專利名稱：無后侵蝕地構(gòu)圖導(dǎo)線的工藝及用于該工藝的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件的構(gòu)圖技術(shù)，特別涉及通過光刻及隨后的腐蝕構(gòu)圖導(dǎo)線的工藝及用于這種工藝的設(shè)備。
半導(dǎo)體集成電路器件中引入了多層布線結(jié)構(gòu)，在各電路元件間傳輸電信號。許多不同的導(dǎo)電材料可用于導(dǎo)線。AlCu合金很受制造者的歡迎?？梢杂脝螌覣lCu合金實現(xiàn)一導(dǎo)線，另一導(dǎo)線具有含AlCu合金層的層疊結(jié)構(gòu)。該AlCu合金層可以與Ti層、TiN層、TiW層或TiN和Ti的復(fù)合層形成層疊結(jié)構(gòu)。
這些導(dǎo)電材料通常利用濺射技術(shù)和/或化學(xué)汽相淀積法淀積，此后，通過光刻技術(shù)及隨后的腐蝕將導(dǎo)電層構(gòu)圖成導(dǎo)線。

圖1A和1B展示了將導(dǎo)電層構(gòu)圖成導(dǎo)線的典型例子。
用絕緣層2覆蓋硅襯底1。在絕緣層2的整個表面上淀積AlCu合金，并在絕緣層2上形成AlCu合金層3。在AlCu合金層3的上表面上散布光刻膠溶液，并烘烤，以形成光刻膠層。從光刻掩模將導(dǎo)線的構(gòu)像傳遞到光刻膠層上，在光刻膠層上形成潛像。將潛像顯影，在AlCu合金層3上留下光刻膠腐蝕掩模4，如圖1A所示。
將所得結(jié)構(gòu)放置于干法腐蝕系統(tǒng)(未示出)的腐蝕室內(nèi)，并抽空腐蝕室。在腐蝕室中引入腐蝕氣體，使之含有由BCl3表示的三氯化硅、氯或Cl2及另一種含鹵素的氣體如CF4或CHF3。光刻膠腐蝕掩模4允許從腐蝕氣體產(chǎn)生的物質(zhì)去掉AlCu合金層3的暴露部分，結(jié)果，由AlCu合金層3形成導(dǎo)線3a/3b/3c，如圖1B所示，腐蝕殘余物在干法腐蝕期間淀積在導(dǎo)線/光刻膠腐蝕掩模3a/3b/3c/4的側(cè)表面上，形成側(cè)壁5。腐蝕殘余物是一種含光刻膠碎片和鋁與氯間的反應(yīng)產(chǎn)物如AlCl3的混合物。
干法腐蝕完成后，在氧等離子體中灰化光刻膠，從所得結(jié)構(gòu)上去掉光刻膠腐蝕掩模4。然而，側(cè)壁5會部分留在導(dǎo)線3a/3b/3c的側(cè)面上。
盡管側(cè)壁5不會使這些物質(zhì)將導(dǎo)線3a/3b/3c弄尖，但腐蝕殘余物會引起后侵蝕，即，一種由于制造工藝完成后的侵蝕造成的導(dǎo)線3a/3b/3c的老化退化。如果腐蝕殘余物留在導(dǎo)線3a/3b/3c上，將發(fā)生侵蝕，導(dǎo)線3a/3b/3c將會發(fā)生斷連和短路。這種侵蝕通過以下反應(yīng)式進行
氯產(chǎn)生了腐蝕殘余物，因此，氯化物引起了所不希望的后侵蝕。然而，制造者不能通過等離子體灰化去掉側(cè)壁5。為此，制造者通常要去除如氯等殘余鹵素。在以下說明書中，針對后侵蝕的處理稱為“抗后侵蝕”。
抗后侵蝕的第一現(xiàn)有技術(shù)處理利用由含氫原子的氣體即水蒸汽或醇蒸汽產(chǎn)生的等離子體。側(cè)壁5暴露于等離子體中。等離子體消除所得結(jié)構(gòu)中的殘余鹵素。然而，幾乎不能從側(cè)壁5上去掉氯化鋁或?qū)⒅D(zhuǎn)化成不會引起后侵蝕的另一種化合物。
這樣，現(xiàn)有技術(shù)的工藝含干法腐蝕、抗后侵蝕處理和等離子灰化等步驟。制造者分別或者同時進行抗后侵蝕處理和等離子灰化。換言之，存在三種組合。第一種程序是首先進行抗后侵蝕處理，然后是等離子灰化。第二種程序與第一種程序相反，即等離子體灰化后進行抗后侵蝕處理。第三種程序是同時進行抗后侵蝕處理和等離子灰化。
第二現(xiàn)有技術(shù)的抗后侵蝕處理是在等離子體灰化后暴露于水蒸汽中?？紤]通過以下現(xiàn)象從所得結(jié)構(gòu)中去除殘余鹵素。
