專利名稱：半導體芯片封裝及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體芯片封裝，特別涉及一種新型半導體芯片封裝及其制造方法，用這種封裝容易縱向和橫向堆疊封裝，用于減小安裝面積，增加單位安裝面積的集成容量。
按安裝類型劃分，半導體芯片封裝一般有插孔安裝型半導體芯片封裝和表面安裝型半導體芯片封裝。插孔安裝型半導體芯片封裝中，封裝的外引線插在形成于互連基板的孔中，然后焊接，這類中典型的有DIP(雙列直插式封裝)、SIP(單列直插式封裝)、PGA(網(wǎng)格插針陣列)等等。表面安裝型半導體芯片封裝中，封裝安裝于互連基板的表面上，這類中典型的有SOP(小外廓封裝)、SOJ(小外廓J型引線封裝)、QFP(方形扁平封裝)等等。
然而，這些常規(guī)半導體芯片封裝中，DIP、SOP和SOJ芯片封裝的缺點在于，由于它們的結構是外引線從封裝管殼的兩側突出來，所以需要很大的安裝面積，且無法進行堆疊。即，由于在互連基板上安裝半導體芯片封裝時，從封裝管殼兩側突出的所有引線皆應與互連基板上的連接焊盤8接觸，所以需要較大的安裝面積，且無法縱向和橫向堆疊封裝，因而除非所用安裝面積較大，否則DIP、SOP和SOJ型半導體芯片封裝在提供已安裝封裝的較高整體器件封裝密度方面存在局限性。而且，由于封裝工藝需要許多步驟，例如修整引線框的阻攔條和支撐條的步驟、將外引線彎曲成所需形狀的成形步驟，所以存在許多如降低生產(chǎn)率等的問題。
因此，本發(fā)明旨在提供一種半導體芯片封裝及其制造方法，基本上能解決現(xiàn)有技術的局限和缺點造成的一個或多個問題。
本發(fā)明的其它特點和優(yōu)點如說明書所述，或可從說明書中顯現(xiàn)出，或可以通過實施本發(fā)明獲知。特別是書面說明和權利要求書及附圖中指出的結構將會實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，正如所概述和概要說明的那樣，該半導體芯片封裝包括具有參考表面的矩形半導體芯片，參考表面上有形成于其上的電路和數(shù)個焊盤；封裝管座，該管座包括用于設置半導體芯片的凹腔、和數(shù)個臺階狀條柵，每個條柵皆具有位于臺階狀切槽之間的第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū)，所述切槽在寬度方向沿凹腔較長一側形成；貼在每個切槽中的導電部件，所述切槽位于臺階狀條柵的相鄰第一區(qū)之間；連接部件，每個皆用于電連接半導體芯片上的焊盤和一個導電部件；密封部件，用于密封半導體芯片和連接部件之間及導電部件和連接部件之間的接觸部分。
本發(fā)明的另一方案，提供一種制造半導體芯片封裝的方法，該方法包括以下步驟形成封裝管座，該管座具有數(shù)個臺階狀條柵，每個條柵限定成具有在相鄰的臺階狀切槽之間的第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū)，數(shù)個臺階狀條柵由其中放置半導體芯片的凹腔及數(shù)個臺階狀切槽界定，所述切槽在寬度方向沿凹腔的較長邊形成；在每個切槽中貼附導電部件，所述切槽位于封裝管座的數(shù)個臺階狀條柵的相鄰第一區(qū)之間；在封裝管座上形成凹腔，該凹腔用于安置半導體芯片，半導體芯片上有形成于其上的數(shù)個焊盤；把半導體芯片置于凹腔中；借助連接部件分別電連接半導體芯片上的數(shù)個焊盤至數(shù)個導電部件；及密封半導體芯片與連接部件之間及導電部件與連接部件之間的接觸部分。
應該明白，上述的概括說明和以下的詳細說明皆是例證性和說明性的，旨在對所申請的發(fā)明作進一步地說明。
各附圖與說明書結合并構成說明書的一部分，它們示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體芯片封裝的局部切除透視圖；圖2是沿圖1中I-I線的半導體芯片封裝的縱向剖視圖；圖3是制造圖2所示封裝管座的管座架(body frame)的透視圖；圖4示出了有導電部件貼于其上的圖3所示管座架；圖5是將圖4所示管座架切片所得的單元封裝管座的透視圖；圖6是帶有凹腔的圖5所示單元封裝管座的透視圖，所述凹腔用于安裝所形成的半導體芯片；圖7是沿圖6中II-II線的縱剖圖；圖8是帶有安置于凹腔中的半導體芯片的圖6所示單元封裝管座的透視圖9是沿圖8中III-III線的縱向剖視圖；圖10是帶有置于凹腔中的半導體芯片及與連接部件相連的導電部件的圖8所示單元封裝管座的透視圖；圖11是沿圖10中IV-IV線的縱向剖視圖；圖12是連接部件與凹腔鍵合且該凹腔被密封半導體芯片和連接部件的密封部件填充后，圖10所示單元封裝管座的外觀的透視圖；圖13沿圖12中V-V線的縱向剖視圖；圖14是橫向堆疊的本發(fā)明半導體芯片封裝的透視圖；圖15是沿圖14中VI-VI線的縱向剖視圖；圖16是縱向堆疊的本發(fā)明半導體芯片封裝的透視圖；圖17是縱向及橫向堆疊的本發(fā)明半導體芯片封裝的透視圖；圖18A和18B分別是常規(guī)半導體芯片封裝的平面圖和本發(fā)明半導體芯片封裝的平面圖，用于比較這兩種封裝的安裝情況，其中圖18A是帶有如虛線所示安裝于安裝板焊盤上的常規(guī)半導體芯片封裝的安裝板的平面圖；圖18B是帶有如虛線所示安裝于安裝板焊盤上的本發(fā)明半導體芯片封裝的安裝板的平面圖，該安裝板等同于圖18A的安裝板。
