和TFT，而根據(jù)所述掃描和信號電壓的幅值來調(diào)制各象素的光學(xué)特性。
最近已提出一種TFT，其中，一溝道防護絕緣層在作為溝道(channel)的半導(dǎo)體層上，以便防止該半導(dǎo)體層受到腐蝕。圖7為本發(fā)明的發(fā)明者制造的TFT結(jié)構(gòu)的放大的平面圖和截面圖。薄膜晶體管1包括一光屏蔽柵電極3、一柵絕緣膜4、一半導(dǎo)體層5、一溝道防護絕緣膜6和源電極7以及漏電極8。電極3形成在玻璃襯底之類的絕緣襯底2上與所述掃描線相連接，絕緣膜4用于覆蓋柵電極3，半導(dǎo)體層5形成在柵極絕緣膜4上起到溝道的作用，溝道防護絕緣膜6形成在半導(dǎo)體層5的一部分上，源電極7和漏電極8與所述信號線相連、并和所述半導(dǎo)體層5電接觸。源電極7和漏電極8為鋁之類的光屏蔽金屬層，并可以有一N+非晶硅層9，以便與半導(dǎo)體層5保持良好的歐姆接觸。用作半導(dǎo)體層5的材料是本征非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)以及類似的材料。為了防止薄的半導(dǎo)體層5受到腐蝕，需要有限定溝道長度的溝道保護絕緣膜6，它是由氮化膜和類似的東西形成的?，F(xiàn)在，已知漏電流是由于從表面射入的入射光于本征非晶硅半導(dǎo)體層5產(chǎn)生的，此入射光從光源射入穿過液晶材料，在另一透明絕緣襯底的內(nèi)表面上反射，并穿過一透明氮化膜。這是因為當光射入本征非晶硅層時產(chǎn)生出空穴和電子。當TFT導(dǎo)通時，此漏電流不會產(chǎn)生什么問題。但是當此漏電流在TFT的截止周期內(nèi)在源電極和漏電極之間流過時，就改變了加在液晶上的電壓，繼而顯著降低了顯示質(zhì)量。
因此，本發(fā)明的發(fā)明者做了下列實驗以尋找TFT中漏電流流經(jīng)的通路。首先，將TFT放在一黑盒子內(nèi)，測量TFT截止期間的電流(Ioff)。在一個標準尺寸的TFT中，OFF態(tài)電流約為10-12A。然后，通過把一窄光帶按圖8所示的順序從位置P1移到位置P10，來測量源電極和漏電極之間的OFF態(tài)電流。圖8示出實驗的結(jié)果。橫座標表示位置，縱座標表示OFF態(tài)電流。OFF態(tài)電流Ioff的值用對數(shù)值表示。由于OFF態(tài)電流的值取決于射入光線的強度，所以它由任選的尺度來表示。Ioff＝0為10-12A左右，Ioff＝1為10-11A左右。在位置P6，OFF態(tài)電流增加了一位數(shù)左右，而OFF態(tài)電流在位置P1和P9表示為小的數(shù)值。
在位置P1，由于制造工藝中需要形成源和柵電極的掩膜的重疊邊緣，源電極7和漏電極8延伸覆蓋住溝道防護絕緣膜6約2至3微米，這大于空穴-電子復(fù)合距離，即約1微米。因此，若將光帶置于位置P1，在光線被所述源電極7和漏電極8所屏蔽的半導(dǎo)體區(qū)域中不產(chǎn)生空穴和電子，而在光線未被所述源電極7和漏電極8屏蔽的半導(dǎo)體區(qū)域中產(chǎn)生空穴和電子。由于這些空穴和電子在到達源電極7或漏電極8前就復(fù)合和消失了，源電極7和漏電極8之間的漏電流非常低。這一很低的電流是暗電流，對TFT的工作沒有影響。