然而，存在著現(xiàn)有技術(shù)工藝中光刻膠腐蝕掩模4的去除和抗后侵蝕處理效果的折衷。換言之，如果現(xiàn)有技術(shù)的抗后侵蝕處理在得到好的抗后侵蝕效果的條件下進行，則光刻膠碎片容易殘留在導(dǎo)線3a/3b/3c上。另一方面，如果加強等離子灰化，則現(xiàn)有技術(shù)的處理抗后侵蝕的效果不明顯。
這種折衷是由于光刻膠的性質(zhì)改變造成的。抗后侵蝕處理越長，抗后侵蝕效果越好。然而，水蒸汽/醇產(chǎn)生的等離子體僅僅得到極低的灰化速率。這種情況下，如果光刻膠腐蝕掩模長時間暴露于等離子體或水蒸汽中，則光刻膠的性質(zhì)發(fā)生改變，被硬化。結(jié)果，光刻膠腐蝕掩模4在等離子體中幾乎不灰化，光刻膠碎片容易留在導(dǎo)線3a/3b/3c上。由此看來，第二種程序和第二現(xiàn)有技術(shù)處理比第一種程序更令人滿意。然而，在等離子灰化期間鹵素限制在側(cè)壁5上，幾乎不能從側(cè)壁5上去除。這意味著鹵素原子保留在側(cè)壁上，導(dǎo)線3a/3b/3c仍留在侵蝕環(huán)境中。
第三種程序是第一種程序和第二種程序的折衷方案。然而，第三種程序的抗后侵蝕效果較差，并且光刻膠腐蝕掩模4不能很好地去除。第三種程序中固有的另一問題是工藝條件的最佳化。如果制造者延長暴露于等離子體的時間，則工藝條件偏向于抗后侵蝕效應(yīng)。然而，會發(fā)生過度灰化。另一方面，如果制造者使工藝條件限制過灰化，則抗后侵蝕效果不充分。
所以，現(xiàn)有技術(shù)工藝中抗后侵蝕效果和很好地去除光刻膠掩模4不能兼容。
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種構(gòu)圖工藝，能夠有效地抗后侵蝕，而且去除光刻膠掩模不困難。
本發(fā)明另一主要目的是提供一種適用于該構(gòu)圖工藝的設(shè)備。
為達到該目的，本發(fā)明提出將鹵化物轉(zhuǎn)化為不引起后侵蝕的另一化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種構(gòu)圖目標層的工藝，該工藝包括以下步驟a)制備具有覆蓋著由光刻膠構(gòu)成的腐蝕掩模的目標層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，b)將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)暴露于含鹵素的腐蝕劑中，以便將目標層形成為部分被含光刻膠碎片和鹵化物的腐蝕殘余物偶然層(unintentionallayers)覆蓋的圖形，c)將在步驟b)得到的結(jié)構(gòu)暴露于含離子水蒸汽的氣體混合物中，其中至少存在H+和OH-中的一種，以便鹵化物與H+和OH-中的至少一種反應(yīng)，d)灰化光刻膠，以從步驟c)所得結(jié)構(gòu)上去除腐蝕掩模。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種構(gòu)圖目標層的設(shè)備，該設(shè)備包括限定第一室的隔離壁，其中有等離子體發(fā)生器、用于安裝半導(dǎo)體晶片的晶片臺及加熱晶片臺上的半導(dǎo)體晶片的溫度調(diào)節(jié)器；與第一室相連的真空發(fā)生器，用于在第一室中產(chǎn)生真空；汽化器，用于產(chǎn)生含至少具有H+和OH-中一種的離子水蒸汽的氣體混合物，并將所述氣體混合物提供到第一室；氣體供應(yīng)系統(tǒng)，用于將含氧化成分的氣體提供到用于等離子灰化的第一室。
利用以下結(jié)合附圖的說明，可以更清楚地理解該工藝和設(shè)備的特點及優(yōu)點，其中圖1A和1B是展示現(xiàn)有技術(shù)構(gòu)圖工藝的剖面圖；圖2A-2D是展示本發(fā)明形成導(dǎo)線的工藝的剖面圖；圖3A和3B是展示以低灰化速率等離子體灰化后殘留在導(dǎo)線上的側(cè)壁的剖面圖；圖4是展示襯底溫度和灰化速率間關(guān)系的曲線圖；圖5是展示襯底的合理溫度分布的曲線圖；圖6是展示引入到本發(fā)明的設(shè)備中的處理室設(shè)置的示意平面圖7是展示其中一個處理室的內(nèi)部的局部切除的側(cè)視圖。
