專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及在使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體把該2個(gè)半導(dǎo)體芯片密封起來(lái)的半導(dǎo)體裝置中應(yīng)用且有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電路系統(tǒng)的大容量化為目的，人們提出了使構(gòu)成存儲(chǔ)電路系統(tǒng)的2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體把該2個(gè)半導(dǎo)體芯片密封起來(lái)的疊層半導(dǎo)體裝置的方案。例如，在特開(kāi)平7-58281號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了LOC(Lead On Chip，芯片上的引線)構(gòu)造的疊層式半導(dǎo)體裝置。
LOC構(gòu)造的疊層式半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成為具有在本身為表背面(彼此相向的一個(gè)主面和另一個(gè)主面)之內(nèi)的表面(一個(gè)主面)的電路形成面上形成的第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片；中間存在著絕緣性薄膜地粘接固定到第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面上，同時(shí)通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到該電路形成面上的多個(gè)第1引線；中間存在著絕緣性薄膜地粘接固定到第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上，同時(shí)通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到該電路形成面上的多個(gè)第2引線；密封第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、第1引線的內(nèi)部部分、第2引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲等的樹(shù)脂密封體。第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)，在使各自的電路形成面彼此相向的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。每一個(gè)第1引線、第2引線，在使各自的連接部分彼此重疊的狀態(tài)下進(jìn)行接合。
本發(fā)明人等，在開(kāi)發(fā)疊層式半導(dǎo)體裝置之前面臨著如下的一些問(wèn)題。
在上述現(xiàn)有的LOC構(gòu)造的情況下，由于用2片引線框架制造，故造價(jià)高。
此外，在上述現(xiàn)有的技術(shù)的情況下，由于使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，故需要2片引線框架。
此外，由于使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，故若用1片引線框架，則不可能在半導(dǎo)體芯片的4個(gè)方向上設(shè)置2個(gè)半導(dǎo)體芯片的電極焊盤。
本發(fā)明的目的在于，提供可以實(shí)現(xiàn)使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體密封該2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的薄型化的技術(shù)。
本發(fā)明的另外的目的在于，提供可以應(yīng)對(duì)一種使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體密封該2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的技術(shù)，在該構(gòu)造中，把1片引線框架用做在2個(gè)半導(dǎo)體芯片的疊層體的4個(gè)方向上設(shè)置的電極焊盤。
本發(fā)明的另外的目的在于，提供一種使得裝配面積減小但存儲(chǔ)容量不變的多芯片封裝成為可能的技術(shù)。
本發(fā)明的另外的目的在于，提供在使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體密封該2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造中，可以防止裂紋的發(fā)生的技術(shù)。
本發(fā)明的上述以及其它的目的和新的特征，借助于本說(shuō)明書的講述和附圖，將會(huì)了解得更為清楚起來(lái)。
發(fā)明的公開(kāi)在本申請(qǐng)中公開(kāi)的發(fā)明之內(nèi)，若簡(jiǎn)單地說(shuō)明代表性的發(fā)明，則如下所述。
(1)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；
每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(2)在上述裝置(1)中所述的半導(dǎo)體裝置中，上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(3)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的背面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上。
