專利名稱：聚偏氟乙烯壓電薄膜的制備方法
技術領域：
本發(fā)明屬于聚偏氟乙烯壓電薄膜的制備方法。
聚偏氟乙烯壓電薄膜在航天、電子、醫(yī)療、傳感器等行業(yè)得到廣泛應用，它與陶瓷壓電材料相比具有柔軟，可制成大面積傳感器和換能器的特點，因此受到人們的廣泛重視。-1985年彭建幫等人在中國科技大學學報第15卷第二期上公開的“γ晶型轉變?yōu)棣戮偷木燮蚁┑膲弘娦浴毖芯恐?，壓電薄膜的制備方法采用聚偏氟乙烯樹脂，用二甲酰胺丙酮溶液在平板玻璃上成膜，在電子拉力機上拉伸，在硅油中進行極化，用EVA膠將鋁箔貼在表面形成電極。由于在玻璃基板上采用溶液成膜，不利于大規(guī)模生產，在硅油中極化需增加清洗工序，用膠粘接電極，使膜接觸電阻大。
本發(fā)明的目的是提供一種采用聚偏氟乙烯樹脂為原料，擠出成膜，在拉伸機上拉伸，再進行鍍膜，極化的聚偏氟乙烯壓電薄膜的制備方法。
本發(fā)明采用聚偏氟乙烯樹脂作原料，在擠出機頭上210℃溫度進行擠出成膜，再進行拉伸，拉伸比為3.5～5.5倍，拉伸溫度80～100℃，所拉膜寬150mm，厚10μm～200μm，切成片狀，將薄膜纏繞在輥上，在60-100℃溫度下熱處理30分鐘冷卻，將薄膜卷蓋在鍍膜機的真空室內轉動輥上，用兩條膠帶或兩條金屬箍，將薄膜邊緣遮蓋5～10mm，之后，首先進行輝光放電一分鐘，然后鍍鋁電極，將鍍好的薄膜繃緊夾在一個支架的兩個夾子上，放入保溫室中在60～90℃加高壓直流電壓2000～4000V/cm，制得壓電參數d33值達10～34的聚偏氟乙烯壓電薄膜。
本發(fā)明由于采用擠出機擠出成膜，有利于大規(guī)模生產，極化直接在保溫室中進行，工藝簡單，用膠帶或金屬箍將薄膜邊緣遮蓋住后鍍膜，再進行極化提高了薄膜的耐擊穿電壓。減少了腐蝕去邊電極，減少了工序、不在硅油中極化，減少了污染，可大規(guī)模生產，壓電常數提高。
本發(fā)明提供的實施例如下實施例1將粒狀樹脂在機頭溫度210℃擠出成膜，在80℃拉伸3.5倍，得厚度為10μm厚的薄膜，在60℃下熱處理30分鐘，壓邊，在10-5真空度下鍍鋁電極。在80℃溫度下，在2000V/cm直流電壓下極化得到的壓電薄膜壓電參數d33為10。
實施例2將粒狀聚偏氟乙烯樹脂，在機頭溫度210℃擠出成膜在90℃下拉伸5.5倍，得厚度120μm薄膜，切片，再在100℃，放置28分鐘進行熱處理之后冷卻，在真空室中壓邊，在10-5真空度下鍍鋁電極，在70℃溫度下，在4000伏/cm直流電壓下極化后取出，測壓電d33參數為31。
實施例3將粒狀樹脂在機頭溫度210℃下擠出成膜，在100℃下進行拉伸4.2倍，得膜厚200μm，在96℃下熱處理30分鐘，在鍍膜室中包邊，在10-5真空度下首先輝光放電1分鐘，然后鍍鋁電極，在90℃溫度下，在3000V/cm直流電壓下通電30分鐘之后，取出測壓電參數d33＝20。
實施例4將粒狀聚偏氟乙烯樹脂，在機頭溫度210℃擠出成膜在85℃下拉伸4倍，得厚度90μm薄膜，切片，再在100℃，放置30分鐘進行熱處理之后冷卻，在真空室中壓邊，在10-5真空度下鍍鋁電極，在60℃溫度下，在4000伏/cm直流電壓下極化后取出，測壓電d33參數為34。
權利要求
1.一種聚偏氟乙烯壓電薄膜的制備方法，其特征在于采用聚偏氟乙烯樹脂作原料，在擠出機頭上210℃溫度進行擠出成膜，再進行拉伸，拉伸比為3.5～5.5倍，拉伸溫度80～100℃，所拉膜寬150mm，厚10μm～200μm，切成片狀，將薄膜纏繞在輥上，在60-100℃溫度下熱處理30分鐘冷卻，將薄膜卷蓋在鍍膜機的真空室內轉動輥上，用兩條膠帶或兩條金屬箍，將薄膜邊緣遮蓋5～10mm，之后，首先進行輝光放電一分鐘，然后鍍鋁電極，將鍍好的薄膜繃緊夾在一個支架的兩個夾子上，放入保溫室中，在60～90℃加高壓直流電壓2000～4000V/cm，制得壓電參數d33值達10～34的聚偏氟乙烯壓電薄膜。
全文摘要
本發(fā)明屬于聚偏氟乙烯壓電薄膜的制備方法。本發(fā)明采用聚偏氟乙烯樹脂為原料,擠出成膜,在拉伸機上拉伸,之后熱處理,在真空室中鍍鋁電極,極化直接在保溫室中進行,最后制得壓電參數d
文檔編號H01L41/26GK1187045SQ96118958
公開日1998年7月8日 申請日期1996年12月31日 優(yōu)先權日1996年12月31日
發(fā)明者劉雅言 申請人:中國科學院長春應用化學研究所