構(gòu)圖工藝圖2A-2D展示了實現(xiàn)本發(fā)明的工藝。該工藝從制備硅晶片11開始。盡管圖中未示出，但在硅晶片11上形成有如晶體管等電路元件。在硅晶片11上淀積一種絕緣材料，形成層間絕緣層12。層間絕緣層12可由氧化硅構(gòu)成。在層間絕緣層12的整個表面上淀積鋁-銅合金，構(gòu)成導(dǎo)電層13?？梢岳脼R射技術(shù)淀積鋁銅合金。
隨后，在導(dǎo)電層13上散布光刻膠溶液，并烘烤，以便用光刻膠層覆蓋導(dǎo)電層13。從光刻掩模(未示出)將導(dǎo)線的圖形圖像傳遞到光刻膠層，通過該圖形傳遞在光刻膠層上形成潛像。顯影潛像，將光刻膠層形成光刻膠腐蝕掩模14，如圖2A所示。
將所得結(jié)構(gòu)放置于干法腐蝕系統(tǒng)(未示出)的腐蝕室。從腐蝕室中抽空空氣，并在腐蝕室中引入腐蝕氣體。這種情況下，腐蝕氣體含BCl2和Cl2。腐蝕氣體還可以含有表示為CH4-xFx的氟碳氫。
干法腐蝕系統(tǒng)在腐蝕室中產(chǎn)生等離子體，利用由腐蝕氣體產(chǎn)生的物質(zhì)腐蝕掉導(dǎo)電層13的暴露部分。結(jié)果，將導(dǎo)電層13構(gòu)圖成導(dǎo)線13a/13b/13c。盡管所述物質(zhì)選擇性去掉了導(dǎo)電層13，但腐蝕殘留物仍粘附在導(dǎo)線/光刻膠腐蝕掩模13a/13b/13c/14的側(cè)表面上，形成側(cè)壁15，如圖2B所示。腐蝕殘留物含有光刻膠碎片和一種鹵化物。這種情況下，腐蝕氣體含氯作為鹵素，導(dǎo)電層由鋁銅合金構(gòu)成。氯與鋁反應(yīng)，鹵化物為AlCl3。如結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)工藝所述的，氯化鋁會引起后侵蝕。
隨后，在真空中加熱所得結(jié)構(gòu)，并暴露于含離子水的氣體中。離子水蒸汽是通過噴射離子水、加熱離子水或通過超聲振動汽化產(chǎn)生的，并至少含有H+和OH-中的一種。汽化的離子水透過側(cè)壁15之間的窄間隙，側(cè)壁15暴露于H+和/或OH-中，H+和/或OH-與氯化鋁按以下反應(yīng)式反應(yīng)，并將氯化鋁轉(zhuǎn)變成鋁或氫氧化鋁。
將HCl汽化，從側(cè)壁15中去掉。最后從真空室抽空HCl。
離子水可以噴射到一種載體氣體中，產(chǎn)生含氫離子和氫氧根的水蒸汽。可以采用各種加熱器加熱離子水蒸汽，汽化器可以是加濕器的一部分。
盡管側(cè)壁15暴露于由水或醇產(chǎn)生的等離子體中，但等離子體不會將氯化鋁轉(zhuǎn)變成鋁和/或氫氧化鋁。
隨后，將所得結(jié)構(gòu)放置于等離子灰化系統(tǒng)的灰化室中。在灰化室中產(chǎn)生真空，并向灰化室供應(yīng)氧化氣體。氧化氣體可以含氧、臭氧或它們的氣體混合物。任何一種氧化氣體都可用于等離子體灰化，只要這種氧化氣體能夠灰化光刻膠便可。在灰化室中產(chǎn)生等離子體，將光刻膠腐蝕掩模14灰化去掉，如圖2D所示。
優(yōu)選以高灰化速率進行等離子體灰化。是因為氧等離子體能有效地去除光刻膠中作為CO或CO2的碳。如果灰化速率低，等離子體灰化后側(cè)壁15會留在導(dǎo)線13a/13b/13c上，如圖3A所示。側(cè)壁15容易破裂，側(cè)壁15的碎片會留在導(dǎo)線13a/13b/13c上，如圖3B所示。側(cè)壁15的碎片會給導(dǎo)線13a/13b/13c帶來麻煩。另一方面，在灰化速率高時，側(cè)壁15上的光刻膠碎片與光刻膠腐蝕掩模14一起灰化，減少了側(cè)壁15。因而，導(dǎo)線13a/13b/13c沒有因側(cè)壁15碎片造成的麻煩。
本發(fā)明人研究了高速率灰化的條件，發(fā)現(xiàn)襯底溫度對灰化速率影響極大。本發(fā)明人測量了不同襯底溫度下的灰化速率，繪出了灰化速率與襯底溫度的曲線圖。圖4展示了襯底溫度與灰化速率間的關(guān)系。橫軸表示襯底溫度，縱軸表示灰化速率。灰化速率的比例是任意的。在襯底溫度降低到約170-180℃時，灰化速率急劇下降。另一方面，光刻膠腐蝕掩模14在270℃左右迅速碳化，不發(fā)生灰化。本發(fā)明人得出結(jié)論，襯底溫度在220-250℃的灰化速率高。