下面結合示于附圖的實例詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體芯片封裝的局部切除透視圖，圖2是沿圖1中I-I線的半導體芯片封裝的縱向剖視圖。
參照圖1和2，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體芯片封裝包括有參考面的矩形半導體芯片2，參考面上有形成于其上的電路及焊盤；具有凹腔3a和數(shù)個臺階狀條柵3c的封裝管座3，所述凹腔3a中置有半導體芯片2，每一條柵皆具有位于相鄰臺階狀切槽3b之間的第一區(qū)3c-1及從第一區(qū)3c-1延伸的第二區(qū)3c-2，所述切槽3b在封裝管座3的長側形成；插進位于每個臺階狀條柵3c的相鄰第一區(qū)3c-1之間的切槽3b中，并貼著該切槽一側的導電部件4；連接部件5，用于連接一個設于半導體芯片2上的焊盤1與一個導電部件4；及密封半導體芯片2和連接部件5之間及導電部件4和連接部件5之間的接觸部分的密封部件6。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體芯片封裝可以安裝在安裝板7上，半導體芯片封裝中的導電部件4與安裝板7上的焊盤8借助如焊料9等導電材料連接，為防止半導體芯片封裝移動，可以在封裝管座3和安裝板7之間設置粘結部件10。貼在位于相鄰臺階狀切槽3b之間的條柵3c一側的每個導電部件4延伸到凹腔3a中，導電部件4有一個臺階面4a、暴露于封裝上表面的上表面4b、及暴露于封裝底部的底表面4c，其中與半導體芯片2上的焊盤1連接的金屬連線即連接部件5連接到臺階面4a上，每個條柵3c中相鄰第一區(qū)3c-1之間的間隔小于從第一區(qū)3c-1延伸的相鄰第二區(qū)3c-2之間的間隔。導電部件4可以是金屬，如鋁或銅合金。
下面將結合圖14和15說明本發(fā)明的第二實施例。
使每個導電部件4A皆貼在每個臺階狀條柵3Ac中第二區(qū)3Ac-2和鄰近的第一區(qū)3Ac-1之間的切槽3Ab中，并延伸到第二區(qū)3Ac-2，將它插進并嵌入相反地形成左右側的第二封裝的切槽中，從而橫向連接半導體芯片封裝，由此，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的橫向堆疊型半導體芯片封裝可以減小安裝面積。嵌入的第二區(qū)3Ac-2和3Bc-2用作防止一對彼此接觸的導電部件4A和4B與另一對彼此接觸的導電部件4A和4B接觸的屏障。即，貼有導電部件4A的第一封裝管座3A的第二區(qū)3Ac-2插進并嵌入相鄰兩貼有導電部件4B的第二封裝管座3B的第二區(qū)3Bc-2之間的切槽3Bb中，第一封裝管座3A的導電部件4A與第二封裝管座3B的導電部件4B相互面對，并緊緊貼在一起，形成彼此間的電連接，第一封裝管座3A的第二區(qū)3Ac-2和第二封裝管座3B的第二區(qū)3Bc-2用作防止每對彼此面對且連接的導電部件4A和4B與相鄰的導電部件及彼此嚙合的兩封裝接觸的屏障。
圖14是橫向堆疊的本發(fā)明半導體芯片封裝的透視圖。圖15是沿圖14中VI-VI線的縱向剖視圖，圖示了第一和第二封裝管座3A和3B的凹槽3Aa和3Ba中設置的各半導體芯片2A和2B上的每個焊盤1A和1B，通過作為連接部件5A和5B的金屬連線，分別連接到導電部件4A和4B的臺面4Aa和4Ba上，如圖14所示，導電部件4A和4B彼此嚙合并連接，然后兩個半導體芯片封裝可以安裝在安裝板7上，焊接到焊盤8上，如圖15所示。這種情況下，由于第一和第二封裝管座3A和3B靠導電部件4A和4B的嚙合彼此連接，所以他們可以傳遞電信號，由于導電材料的焊料9使安裝板7上的焊盤8與導電部件4A和4B的底部4Ac和4Bc互連，所以當兩個封裝管座3A和3B安裝于安裝板7上時，它們間形成電連接，因而，導電部件4A和4B的表面可以不必緊密接觸。另外，在連接兩個封裝的導電部件4A和4B時，可以用導電材料的焊料9連接彼此面對的兩封裝中的導電部件4A和4B。
