專利名稱：同軸式終端大功率電阻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種超導(dǎo)熱超高頻電阻片，緊貼在帶散熱片的同軸波導(dǎo)腔內(nèi)的同軸式終端大功率電阻裝置。
波導(dǎo)腔內(nèi)用的電阻體是以氧化鋁介質(zhì)材料作基體；用氯化錫溶液在800℃高溫下噴涂而制成箔膜電阻層，用電鍍法在電阻體兩端涂覆電極。但這一工藝過程有這樣的問題，往往電阻體一端與波導(dǎo)腔壁緊貼著，而其余部位與波導(dǎo)腔壁之間的間隙，均按指數(shù)遞增高達(dá)30厘米。這樣常常影響電阻體的比功率指標(biāo)。
為解決這個(gè)問題，通常的做法是擴(kuò)大電阻體的表面尺寸，或注入冷卻介質(zhì)油。這對額定功率不超過100瓦、使用頻率范圍在40－250MHZ及450－880MHZ的裝置來說就能有效地實(shí)現(xiàn)。但對于0－1000MHZ米波和分米波通用的裝置來說，很難實(shí)施這一方案。因?yàn)閿U(kuò)大電阻體表面尺寸或注入冷卻介質(zhì)油，一方面要求機(jī)械結(jié)構(gòu)和材料加工上可行，另一方面由于裝置常常在不同溫度和不同頻率下工作，要求實(shí)現(xiàn)電阻體和冷卻介質(zhì)產(chǎn)生的高頻電參量和裝置的使用頻率特性同步，將會發(fā)生很大困難。
本實(shí)用新型的目的是要提供一種不必?cái)U(kuò)大電阻體和注入冷卻介質(zhì)的新型同軸式終端大功率電阻裝置，它能有效地在保證額定功率的前題下，防止因電阻體和冷卻介質(zhì)而影響使用頻率的部分。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的該裝置有一個(gè)指數(shù)式的同軸波導(dǎo)腔，其特征在于在同軸波導(dǎo)腔內(nèi)緊貼著超導(dǎo)熱電阻片，該電阻片與散熱片緊密相接。在超導(dǎo)熱鈹瓷片正面中央及兩端區(qū)域，分別用電阻漿料和導(dǎo)電漿料，按特定的絲網(wǎng)印刷工藝印制電阻帶和導(dǎo)電帶，并在高溫840℃下焙燒制成電阻片。電阻片正面緊貼在特定的同軸波導(dǎo)腔內(nèi)，使導(dǎo)電帶一端與同軸內(nèi)芯相接，導(dǎo)電帶另一端通過同軸波導(dǎo)腔接地。電阻片的反面緊貼在散熱片上。當(dāng)高頻信號從同軸端輸入時(shí)，在電阻片上產(chǎn)生的熱容量，立即穿過電阻基片傳導(dǎo)至散熱片表面，從而實(shí)現(xiàn)了不擴(kuò)大電阻片的尺寸和注入冷卻介質(zhì)的條件下，大大提高了裝置的比功率。與此同時(shí)，通過控制電阻片對地的高頻分布電參量的大小，有效地改善了裝置的高頻頻率特性。
本實(shí)用新型因?yàn)橹恍枰醚趸旊娮杵嫜趸X電阻體，所以結(jié)構(gòu)特別簡單不需鼓風(fēng)機(jī)和冷卻介質(zhì)。同時(shí)由于著眼點(diǎn)不在于阻止電阻體和冷卻介質(zhì)所產(chǎn)生的高頻分布電參量，所以它對結(jié)構(gòu)尺寸的精度及裝置的安裝方式，沒有任何特殊要求。另外由于電阻片緊貼在散熱片上，所以裝置的比功率從原有的0.43W／cm2提高到25.63W／cm2，以及使用頻率從原有44MHZ－250MHZ及440MHZ－880MHZ范圍擴(kuò)展到0－1000MHZ任意頻段，電壓駐波不大于1.1達(dá)到國外同類產(chǎn)品的指標(biāo)。
本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)由以下的實(shí)施例及附圖給出。


圖1是根據(jù)本發(fā)明提出的同軸式終端大功率電阻裝置的剖面圖。
下面結(jié)合圖1詳細(xì)說明依據(jù)本發(fā)明提出的具體裝置的細(xì)節(jié)及工作情況。
該裝置包括一個(gè)裝置主體4，主體內(nèi)有一個(gè)指數(shù)式波導(dǎo)腔1，它經(jīng)一個(gè)電阻片5的反面與散熱片6相通，波導(dǎo)腔左側(cè)有一個(gè)同軸頭2，它的內(nèi)芯沿通道3與電阻片的導(dǎo)電帶一端相觸，電阻片的導(dǎo)電帶的另一端經(jīng)波導(dǎo)腔接地。
高頻信號從同軸頭2輸入被電阻片5的電阻帶全部吸收，其產(chǎn)生的熱容量穿過電阻片傳至散熱片。通道3有一個(gè)階梯臺階，這階梯深度是指數(shù)變化的，最大深度為12毫米。最小深度為0.8毫米。電阻片的最好尺寸為45.9×25.5×7毫米，并與散熱片的接觸凹凸而不能超過0.02毫米。
權(quán)利要求1.一種同軸式終端大功率電阻裝置，該裝置有一個(gè)指數(shù)式的同軸波導(dǎo)腔(1)，其特征在于在同軸波導(dǎo)腔內(nèi)緊貼著超導(dǎo)熱電阻片(5)，電阻片(5)與散熱片(6)緊密相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是電阻片(5)的導(dǎo)電帶與同軸頭(2)的內(nèi)芯接觸，它的導(dǎo)電帶的另一端經(jīng)波導(dǎo)腔接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是電阻片(5)與散熱片(6)的接觸凹凸面不能超過0.02毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征是波導(dǎo)腔的階梯臺階深度是指數(shù)變化的，最大深度為12毫米，最小深度為0.8毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4所述的裝置，其特征是電阻片(5)的尺寸為45.9×25.5×7(毫米)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種同軸式終端大功率電阻裝置，該裝置有一個(gè)指數(shù)式的同軸波導(dǎo)腔1，在同軸波導(dǎo)腔內(nèi)緊貼著超導(dǎo)熱超高頻電阻片5，電阻片與散熱片6緊密相連。電阻片的導(dǎo)電帶與同軸頭2的內(nèi)芯接觸，另一端經(jīng)波導(dǎo)腔接地。該裝置用氧化鈹電阻片代替氧化鋁電阻體，不需要鼓風(fēng)機(jī)和冷卻介質(zhì)，其結(jié)構(gòu)簡單，制作容易。
文檔編號H01P1/24GK2151541SQ9320317
公開日1993年12月29日 申請日期1993年2月18日 優(yōu)先權(quán)日1993年2月18日
發(fā)明者李新坤 申請人:李新坤