(4)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(5)在上述裝置(4)所述的半導(dǎo)體裝置中，上述引線的內(nèi)部部分的一部分，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(6)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)芯片的背面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上。
(7)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在在上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面之間存在著上述樹(shù)脂密封體的樹(shù)脂的狀態(tài)下，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片上邊，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(8)在上述裝置(7)所述的半導(dǎo)體裝置中，上述引線的內(nèi)部部分的一部分，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
(9)一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，上述第1半導(dǎo)體芯片，在上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的背面之間存在著上述樹(shù)脂密封體的樹(shù)脂的狀態(tài)下，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片上邊，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上。
(10)在上述裝置(1)到(9)之內(nèi)的任何一種裝置中所述的半導(dǎo)體裝置中，上述支持引線的構(gòu)造是兼用做電源引線或基準(zhǔn)電位引線。
(11)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；把上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面粘接固定起來(lái)形成半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；把支持引線的內(nèi)部部分粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
(12)在上述方法(11)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具備把上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊的工序。
(13)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；把上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面粘接固定起來(lái)形成半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；把支持引線的內(nèi)部部分粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
(14)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面相向，用支持引線的內(nèi)部部分，把兩者固定支持為使得形成在兩者之間存在著間隙的半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
(15)在上述方法(14)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，具備把上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊的工序。
(16)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面相向，用支持引線的內(nèi)部部分，把兩者固定支持為使得形成在兩者之間存在著間隙的半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1是作為本發(fā)明的實(shí)施例1的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖2是沿圖1的A-A線的模式性的剖面圖。
圖3是沿圖1的B-B線的模式性的剖面圖。
圖4模式性的剖面圖示出了圖3的一部分。
圖5是沿圖1的C-C線的模式性的剖面圖。
圖6是用來(lái)說(shuō)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的引線的功能和配置的說(shuō)明圖。
圖7是在實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造工藝中使用的引線框架的模式性的平面圖。
圖8是用來(lái)說(shuō)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖9是實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造中已形成了樹(shù)脂密封體的引線框架的模式性的平面圖。
圖10是在實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造中已形成了密封體的5個(gè)連在一起的構(gòu)造的引線框架的模式性的平面圖。