本發(fā)明人還研究了抗后侵蝕處理和等離子體灰化的溫度分布，發(fā)現(xiàn)了如圖5所示的溫度分布。具體說，圖2B所示的所得結(jié)構(gòu)從例如50℃的起始溫度開始向著200到250℃的目標溫度升溫，并在從起始溫度升到目標溫度期間暴露于含離子水蒸汽的氣體中。起始溫度優(yōu)選為50℃-100℃。將溫度梯度調(diào)節(jié)到使所得結(jié)構(gòu)在30-70秒達到目標溫度。在所得結(jié)構(gòu)達到目標溫度時，開始等離子體灰化，通過灰化去掉光刻膠腐蝕掩模14。本發(fā)明人證實，光刻膠腐蝕掩模14被很好地灰化，暴露于這種氣體中可有效地抗后侵蝕。
上述工藝程序是令人滿意的，因為等離子體灰化持續(xù)到抗后侵蝕處理，沒有損失時間。因而提高了生產(chǎn)率。
本發(fā)明人計算了本發(fā)明的工藝。首先，淀積鋁-銅合金，在鋁-銅合金層13上形成光刻膠腐蝕掩模14。通過以下條件下的干法腐蝕構(gòu)圖鋁-銅合金。
腐蝕室壓力8毫乇襯底溫度40℃腐蝕氣體Cl2/70sccm，BCl3/40sccm，CHF3/8sccm電源功率1200W偏置功率130W腐蝕室保持在3乇，以750sccm向腐蝕室提供離子水蒸汽。在離子水蒸汽提供給腐蝕室的同時，將硅晶片11在30-70秒的時間周期內(nèi)從40℃升高到220℃。
在硅晶片11達到220℃時，在以下條件下灰化去掉光刻膠腐蝕掩模14。
腐蝕室壓力2乇硅晶片220℃反應(yīng)劑氣體O2/3000sccm，N2/200sccm微波功率1000W灰化后，本發(fā)明人通過顯微鏡觀察導(dǎo)線13a/13b/13c，證實已很好地去除了光刻膠腐蝕掩模14和側(cè)壁15。
隨后，將導(dǎo)線13a/13b/13c放置于大氣中一段時間。本發(fā)明人通過顯微鏡觀察導(dǎo)線13a/13b/13c。然而，導(dǎo)線13a/13b/13c沒有因后侵蝕而被損傷。
本發(fā)明人完成了以半導(dǎo)體晶片11為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件，并測試該半導(dǎo)體晶片。沒有發(fā)任何故障，證實了導(dǎo)線13a/13b/13c既未斷連，也未短路。
從上述說明應(yīng)理解，含離子水蒸汽的氣體有效地將鹵化鋁轉(zhuǎn)變成鋁和/或氫氧化鋁，防止了導(dǎo)線13a/13b/13c的后侵蝕。暴露于這種氣體中不影響等離子體灰化。設(shè)備現(xiàn)參見圖6，實現(xiàn)本發(fā)明的設(shè)備具有隔離壁21，隔離壁21限定了操縱室22a、處理室22b/22c/22d/22e、裝載鎖定室22f及卸載鎖定室22g。處理室22b/22c/22d/22e、裝載鎖定室22f及卸載鎖定室22g排列在操縱室22a周圍。該設(shè)備還包括抽空系統(tǒng)23、腐蝕氣供應(yīng)系統(tǒng)24、灰化氣體供應(yīng)系統(tǒng)25、抗后侵蝕處理系統(tǒng)26、加熱器/冷卻器27(見圖7)和等離子體發(fā)生器28(見圖7)。盡管圖中未示出，但在氣體供應(yīng)系統(tǒng)24/25、抽空系統(tǒng)23和加熱器/冷卻器27中分別引入了流量控制器、壓力控制器及溫度控制器。
操縱室22a中有自動裝置29，用于在室22b-22g間移動晶片。裝載鎖定室22將操縱室22a與外界隔開，晶片從外部裝入裝載鎖定室22f。抽空系統(tǒng)23從裝載鎖定室22f抽空空氣，保持裝載鎖定室22f與操縱室22a相同。處理室22b-22e用于干法腐蝕、抗后侵蝕處理和灰化。這種情況下，處理室22b/22c用于干法腐蝕，處理室22d/22e用于干法腐蝕、抗后侵蝕處理和等離子體灰化。卸載鎖定室22g也將操縱室22a與外界隔開，通過卸載鎖定室22g將晶片傳輸?shù)酵獠?。在將晶片傳輸?shù)酵獠恐?，在卸載鎖定室22g中引入空氣，此后抽空系統(tǒng)23在卸載鎖定室22g中產(chǎn)生真空。