在位置P9，由于光帶離開源電極7和漏電極8的邊緣的距離大于空穴和電子的復(fù)合距離，即使在光帶照射到的半導(dǎo)體區(qū)域產(chǎn)生空穴和電子，這些電子和空穴也在到達源電極7和漏電極8之前復(fù)合和消失了，結(jié)果是源電極7和漏電極8之間的漏電流變得很低。在位置P6，源電極7和漏電極8的邊緣與半導(dǎo)體層5的邊緣相重疊。如果將光帶置于位置P6，離源電極7和漏電極8的距離在空穴-電子復(fù)合距離之內(nèi)，在Y1和Y2之間的半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的垂直壁以及Y3和Y4之間的半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)的垂直壁上產(chǎn)生的空穴和電子立即到達源電極7和漏電極8，在這兩個垂直壁上光線沒有受到源電極7和漏電極8的屏蔽，而且也沒有形成溝道防護絕緣膜6來覆蓋它們。此外，因為在Y2和Y3之間存在著由入射光產(chǎn)生的空穴和電子，所以在漏電極8和源電極7之間形成了漏電流的通路。
因此，本發(fā)明的發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，在半導(dǎo)體層5中分別離源電極和漏電極重疊住半導(dǎo)體層5的邊緣的距離在空穴-電子復(fù)合距離之內(nèi)的區(qū)域中產(chǎn)生并到達源電極和漏電極的電子和空穴成為TFT的截止周期內(nèi)造成高漏電流的原因之一。
第一種防止漏電流的現(xiàn)有技術(shù)是阻斷光射入整個半導(dǎo)體層。例如，日本未審查專利公開(PUPA)59-117267公開的一種方案是在TFT的源電極和漏電極之間的溝道區(qū)域上形成一附加的光屏蔽膜，此膜的面積大于該區(qū)域。然而，這一技術(shù)的缺點是減少了產(chǎn)量，因為形成該光屏蔽層需要增加許多道工序。
第二種現(xiàn)有技術(shù)公開在PUPA3-85767上，該方案是在用作TFT的溝道的半導(dǎo)體層和源、漏電極之間提供一附加的厚半導(dǎo)體層來復(fù)合和減少由入射光產(chǎn)生的空穴和電子。當TFT導(dǎo)通時，大量電子從源電極注入所述附加半導(dǎo)體層形成一導(dǎo)電通路。這種技術(shù)也導(dǎo)致增加工序的數(shù)量、使產(chǎn)量下降。
本發(fā)明的目的是提供一種具有高顯示質(zhì)量的TFT有源矩陣液晶顯示器件。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種通過截斷由入射光進入半導(dǎo)體層所引起的漏電流通路來防止漏電流的方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種僅改變元件的常規(guī)結(jié)構(gòu)而不增加新工序即可降低漏電流的方法。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管包括一形成在一透明絕緣襯底上的光屏蔽柵電極、形成在該柵電極上的柵絕緣層、形成在該柵絕緣層上的半導(dǎo)體層，和與該半導(dǎo)體層相連以限定出一溝道區(qū)的光屏蔽源電極和光屏蔽漏電極;在該源電極和漏電極之一和該半導(dǎo)體層之間形成一絕緣層，該絕緣層超出覆蓋住半導(dǎo)體層的源電極和漏電極中至少一個的所有邊緣一段距離，此距離大于空穴-電子復(fù)合距離。且該絕緣層延伸到半導(dǎo)體的溝道區(qū)域。
下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實施例。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的TFT的第一實施例的平面和截面圖。
圖2為一液晶顯示單元的電路示意圖。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的TFT的制造工序。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的TFT的第二實施例的平面和截面圖。