圖11是已把實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置裝配到裝配基板上的狀態(tài)的關(guān)鍵部分模式性的剖面圖。
圖12是作為本發(fā)明的實(shí)施例2的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖13是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖14是沿圖13的D-D線的模式性的剖面圖。
圖15是沿圖13的E-E線的模式性的剖面圖。
圖16是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖17是沿圖16的F-F線的模式性的剖面圖。
圖18是沿圖16的G-G線的模式性的剖面圖。
圖19是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖20是沿圖19的H-H線的模式性的剖面圖。
圖21是沿圖19的I-I線的模式性的剖面圖。
圖22是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖23是作為本發(fā)明的實(shí)施例6的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖24是沿圖23的J-J線的模式性的剖面圖。
圖25是沿圖23的K-K線的模式性的剖面圖。
圖26是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖27是作為本發(fā)明的實(shí)施例7的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖28是沿圖27的L-L線的模式性的剖面圖。
圖29是沿圖27的M-M線的模式性的剖面圖。
圖30是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖31是作為本發(fā)明的實(shí)施例8的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖32是沿圖31的N-N線的模式性的剖面圖。
圖33是沿圖31的P-P線的模式性的剖面圖。
圖34是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖35是作為本發(fā)明的實(shí)施例9的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖36是沿圖35的Q-Q線的模式性的剖面圖。
圖37是沿圖35的R-R線的模式性的剖面圖。
圖38是沿圖35的S-S線的模式性的剖面圖。
圖39的模式性的平面圖示出了圖35的一部分。
圖40的模式性的平面圖示出了圖35的一部分。
圖41是對(duì)圖36的一部分?jǐn)U大后的模式性的平面圖。
圖42示出了在作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造中使用的第1半導(dǎo)體晶片的概略構(gòu)成((a)是模式性的平面圖，(b)是模式性的剖面圖)。
圖43示出了在作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造中使用的第2半導(dǎo)體晶片的概略構(gòu)成((a)是模式性的平面圖，(b)是模式性的剖面圖)。
圖44是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖45是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖46是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖47是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖48是用來(lái)說(shuō)明作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造的模式性的剖面圖。
圖49已裝配有作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的CF卡的模式性的平面圖。
圖50是作為本發(fā)明的實(shí)施例9變形例的半導(dǎo)體裝置的模式性的剖面圖。
圖51是作為本發(fā)明的實(shí)施例10的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖。
圖52是沿圖51的T-T線的模式性的剖面圖。
以下，參看附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。另外，在用來(lái)說(shuō)明發(fā)明的實(shí)施例的全部的附圖中，對(duì)具有同一功能的賦予同一標(biāo)號(hào)，省略其反復(fù)地說(shuō)明。
(實(shí)施例1)
在本實(shí)施例中，對(duì)把本發(fā)明應(yīng)用于作為4個(gè)方向引線排列構(gòu)造的TQFP(Thin Quad Flatpack Package，薄型四方扁平封裝)型的半導(dǎo)體裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是作為本發(fā)明的實(shí)施例1的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖2是沿圖1的A-A線的模式性剖面圖，圖3是沿圖1的B-B線的模式性剖面圖，圖4的模式性剖面圖示出了圖3的一部分，圖5是沿圖1的C-C線的模式性剖面圖。