圖16是縱向堆疊的本發(fā)明半導體芯片封裝的第三實施例的透視圖，該圖示出了第一封裝的導電部件4A的底部4Ac安裝在安裝板7上的焊盤8上，第一封裝的封裝管座3A靠粘結劑11粘接于安裝板7上，焊料9把第二封裝的導電部件4B的底部4Bc焊接于底層第一封裝的導電部件4A上表面4Ab上，從而縱向堆疊各封裝，使安裝面積減小。這種情況下，第三封裝可以堆疊于第二封裝管座3B上等等。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體芯片封裝的剖面圖，其中，已如圖14所示橫向堆疊的橫向堆疊型半導體芯片封裝做縱向堆疊，重復以下一系列步驟按需要堆疊封裝，也可以減小安裝面積，所述一系列步驟包括由焊料9把圖14所示的橫向堆疊的導電部件4A和4B的底部4Ac和4Bc焊接在安裝板7上的焊盤8上，用粘結部件11把連接的封裝管座3A和3B的兩側粘接在安裝板7上；用焊料9把橫向堆疊的另一導電部件4C和4D的底部4Cc和4Dc焊接在已用焊料9安裝的底層封裝的導電部件4A和4B的上表面4Ab和4Bb上，用粘結部件11把已連接的封裝管座3C和3D的兩側粘接在底層封裝管座3A和3B上。
下面結合圖3-12說明根據(jù)本發(fā)明的制造半導體芯片封裝的方法。
參照圖3，管座體架12由環(huán)氧樹脂模制化合物制成，這是一種絕緣材料，管座體架包括數(shù)個臺階狀條柵3c，每個條柵皆具有第一區(qū)3c-1和從第一區(qū)3c-1延伸的第二區(qū)3c-2。管座體架最好通過澆鑄由如塑料或陶瓷等絕緣材料形成。
參照圖4，在形成管座體架12后，把用作常規(guī)半導體芯片封裝外引線的導電部件貼在每個形成于條柵3c的相鄰第一區(qū)3c-1之間的切槽3b中，條柵3c在管座體架12表面沿縱向形成。
參照圖5，在貼附了導電部件4后，以一定寬度垂直于切槽3b方向把管座體架1 2切片，從而獲得數(shù)個封裝管座3。
這樣，便可容易地形成帶有用作常規(guī)半導體芯片封裝外引線的導電部件4的封裝管座3。這種情況下，導電部件4和面對導電部件4的條柵3c的第二區(qū)3c-2之間的間隔大于導電部件4的厚度，最好等于或大于導電部件4和第二區(qū)3c-2的總寬度。
參照圖6，在以一定寬度垂直于切槽3b方向把管座體架12切片后，為了把封裝管座3形成安裝半導體芯片2所需的形狀，要研磨封裝管座3的上表面4b，形成凹腔3a，導電部件4的前端位于凹腔3a區(qū)域內，該前端具有容易與半導體芯片上的焊盤連接的臺面4a。此時，封裝管座3的導電部件4之間的區(qū)域和導電部件4一起被研磨，以形成相同的臺面。
另外，在以一定寬度垂直于切槽3b方向把管座體架12切片形成封裝管座3后，管座3具有如圖3所示的臺階狀條柵3c，研磨具有臺階狀條柵件3c的封裝管座3上表面4b，形成凹槽3a，有臺階狀表面4a的導電部件4貼在相鄰條柵3c之間的切槽3b中，條柵3c把臺階狀表面4a置于凹腔3a內。即，在研磨還沒有貼在其上的導電部件4但有臺階狀條柵3c的封裝管座3的上表面以形成凹腔3a后，把具有臺階狀表面4a的導電部件4A貼在條柵3c上。
圖7是沿圖6中II-II線的縱向剖面視圖，該圖示出了暴露于封裝管座3的上下表面的導電部件4之上表面4b和底面4c。圖8是帶有設置于凹腔中的半導體芯片的圖6所示單元封裝管座的透視圖，圖9是沿圖8中III-III線的縱向剖視圖，圖10是帶有置于凹腔中的半導體芯片及與連接部件相連的導電部件的圖8所示單元封裝管座的透視圖，圖中半導體芯片2上的每個焊盤1借助如金屬連線等連接部件5與導電部件4前端的一個臺面4a連接。半導體芯片2上的焊盤1沿半導體芯片2的一側平行于半導體芯片2的縱向形成，另外，與圖8所示不同，半導體芯片2上的每個焊盤1可以不用金屬連線而直接用凸點等導電材料與臺面4a連接。導電部件4由金屬制成，如鋁或銅合金。
圖11是沿圖10中IV-IV線的縱向剖視圖，在引線鍵合或凸點連接后，用密封部件6密封半導體芯片2和金屬連線或凸點這樣的連接部件5，從而完成本發(fā)明的半導體芯片封裝。圖13是沿圖12中V-V線的縱向剖視圖。
圖18A是用于安裝常規(guī)半導體芯片封裝的72針存儲組件的焊盤8的平面圖，圖18B是用于安裝本發(fā)明半導體芯片封裝的72針存儲組件的焊盤8的平面圖，由這些圖可知，由于本發(fā)明的半導體芯片封裝可以在一排焊盤上同時安裝兩個封裝，而常規(guī)半導體芯片封裝只能安裝于兩排焊盤8上，所以本發(fā)明的半導體芯片封裝可以極大的提高單位安裝板7面積的安裝效率。
如上所述，由于本發(fā)明的半導體芯片封裝容易橫向和縱向堆疊，所以，因減小了安裝面積容易提供更大的容量，因而可以減小安裝面積。即，由于從結構特征上看本發(fā)明的半導體芯片封裝沒有突出于封裝外的引線，所以可以形成一種新型電連接，可以制造更輕、更薄、更短、更小的器件。
由于從結構特征上看本發(fā)明的半導體芯片封裝沒有突出于封裝外的引線，所以可以省去有突出于封裝外的引線時所需的修整/成形步驟，因而由于簡化了半導體芯片封裝工藝，可以提高生產(chǎn)率和產(chǎn)量。
顯然，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明的半導體芯片封裝及其制造方法做出各種改型和變化。本發(fā)明包含發(fā)明的所有改型和變化，這些改型的變化皆落在權利要求書及其延伸的范圍內。
權利要求