圖5為說明圖3所示用于制造第一實施例的TFT的工序(e)中所用的掩模的圖。
圖6為說明圖3所示用于制造第二實施例的TFT的工序(e)中所用的掩模的圖。
圖7為常規(guī)TFT的平面圖和截面圖。
圖8為說明測量圖7所示的TFT的漏電流的示意圖。
一個有源液晶顯示器件有兩片透明絕緣襯底和保留在兩襯底之間的液晶材料。一個透明絕緣襯底有多根水平方向設(shè)置的柵極線、多根垂直方向設(shè)置的信號線，以及在柵極和信號線的交叉點上形成的液晶顯示單元。公用電極形成在另一透明絕緣襯底上。一柵極信號源與這些柵極相連，以向其提供柵極信號，一數(shù)據(jù)信號源與信號線相連以向其提供數(shù)據(jù)信號。
圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的一個完成的液晶顯示單元結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖。其中未示出上述另一透明絕緣襯底，因為這在本領(lǐng)域是眾所周知的。液晶顯示單元形成在柵極線和信號線的各交叉點上，并具有一個薄膜晶體管(TFT)1和一顯示電極10。圖2是此液晶顯示單元的等效電路圖。當將柵極脈沖加到柵極線和將一數(shù)據(jù)信號，例如+V加到信號線上時，TFT1導(dǎo)通，該數(shù)據(jù)信號+V被加到顯示電極10上，執(zhí)行一個顯示。該數(shù)據(jù)信號+V被存儲在一幀的存儲電容CS中，結(jié)果，顯示就保持一幀。圖1中未示出此存儲電容CS?，F(xiàn)在參照圖1中的截面結(jié)構(gòu)，TFT1包括一形成在玻璃基片2這樣的透明絕緣襯底的表面上的光屏蔽柵電極3、一層二氧化硅或氮化硅之類的柵絕緣層4、一層形成TFT的溝道區(qū)的本征非晶硅和多晶硅之類的半導(dǎo)體層5、一形成在溝道上的溝道防護絕緣層6、與半導(dǎo)體層5的兩端連接的源電極7和漏電極8、形成在源電極7、漏電極8和半導(dǎo)體層5之間的N+非晶硅層9，和一保護層11。圖1中玻璃基片2的背面有一光源，光向上照射。圖中沒有畫出該光源，因為這是本領(lǐng)域所熟知的。
在該第一實施例中，絕緣層6形成在源電極7和半導(dǎo)體層5之間以及漏電極8和半導(dǎo)體層5之間，該絕緣層超出TFT1的源電極7和漏電極8覆蓋住半導(dǎo)體層5的所有邊緣的距離為D，D大于空穴-電子復(fù)合距離。更具體地說，源電極7覆蓋住半導(dǎo)體層5的所有邊緣是71、72和73，漏電極8覆蓋住半導(dǎo)體層5的所有邊緣為81、82和83。圖1中A-A截面圖中畫出了邊緣82和72。當光在TFT1截止期間沿箭頭15的方向照射時，在半導(dǎo)體層5的區(qū)域12內(nèi)產(chǎn)生出空穴和電子，區(qū)域12沒有被光屏蔽的源和漏電極7和8覆蓋。這些電子和空穴向源電極7和半導(dǎo)體層5之間的連接區(qū)域以及漏電極8和半導(dǎo)體層5之間的連接區(qū)域移動。但是，由于在源電極7和半導(dǎo)體層5之間以及半導(dǎo)體層5和漏電極8之間的連接區(qū)域的一段距離D上和區(qū)域12上形成了絕緣層6，空穴和電子在這一段距離D內(nèi)就被復(fù)合掉了，到達不了源電極7和漏電極8。