當晶片在操縱室22a和處理室22b-22e之間傳輸時，抽空系統(tǒng)23使操縱室22a中的真空與處理室22b-22e中的真空相同，自動裝置29從裝載鎖定室22f將晶片傳送到操縱室22a，從操縱室22a傳送到處理室22b-22e中的一個，從該處理室傳送到另一處理室，從該處理室傳送到控制到，并從操縱室22a傳送到卸載鎖定室22g。
現(xiàn)在參見圖7，處理室22d/22e用石英鐘罩31封閉，并與抽空系統(tǒng)23、腐蝕氣體供應(yīng)系統(tǒng)24(圖7示未示出)、灰化氣體供應(yīng)系統(tǒng)25(圖7中也未示出)及抗后侵蝕處理系統(tǒng)26相連。等離子體發(fā)生器28具有磁控管28a，磁控管28a通過波導(dǎo)28b與處理室22d相連。盡管圖7中未示出，但提供與處理室22d有關(guān)的線圈筒，產(chǎn)生磁場，在等離子體發(fā)生器28中還引入有射頻功率源。晶片臺30設(shè)置在處理室22d中，晶片32放置在晶片臺30上。加熱器/冷卻器27提供給晶片32，用于控制晶片32的溫度。抗后侵蝕處理系統(tǒng)26具有汽化器26a，例如超聲波振動器，離子水通過該超聲波振動器汽化。等離子體發(fā)生器28在處理室中產(chǎn)生等離子體33，干法腐蝕和灰化利用等離子體發(fā)生器28進行。
處理室22d/22e用于干法腐蝕、抗后侵蝕處理和等離子體灰化，并可用于本發(fā)明該處理。在處理室22d/22e中依次對晶片進行干法腐蝕、抗后侵蝕處理和等離子體灰化，制造者通過利用本發(fā)明的設(shè)備提高了生產(chǎn)率。
盡管已展示和介紹了本發(fā)明的特定實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離本發(fā)明精神實質(zhì)和范圍的情況下可以對其作出變化和改形。
鋁-銅合金層可以與和/或在例如鈦層、氮化鈦層或鈦-鎢層等另一類導(dǎo)電層上層疊。
在上述實施例中，含氯腐蝕氣體用于干法腐蝕。然而，已知有許多腐蝕氣體，一般都是含鹵素氣體。鹵素會產(chǎn)生鹵化物，鹵化物進而會引起后侵蝕。為此，本發(fā)明不限于含氯腐蝕氣體及鋁-銅合金。
權(quán)利要求
1.一種構(gòu)圖目標層的工藝，包括以下步驟a)制備具有所述目標層(13)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(11/12/13)，所述目標層(13)上覆蓋著由光刻膠構(gòu)成的腐蝕掩模(14)；b)將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(11/12/13)暴露于含鹵素的腐蝕劑中，以便使所述目標層形成為被含所述光刻膠碎片和鹵化物的腐蝕殘余物偶然層(15)部分覆蓋的圖形(13a/13b/13c)；c)進行抗后侵蝕處理；及d)灰化所述光刻膠，以便從所述步驟c)所得結(jié)構(gòu)上去除所述腐蝕掩模(14)，其特征在于，將所述步驟b)的所得結(jié)構(gòu)暴露于含離子水蒸汽的氣體混合物中，其中至少存在H+和OH-中的一種，以便在所述抗侵蝕處理中所述鹵化物與H+和OH-中的至少一種反應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中所述腐蝕劑是含所述鹵素的腐蝕氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的工藝，其中所述鹵素是氯化物，所述目標層(13)由鋁-銅合金構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的工藝，其中所述腐蝕殘余物含表示為AlCl3的氯化鋁，所述H+和OH-中的至少一種通過以下反應(yīng)式與所述氯化鋁反應(yīng)