1.一種半導體芯片封裝，該封裝包括具有參考表面的矩形半導體芯片，參考表面上有形成于其上的電路和數(shù)個焊盤；封裝管座，該管座包括用于在其上設置半導體芯片的凹腔、和數(shù)個臺階狀條柵，每個條柵皆具有位于臺階狀切槽之間的第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū)，所述切槽在寬度方向沿凹腔較長一側形成；貼在每個切槽中的導電部件，所述切槽在臺階狀條柵的相鄰第一區(qū)之間；連接部件，每個皆用于電連接半導體芯片上的焊盤和一個導電部件；密封部件，用于密封半導體芯片和連接部件之間及導電部件和連接部件之間的接觸部分。
2.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，封裝管座由絕緣材料制成。
3.根據(jù)權利要求2的半導體芯片封裝，其中，絕緣材料是環(huán)氧樹脂模制化合物。
4.根據(jù)權利要求2的半導體芯片封裝，其中，絕緣材料是塑料。
5.根據(jù)權利要求2的半導體芯片封裝，其中，絕緣材料是陶瓷。
6.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，導電部件和面對導電部件的臺階狀條柵的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件的厚度。
7.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，導電部件和面對導電部件的臺階狀條柵的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件和第二區(qū)的總厚度。
8.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，導電部件借助連接部件與半導體芯片上的焊盤電連接。
9.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，導電部件由金屬制成。
10.根據(jù)權利要求9的半導體芯片封裝，其中，所述金屬是鋁。
11.根據(jù)權利要求9的半導體芯片封裝，其中，所述金屬銅合金。
12.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，導電部件有暴露于空氣的上表面、下底面和沿封裝管座的臺階狀切槽的側面。
13.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，連接部件是金屬連線。
14.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，連接部件是凸點。
15.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，還包括設置于半導體芯片底部的粘結部件，用于把半導體芯片粘接在凹腔中。
16.根據(jù)權利要求15的半導體芯片封裝，其中，所述粘結部件由環(huán)氧樹脂制成。
17.根據(jù)權利要求15的半導體芯片封裝，其中，所述粘結部件由聚酰亞胺制成。
18.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，密封部件是環(huán)氧樹脂化合物。
19.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，所述焊盤平行于半導體芯片的縱向形成于半導體芯片的一側。
20.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，把每個左右側顛倒形狀的第二封裝管座的導電部件貼在各導電部件上，從而橫向堆疊半導體芯片封裝。
21.根據(jù)權利要求1的半導體芯片封裝，其中，連接導電部件的上表面與左右側相同形狀的第二封裝管座的導電部件的相應底表面，從而縱向堆疊半導體芯片封接。
22.根據(jù)權利要求20的半導體芯片封裝，其中，橫向堆疊的半導體芯片封裝又縱向堆疊。
23.一種制造半導體芯片封裝的方法，該方法包括以下步驟(1)形成封裝管座，該管座具有數(shù)個臺階狀條柵，每個條柵限定成具有第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū)，其中第一區(qū)在相鄰的臺階狀切槽之間，數(shù)個臺階狀條柵由其中放置半導體芯片的凹腔及數(shù)個臺階狀切槽界定，所述切槽在寬度方向沿凹腔的較長邊形成；(2)在每個切槽中貼附導電部件，所述切槽在封裝管座的數(shù)個臺階狀條柵的相鄰第一區(qū)之間；(3)在封裝管座上形成凹腔，該凹腔用于設置半導體芯片，半導體芯片有形成于其上的數(shù)個焊盤；(4)把半導體芯片置于凹腔中；(5)借助連接部件分別電連接半導體芯片上的數(shù)個焊盤與數(shù)個導電部件；及(6)密封半導體芯片與連接部件之間及導電部件與連接部件之間的接觸部分。