圖1的B-B截面圖中示出了漏電極8的邊緣81和83。當光在TFT1截止期間內(nèi)沿箭頭15的方向照射時，在半導(dǎo)體層5中未被光屏蔽漏電極8覆蓋住的區(qū)域13和14內(nèi)產(chǎn)生了空穴和電子，它們向漏電極8和半導(dǎo)體層5之間的連接區(qū)域移動。但是，由于在半導(dǎo)體層5和漏電極8之間的連接區(qū)域的一段距離D和區(qū)域13及14上形成了絕緣層6，空穴和電子在距離D以內(nèi)就被復(fù)合掉了，到達不了漏電極8。源電極7也有一個類似的橫截面，并達到相同的效果。
因此，由于絕緣層6形成在源電極7和半導(dǎo)體層5之間以及漏電極8和半導(dǎo)體層5之間，離TFT1的源電極7和漏電極8覆蓋住半導(dǎo)體層5的所有邊緣，即71、72和73，以及81、82和83的距離為D(D大于空穴-電子復(fù)合距離)，所以防止了TFT1截止期間源電極7和漏電極8之間的漏電流。如果在源電極7和漏電極8上加10-15V的電壓，由于空穴-電子復(fù)合距離小于1微米，則選擇距離D大于這一距離。
參照圖3，圖中表示出制造第1實施例的結(jié)構(gòu)的工序過程。圖3所示為沿圖1的A-A線所取的截面圖。
將鉬/鉭(Mo/Ta)合金淀積在玻璃基片2上，用一掩模按圖1的柵極線和柵電極的形狀進行腐蝕，從而在玻璃基片上形成柵極線和柵電極3(圖3(a))，然后，在此整個表面上淀積一柵絕緣膜(氧化膜)4、一本征非晶硅(i/a-Si)半導(dǎo)體層5和一溝道防護絕緣膜(氮化膜)6(圖3(b))。溝道防護絕緣層6是通過使用一掩模按圖1所示的溝道防護絕緣膜6的形狀腐蝕形成的(圖3(c))。將N+非晶硅膜9淀積在基片的形成有所述溝道防護絕緣膜6的整個表面上(圖3(d))。在圖3的工序(e)中，利用圖5的粗線所示的掩模50腐蝕形成N+非晶硅層9和半導(dǎo)體層5。
N+非晶硅層9是按掩模50的形狀腐蝕的。不過，由于半導(dǎo)體層5上有溝道防護絕緣層6，它起著掩模的作用，所以半導(dǎo)體層5腐蝕成圖5所示的樣子。掩模50的邊緣51必須不超過溝道防護絕緣層6的邊緣52。如果邊緣51超過邊緣52，在電極的邊緣就形成了從半導(dǎo)體層5通過N+非晶硅層9到這些電極的通路，這樣就產(chǎn)生了漏電流的通路。在整個表面上淀積ITO(氧化銦錫)，一種透明顯示電極材料(圖3(f))，并用一掩模進行腐蝕而形成該顯示電極10(圖3(g))。
然后，在整個表面上淀積鋁(圖3(h))。利用一掩模腐蝕所述鋁，形成源電極7和漏電極8(圖3(i))。所述顯示電極10經(jīng)源電極7與TFT相連。最后，利用所述源電極7和漏電極8作為掩模腐蝕未被其覆蓋住的N+非晶硅層9(圖3(j))，再在整個表面上淀積氮化硅之類的保護膜11，之后淀積一層定向?qū)?圖中未示出)。在圖3(j)的工序中，由于半導(dǎo)體層5上有溝道防護絕緣層6，所以半導(dǎo)體層5不受腐蝕。圖4為本發(fā)明已完成的液晶顯示單元的第二實施例的結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖。由于為了防止在TFT1截止期間于源電極7和漏電極8之間產(chǎn)生漏電流必須至少在一個地方切斷漏電流的通路，在第二實施例中，絕緣層6形成在漏電極8和半導(dǎo)體層5之間，并蓋住TFT1的一個電極(例如覆蓋住半導(dǎo)體層5的漏電極8)的所有邊緣81、82和83一段距離D，此距離大于空穴-電子復(fù)合距離。圖4使用了和圖1相同的參考標號。當光在TFT1截止期間沿箭頭15的方向照射時，在靠近漏電極8的半導(dǎo)體層5的區(qū)域12、13和14中產(chǎn)生空穴和電子，這些區(qū)域未被光屏蔽漏電極8所覆蓋?？昭ê碗娮酉蚵╇姌O8和半導(dǎo)體層5之間的連接區(qū)域移動。