5.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中所述離子水蒸汽是利用選擇于噴射至少具有H+和OH-中一種的離子水、加熱所述離子水、和通過超聲波振動汽化所述離子水中一種技術(shù)產(chǎn)生的。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的工藝，其中所述腐蝕氣體含BCl3和Cl2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的工藝，其中所述腐蝕氣體還含有表示為CH4-xFx的氟碳氫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中所述所得結(jié)構(gòu)在所述步驟d)暴露于由含氧化成分的氣體產(chǎn)生的等離子體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的工藝，其中所述氧化成分選自氧、臭氧及含氧和臭氧的混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的工藝，其中在所述步驟d)在200-250℃間加熱所述所得結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中在步驟c)所述所得結(jié)構(gòu)暴露于所述氣體混合物期間，將所述所得結(jié)構(gòu)從起始溫度加熱到目標溫度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的工藝，其中所述步驟d)在所述所得結(jié)構(gòu)達到所述目標溫度時開始。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的工藝，其中所述起始溫度和所述目標溫度分別為50-100℃和200-250℃，從所述起始溫度到所述目標溫度的時間周期為30-70秒。
14.一種構(gòu)圖目標層的設(shè)備，包括限定第一室(22d/22e)的隔離壁(21)，其中有等離子體發(fā)生器(28)、用于安裝半導(dǎo)體晶片(32)的晶片臺(30)及加熱所述晶片臺上的所述半導(dǎo)體晶片(32)的溫度調(diào)節(jié)器(27)；真空發(fā)生器(23)，用于產(chǎn)生真空；及氣體供應(yīng)系統(tǒng)(25)，供應(yīng)含有用于等離子體灰化的氧化成分的氣體，其特征在于，所述真空發(fā)生器和所述供應(yīng)系統(tǒng)與所述第一室(22d/22e)相連，及還具有汽化器(26)，連接到所述第一室(22d/22e)，用于將含至少具有H+和中OH-一種的離子水蒸汽的氣體混合物提供到所述第一室。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的設(shè)備，其中所述隔離壁(21)還限定用于從外部裝載所述半導(dǎo)體晶片(32)的第二室(22f)、用于將所述半導(dǎo)體晶片卸載到所述外部的第三室(22g)、及可與所述第一室、所述第二室和所述第三室相連并具有在其間傳送所述半導(dǎo)體晶片操縱器(29)的第四室(22a)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的設(shè)備，還包括另一氣體供應(yīng)系統(tǒng)(24)，用于向所述第一室(22d/22e)供應(yīng)腐蝕氣體。
全文摘要
通過光刻及隨后的干法腐蝕構(gòu)圖鋁－銅合金層(13),在干法腐蝕期間生長了含氯化鋁的腐蝕殘余物側(cè)壁15,這會引起鋁－銅合金線(13a/13b/13c)的后束侵蝕,其中側(cè)壁(15)暴露于含離子水蒸汽的氣體混合物中,以便氫離子和/或氫氧根與氯化鋁反應(yīng),從而將氯化鋁轉(zhuǎn)變成鋁和/或氫氧化鋁,及被汽化到真空中的鹽酸。
文檔編號H01L21/3065GK1241806SQ9910955
公開日2000年1月19日 申請日期1999年7月9日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月9日
發(fā)明者大內(nèi)雅彥 申請人:日本電氣株式會社