24.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，步驟(1)包括以下步驟形成具有數(shù)個臺階狀條柵的六面體封裝管座體架，每個條柵限定成具有第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū)，其中第一區(qū)在相鄰的臺階狀切槽之間，數(shù)個臺階狀條柵由數(shù)個臺階狀切槽界定，每個條柵平行于管座體架寬度方向間隔一定間距形成于管座體架一側，在每個切槽中貼附導電部件，所述切槽在管座體架中數(shù)條條柵的相鄰第一區(qū)之間，及按恒定寬度垂直于切槽方向把具有貼于其上的導電部件的管座體架切片。
25.根據(jù)權利要求23或24的制造半導體芯片封裝的方法，其中，管座體架是絕緣材料制成的。
26.根據(jù)權利要求25的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是環(huán)氧樹脂模制化合物。
27.根據(jù)權利要求25的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是塑料。
28.根據(jù)權利要求25的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是陶瓷。
29.根據(jù)權利要求23或24的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件由金屬制成。
30.根據(jù)權利要求29的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是鋁。
31.根據(jù)權利要求29的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是銅合金。
32.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片借助粘結部件粘接在凹腔中。
33.根據(jù)權利要求32的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述粘結部件由環(huán)氧樹脂制成。
34.根據(jù)權利要求32的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述粘結部件由聚酰亞胺制成。
35.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片有平行于其縱向形成于其一側的數(shù)個焊盤。
36.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件和面對導電部件的條柵中的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件的厚度。
37.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件和面對導電部件的條柵中的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件和第二區(qū)的總厚度。
38.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，凹腔形成于封裝管座中，該凹腔包括條柵中的第一區(qū)和第一區(qū)之間的部分導電部件。
39.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，通過研磨形成所述凹腔。
40.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述導電部件延伸到封裝管座的凹腔內。
41.根據(jù)權利要求40的制造半導體芯片封裝的方法，其中，臺階表面在封裝管座高度向上形成于延伸到凹腔中的導電部件前端。
42.根據(jù)權利要求41的制造半導體芯片封裝的方法，其中，臺階表面借助連接部件與半導體芯片上的焊盤電連接。
43.根據(jù)權利要求43的制造半導體芯片封裝的方法，其中，連接部件是金屬連線。
44.根據(jù)權利要求42的制造半導體芯片封裝的方法，其中，連接部件是凸點。
45.根據(jù)權利要求23的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片和連接部件靠環(huán)氧樹脂膜制化合物密封。
46.一種半導體芯片封裝的方法，該方法包括以下步驟形成具有數(shù)個臺階狀條柵的六面體管座體架，每個條柵平行于管座體架的縱向按一定間距形成于管座體架的一側；沿縱向按一定間距把管座體架切片，從而形成封裝管座；在每個封裝管座中形成凹腔，用于在每個封裝管座上設置其上形成有數(shù)個焊盤的半導體芯片；在每個封裝管座的每個切槽中貼附導電部件，所述切槽在每個封裝管座中相鄰的臺階狀條柵之間；在每個封裝的每個凹腔中設置半導體芯片；借助連接部件分別電連接半導體芯片上的數(shù)個焊盤與數(shù)個導電部件；及用密封部件密封半導體芯片與連接部件之間及導電部件與連接部件之間的接觸部分。