然而，由于在半導(dǎo)體層5和漏電極8之間形成了絕緣層6，該絕緣層覆蓋住連接區(qū)域和區(qū)域12、13和14之間的一段距離D，所以空穴和電子在距離D內(nèi)被復(fù)合而到達不了漏電極8，因此不產(chǎn)生漏電流。
下面，結(jié)合圖3敘述制造第二實施例的結(jié)構(gòu)的工序過程。
在圖3的工序(a)中，在玻璃基片2上淀積鉬/鉭(Mo/Ta)，并利用一掩模按圖4所示的柵極線和柵電極3的形狀形成柵極線和柵極3。在圖3的工序(b)中，在整個表面上淀積一柵絕緣層(氧化物膜)4、一本征非晶硅(i/a-Si)半導(dǎo)體層5和一溝道防護絕緣層(氮化物膜)6。在工序(c)，用掩模按圖4所示的絕緣層6的形狀腐蝕該絕緣層，從而形成圖4所示的溝道防護絕緣層6。在該絕緣層6上形成一開孔用于電連接漏電極8和半導(dǎo)體層5。沿圖4的A-A線和B-B線所取的截面圖中表示出了這個開孔的橫截面。在工序(d)，淀積一層N+非晶硅層9。
在工序(e)，用圖6中粗線所示的掩模60腐蝕形成N+非晶硅層9和半導(dǎo)體層5。非晶硅層9按掩模60的形狀腐蝕。不過，由于在半導(dǎo)體層5上有溝道防護絕緣層6起作掩模的作用，半導(dǎo)體層5被腐蝕成圖6所示的形狀。掩模60的邊緣61必須不超過溝道防護絕緣層6的邊緣62。如果邊緣61超過62，就會在漏電極8的邊緣形成從半導(dǎo)體層5經(jīng)N+非晶硅層9到漏電極8的導(dǎo)電通路，這樣就造成了漏電流的通路。
在工序(f)，在整個表面淀積ITO(氧化銦錫)，一種透明顯示電極材料，在工序(g)，利用一掩模進行腐蝕來形成顯示電極10。在工序(h)，淀積鋁。在工序(i)，用一掩模按圖4所示的漏電極8和源電極7的形狀腐蝕鋁，從而形成源電極7和漏電極8。在工序(j)，利用漏電極8和源電極7作為掩模腐蝕未被其覆蓋住的N+非晶硅層9和半導(dǎo)體層5。然后，淀積一層氮化物膜之類的保護膜11，并淀積一定向?qū)?圖中未示出)。
第二實施例的源電極可以用透明材料(例如ITO等)形成。這種情況下，源電極7在工序(g)中與顯示電極10一起形成。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是由于增加了顯示區(qū)域的大小而改善了開孔比(apertureratio)。
可以理解，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于具有一反射板(而不是光源)的反射型有源矩陣液晶顯示器件。
在圖3的工序(j)中，從TFT的溝道區(qū)域除去N+非晶硅層后，本發(fā)明的絕緣層6不僅使起溝道作用的半導(dǎo)體層5不受腐蝕，還防止了由于入射光產(chǎn)生的空穴和電子所造成的漏電流。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管(TFT)，包括一形成在透明絕緣襯底上的光屏蔽柵電極、形成在該柵電極上的柵絕緣層、形成在該柵絕緣層上的半導(dǎo)體和與所述半導(dǎo)體層相連以限定出一溝道區(qū)域的光屏蔽源電極和光屏蔽漏電極，其特征在于在所述源和漏電極之一與所述半導(dǎo)體層之間形成一絕緣層，該絕緣層超出覆蓋著所述半導(dǎo)體層的所述源和漏電極中至少一個電極的所有邊緣一段距離D，該距離D大于空穴--電子復(fù)合距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其特征在于所述絕緣層延伸到所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。