如圖1、圖2、圖3和圖5所示，本實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置1具有在四方形狀的半導(dǎo)體襯底的電路形成面(一個(gè)主面)2X上形成了多個(gè)電極焊盤4的半導(dǎo)體芯片(第1半導(dǎo)體芯片)2、在尺寸比該半導(dǎo)體芯片2的半導(dǎo)體襯底還大的四方形狀的半導(dǎo)體襯底的電路形成面(一個(gè)主面)3X上形成了多個(gè)電極焊盤4的半導(dǎo)體芯片(第2半導(dǎo)體芯片)3。作為本實(shí)施例1的半導(dǎo)體芯片，例如使用ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，專用集成電路)，作為半導(dǎo)體芯片3，例如使用閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片的平面形狀，例如用正方形形成，半導(dǎo)體芯片3的平面形狀，例如用長(zhǎng)方形形成。半導(dǎo)體芯片3用比半導(dǎo)體芯片2還大的平面尺寸(外形尺寸)形成。
與半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X相反的一面，就是說(shuō)與電路形成面2X相向的背面(另一個(gè)主面)，被載置(配置)到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X上邊，在保持原狀不變的狀態(tài)下用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片2的背面和半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X粘接固定起來(lái)構(gòu)成半導(dǎo)體芯片疊層體。把支持引線6粘接固定到半導(dǎo)體芯片疊層體的半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X上支持該半導(dǎo)體芯片疊層體。
在半導(dǎo)體芯片2、3的半導(dǎo)體芯片疊層體的外側(cè)，配置由內(nèi)部部分7A和外部部分7B構(gòu)成的引線7的內(nèi)部部分7A。每一個(gè)內(nèi)部部分7A與半導(dǎo)體芯片2和半導(dǎo)體芯片3的各自的電極焊盤4，用導(dǎo)電性的細(xì)絲8進(jìn)行電連。
上述半導(dǎo)體芯片2、3的每一個(gè)芯片的構(gòu)成，都是例如以由單晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底和在該半導(dǎo)體襯底上邊形成的多層布線層為主體。在半導(dǎo)體芯片3上，作為存儲(chǔ)電路系統(tǒng)，例如，構(gòu)成64兆位的閃速存儲(chǔ)器。
在作為半導(dǎo)體芯片2的表背面之內(nèi)的表面(一個(gè)主面)的電路形成面2X上，沿著4邊形成有多個(gè)電極焊盤(鍵合焊盤)4。該多個(gè)電極焊盤4中的每一個(gè)，都用在半導(dǎo)體芯片2的多層布線層之內(nèi)的最上層上形成的表面保護(hù)膜(最后保護(hù)膜)被覆起來(lái)，在該表面保護(hù)膜上形成使電極焊盤4的表面露出來(lái)的鍵合開(kāi)口。
在作為半導(dǎo)體芯片3的表背面之內(nèi)的表面(一個(gè)主面)的電路形成面3X上，沿著彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的一方的長(zhǎng)邊形成有多個(gè)電極焊盤4。該多個(gè)電極焊盤4中的每一個(gè)，都在半導(dǎo)體芯片3的多層布線層之內(nèi)的最上層的布線層上形成。最上層的布線層，用在前期上層上形成的表面保護(hù)膜(最后保護(hù)膜)被覆起來(lái)，在該表面保護(hù)膜上形成使電極焊盤4的表面露出來(lái)的鍵合開(kāi)口。
用四方形狀形成樹(shù)脂密封體9的平面形狀，在本實(shí)施例1中，例如用長(zhǎng)方形形成。沿著該樹(shù)脂密封體9的四邊排列多個(gè)引線7的外部部分7B。
如圖6所示，對(duì)多個(gè)引線7的外部部分7B中的每一個(gè)都賦予一個(gè)端子名稱。例如VCC端子是把電位固定為電源電位(例如5[V])的電源電位端子。VSS端子是把電位固定為基準(zhǔn)電位(例如0[V])的基準(zhǔn)電位端子。CDE端子是指令數(shù)據(jù)允許端子。OE端子是輸出允許端子。SC端子是串行時(shí)鐘端子。WE是寫允許端子。CE是片選端子。上述之外的端子記號(hào)的說(shuō)明示于表1。
表1(MCP引腳配置表)

采用象這樣構(gòu)成的辦法，由于在半導(dǎo)體芯片2與半導(dǎo)體芯片3之間不存在接頭(也叫做管芯墊)，故可以縮小從半導(dǎo)體芯片1的電路形成面2X到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的距離。此外，由于在半導(dǎo)體芯片2與半導(dǎo)體芯片3之間只存在一個(gè)粘接層，故可以縮小從半導(dǎo)體芯片1的電路形成面2X到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的距離。此外支持引線6，由于已粘接固定到半導(dǎo)體芯片的電路形成面3X上，故支持引線6的厚度與把半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤6和引線7的內(nèi)部部分7A電連起來(lái)的細(xì)絲8的回線(loop)的高度相抵，不存在由支持引線6產(chǎn)生的對(duì)樹(shù)脂密封體的厚度的影響。
本實(shí)施例1的引線7，如圖2、圖3和圖5所示，用由樹(shù)脂密封體進(jìn)行密封的內(nèi)部部分(內(nèi)部引線部分)7A和導(dǎo)出到樹(shù)脂密封體9的外部的外部部分(外部引線部分)7B構(gòu)成，外部部分7B作為表面貼裝式形狀，例如被形成為鷗翼狀。
作為導(dǎo)電性的細(xì)絲8，可以使用例如金(Au)絲。細(xì)絲8的連接方法，例如使用并用熱壓焊與超聲波振動(dòng)的鍵合法。