47.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，管座體架是絕緣材料制成的。
48.根據(jù)權利要求47的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是環(huán)氧樹脂模制化合物。
49.根據(jù)權利要求47的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是塑料
50.根據(jù)權利要求47的制造半導體芯片封裝的方法，其中，絕緣材料是陶瓷。
51.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件由金屬制成。
52.根據(jù)權利要求51的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是鋁。
53.根據(jù)權利要求51的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是銅合金。
54.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片借助粘結部件粘接在凹腔中。
55.根據(jù)權利要求54的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述粘結部件由環(huán)氧樹脂制成。
56.根據(jù)權利要求54的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述粘結部件由聚酰亞胺制成。
57.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片有平行于其縱向形成于其一側的數(shù)個焊盤。
58.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件和面對導電部件的條柵中的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件的厚度。
59.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件和面對導電部件的條柵中的第二區(qū)之間的間隔大于導電部件和第二區(qū)的總厚度。
60.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述導電部件延伸到封裝管座的凹腔內。
61.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，臺階表面在封裝管座高度方向上形成于延伸到凹腔中的導電部件前端。
62.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，臺階表面借助連接部件與半導體芯片上的焊盤電連接。
63.根據(jù)權利要求62的制造半導體芯片封裝的方法，其中，連接部件是金屬連線。
64.根據(jù)權利要求62的制造半導體芯片封裝的方法，其中，連接部件是凸點。
65.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，通過研磨形成所述凹腔。
66.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，導電部件由金屬制成。
67.根據(jù)權利要求66的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是鋁。
68.根據(jù)權利要求66的制造半導體芯片封裝的方法，其中，所述金屬是銅合金。
69.根據(jù)權利要求46的制造半導體芯片封裝的方法，其中，半導體芯片和導電部件靠環(huán)氧樹脂模制化合物密封。
全文摘要
一種半導體芯片封裝及制造方法,該半導體芯片封裝包括: 有參考表面的矩形半導體芯片,參考表面上有電路和數(shù)個焊盤;封裝管座,包括放半導體芯片的凹腔、數(shù)個臺階狀條柵,有位于臺階狀切槽間的第一區(qū)和從第一區(qū)延伸的第二區(qū),切槽在寬度方向沿凹腔較長一側形成;貼在每個切槽中的導電部件,切槽在臺階狀條柵的相鄰第一區(qū)間;連接部件,用于電連接半導體芯片上的焊盤和一個導電部件;密封部件,用于密封半導體芯片和連接部件間及導電部件和連接部件之間的接觸部分。
文檔編號H01L23/28GK1187035SQ97118438
公開日1998年7月8日 申請日期1997年9月11日 優(yōu)先權日1996年12月31日
發(fā)明者申明進 申請人:Lg半導體株式會社