3.一種薄膜晶體管，包括一形成在透明絕緣襯底上的光屏蔽柵電極、形成在該柵電極上的柵絕緣層、形成在該柵絕緣層上的半導(dǎo)體層和與所述半導(dǎo)體層相連以限定出一溝道區(qū)域的光屏蔽源電極和光屏蔽漏電極，其特征在于在所述源電極和漏電源與所述半導(dǎo)體層之間形成一絕緣層，該絕緣層超出覆蓋著所述半導(dǎo)體層的所述源電極和漏電極的所有邊緣一段距離，該距離大于空穴-電子的復(fù)合距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的薄膜晶體管，其特征在于所述絕緣層延伸到所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域。
5.一種有源矩陣液晶顯示器件，其特征在于包括一第一透明絕緣襯底，具有多根沿第一方向設(shè)置的柵極線、沿與所述第一方向交叉的方向設(shè)置的多根信號線，和連接到所述柵極線和信號線的各交叉點的薄膜晶體管和顯示電極;一第二透明絕緣襯底，具有一公共電極;保留在所述第一和第二透明絕緣襯底之間的液晶材料;與所述柵極線相連、用于向所述柵極線加?xùn)艠O信號的裝置;與所述信號線相連，用于向所述信號線加數(shù)據(jù)信號的裝置;其中，所述薄膜晶體管包括一形成在所述第一透明絕緣襯底上的光屏蔽柵電極、形成在柵電極上的柵絕緣層、形成在柵絕緣層上的半導(dǎo)體層，和與所述半導(dǎo)體層相連以限定出溝道區(qū)域的光屏蔽源電極和光屏蔽漏電極;一絕緣層形成在所述源電極和漏電極之中的一個電極與所述半導(dǎo)體層之間、超出覆蓋住所述半導(dǎo)體層的所述源電極和漏電極中至少一個電極的所有邊緣一段距離，該距離大于空穴-電子復(fù)合距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的有源矩陣液晶顯示器件，其特征在于所述絕緣層延伸到所述半導(dǎo)體層溝道區(qū)域上。
7.一種有源矩陣液晶顯示器件，其特征在于包括一第一透明絕緣襯底，具有多根沿第一方向設(shè)置的柵極線、沿與所述第一方向交叉的方向設(shè)置的多根信號線，和連接到所述柵極線和信號線的各交叉點的薄膜晶體管和顯示電極;一第二透明絕緣襯底，具有一公共電極;保留在所述第一和第二透明絕緣襯底之間的液晶材料;與所述柵極線相連、用于向所述柵極線加?xùn)艠O信號的裝置;與所述信號線相連，用于向所述信號線加數(shù)據(jù)信號的裝置;其中，所述薄膜晶體管包括一形成在所述第一透明絕緣襯底上的光屏蔽柵電極、形成在柵電極上的柵絕緣層、形成在柵絕緣層上的半導(dǎo)體層，和與所述半導(dǎo)體層相連以限定出溝道區(qū)域的光屏蔽源電極和光屏蔽漏電極;一絕緣層形成在所述源電極和漏電極與所述半導(dǎo)體層之間、超出覆蓋住所述半導(dǎo)體層的所述源電極和漏電極的所有邊緣一段距離，該距離大于空穴-電子復(fù)合距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的有源矩陣液晶顯示器件，其特征在于所述絕緣層延伸到所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防止由于進入形成一溝道的半導(dǎo)體層的入射光引起的漏電流的薄膜晶體管。其中一絕緣層形成在源電極或漏電極中之一與半導(dǎo)體層之間，超出該TFT的源電極和漏電極中至少一個電極覆蓋住半導(dǎo)體層的所有邊緣一段距離，該距離大于空穴一電子復(fù)合距離。
文檔編號H01L29/786GK1081023SQ9310568
公開日1994年1月19日 申請日期1993年5月7日 優(yōu)先權(quán)日1992年6月9日
發(fā)明者吉田俊彥, 喔美正和, 松本健 申請人:國際商業(yè)機器公司