樹(shù)脂密封體9以實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力化為目的，例如，可以用已添加進(jìn)苯酚系硬化劑、硅酮橡膠和填充劑等的苯基系樹(shù)脂形成。連續(xù)模鑄法，是一種使用具備罐、流道、流入澆口和腔體等的模鑄模具，通過(guò)流道和流入澆口，從罐向腔體內(nèi)加壓注入樹(shù)脂形成樹(shù)脂密封體的方法。
在圖2、圖3和圖5中，半導(dǎo)體芯片2、3中的每一個(gè)芯片的厚度都是0.24mm，粘接劑5的厚度是0.01mm，引線7的厚度是0.125mm，從半導(dǎo)體芯片2的主面2A到把該半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤4和引線7的內(nèi)部部分7A電連起來(lái)的細(xì)絲8的頂部為止的高度(回線高度)為0.19mm，從該細(xì)絲的頂部到樹(shù)脂密封體9的上表面為止的間隔是0.065mm，樹(shù)脂密封體9的厚度為1.0mm，從樹(shù)脂密封體的上表面到引線7的裝配面的高度為1.20mm。
支持引線6的上表面比細(xì)絲8的頂部還低。支持引線6，如圖1所示要延長(zhǎng)為使得橫切半導(dǎo)體芯片3的彼此相向的2個(gè)短邊。
如圖4所示，半導(dǎo)體芯片2、3中的每一方，都要在使得半導(dǎo)體芯片2的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的一方的邊2A位于半導(dǎo)體芯片3的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的一方的長(zhǎng)邊3A一側(cè)，使得半導(dǎo)體芯片2的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的另一方的邊2B位于半導(dǎo)體芯片3的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的一方的長(zhǎng)邊3B一側(cè)那樣地，使半導(dǎo)體芯片2的背面與半導(dǎo)體芯片3的電路形成面彼此相向，而且，從半導(dǎo)體芯片2的一方的邊2A一側(cè)的側(cè)面到半導(dǎo)體芯片3的一方的長(zhǎng)邊3A為止的距離L1比從半導(dǎo)體芯片2的另一方的邊2B一側(cè)的側(cè)面到半導(dǎo)體芯片3的另一方的長(zhǎng)邊3B為止的距離L2還寬那樣地各自的位置都錯(cuò)了開(kāi)來(lái)的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。就是說(shuō)，半導(dǎo)體芯片2、3中的每一方，都在距離L1變得比距離L2還寬的方向上分別從中心位置錯(cuò)開(kāi)來(lái)的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。
采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，由于從半導(dǎo)體芯片2的一方的邊2A一側(cè)半導(dǎo)體芯片3露出來(lái)的面積增大，故在把細(xì)絲8連接到配置在半導(dǎo)體芯片3的一方的長(zhǎng)邊3A一側(cè)時(shí)的作業(yè)性改善。
其次，對(duì)在半導(dǎo)體裝置1的制造工藝中使用的引線框架，用圖7(模式性平面圖)進(jìn)行說(shuō)明。另外，實(shí)際的引線框架雖然變成為可以制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置的多個(gè)連在一起的構(gòu)造，但是為了易于看圖起見(jiàn)，圖7示出了可以制造一個(gè)半導(dǎo)體裝置的一個(gè)引線框架區(qū)域。
如圖7所示，引線框架LF，在被框體11規(guī)定的區(qū)域內(nèi)變成為配置有支持引線6和多個(gè)引線7的構(gòu)成。多個(gè)引線7，沿著框體11的四邊部分排列。支持引線6由配置在由多個(gè)引線7構(gòu)成的引線群之間的懸空引線部分6A和配置在用引線7的內(nèi)部部分7A的頂端部分圍起來(lái)的中央空間部分上的引線構(gòu)成，與框體11一體化地進(jìn)行支持。
多個(gè)引線7中的每一個(gè)，都由被密封到樹(shù)脂密封體9內(nèi)的內(nèi)部部分7A和在樹(shù)脂密封體9的外側(cè)露出來(lái)的外部部分7B構(gòu)成，通過(guò)連桿10彼此進(jìn)行連結(jié)。
引線框架LF可以采用對(duì)由例如鐵(Fe)-鎳(Ni)系的合金或銅(Cu)或銅系的合金構(gòu)成的平板板材進(jìn)行刻蝕加工或沖壓加工形成規(guī)定的圖形的部分形成。
其次，用圖8到圖10說(shuō)明半導(dǎo)體裝置1的制造方法。圖8是用來(lái)說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的制造方法的說(shuō)明圖，圖9是實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造中已形成了樹(shù)脂密封體的引線框架的模式性的平面圖，圖10是在實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造中已形成了密封體的5個(gè)連在一起的構(gòu)造的引線框架的模式性的平面圖。
首先，如圖8(a)所示，把半導(dǎo)體芯片3裝設(shè)到加熱臺(tái)21上，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)6B的框架的背面粘接到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X上。
其次，如圖8(b)所示，向半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的上邊涂敷粘接劑(例如，膏劑)5，把半導(dǎo)體芯片2粘接到其上邊。
其次，如圖8(C)所示，用框架推壓構(gòu)件23推壓引線框架LF的上表面進(jìn)行固定，加熱加熱臺(tái)21使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)6B、半導(dǎo)體芯片2、3的各個(gè)電極焊盤4進(jìn)行電連。
其次，用樹(shù)脂把半導(dǎo)體芯片2和3、支持引線6的內(nèi)部部分(懸空引線部分6A的內(nèi)部部分和四邊形形狀支持引線部分6B)、引線7的內(nèi)部部分7A和細(xì)絲8等密封起來(lái)形成樹(shù)脂密封體9。樹(shù)脂密封體9的形成用連續(xù)模鑄法進(jìn)行。這樣一來(lái)，就可以在圖9所示那樣的LF的框體11上邊形成本實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置1。另外，在實(shí)際的制造時(shí)，引線框架LF，如圖10所示，變成為多個(gè)連在一起的構(gòu)造(例如5個(gè)連在一起的構(gòu)造)。
其次，切斷連結(jié)到引線7上的連桿10，然后，對(duì)引線7的每一個(gè)外部部分7B施行電鍍處理，然后，從引線框架LF的框體11切斷引線7，然后，作為表面貼裝式形狀把引線7的每一個(gè)外部部分7B形成為例如鷗翼狀，然后，采用從引線框架LF的框體11切斷支持引線6的辦法，大體上就完成了圖1到圖5所示的半導(dǎo)體裝置1。
象這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置1，如圖9(關(guān)鍵部分剖面圖)所示，作為構(gòu)成一個(gè)電路系統(tǒng)的電子裝置的構(gòu)成部件，在裝配基板30上可以裝配多個(gè)。每一個(gè)半導(dǎo)體裝置1，其引線7的外部部分7B與裝配基板30的布線31都電連起來(lái)裝配到裝配基板30上。
另外，引線7的外部部分7B，當(dāng)比樹(shù)脂密封體9的厚度的1/2水平面還往上側(cè)突出出來(lái)時(shí)，由于外部部分7B的到裝配基板為止的距離變長(zhǎng)，故可以用外部部分7B吸收緩和由裝配時(shí)的熱應(yīng)力而生的應(yīng)力。
如上所述，倘采用本實(shí)施例，則可以得到如下的效果。
(1)由于從半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X之間不存在接頭，故可以縮小從半導(dǎo)體芯片2的電路形成面到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面的距離，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置1的薄型化。
(2)支持引線6，由于已粘接固定到半導(dǎo)體芯片的電路形成面3X上，故支持引線6的厚度與細(xì)絲8的回線的高度相抵，不存在由支持引線6產(chǎn)生的對(duì)樹(shù)脂密封體的厚度的影響。結(jié)果是使樹(shù)脂密封體9的厚度形成得薄，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置1的薄型化。
(3)由于可以使樹(shù)脂密封體9的厚度形成得薄而無(wú)須使半導(dǎo)體芯片(2、3)的厚度形成得薄，故可以提供成品率高的薄型半導(dǎo)體裝置1。
(4)由于可以使樹(shù)脂密封體9的厚度形成得薄，故可以用TQFP型構(gòu)成。
(5)作為半導(dǎo)體芯片2、3使用半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，采用使該兩者進(jìn)行疊層的辦法，可以減小裝配面積而不改變存儲(chǔ)容量。
(6)支持引線6不僅固定支持半導(dǎo)體芯片還可以作為電源引線或基準(zhǔn)電位D引線(GND引線)的公用引線。
(7)由于支持引線6的粘接固定位置與引線7的高度處于同一平面上，故可以提高組裝工序的作業(yè)性。
(8)半導(dǎo)體芯片2、3中的每一方，都要在使得半導(dǎo)體芯片2的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的一方的邊2A位于半導(dǎo)體芯片3的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的一方的長(zhǎng)邊3A一側(cè)，使得半導(dǎo)體芯片2的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的另一方的邊2B位于半導(dǎo)體芯片3的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的另一方的長(zhǎng)邊3B一側(cè)那樣地，使半導(dǎo)體芯片2的背面與半導(dǎo)體芯片3的電路形成面彼此相向，而且，從半導(dǎo)體芯片2的一方的邊2A一側(cè)的側(cè)面到半導(dǎo)體芯片3的一方的長(zhǎng)邊3A為止的距離L1比從半導(dǎo)體芯片2的另一方的邊2B一側(cè)的側(cè)面到半導(dǎo)體芯片3的另一方的長(zhǎng)邊3B為止的距離L2還寬那樣地各自的位置都錯(cuò)了開(kāi)來(lái)的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。就是說(shuō)，半導(dǎo)體芯片2、3中的每一方，都在距離L1變得比距離L2還寬的方向上分別從中心位置錯(cuò)開(kāi)來(lái)的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。
采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，由于從半導(dǎo)體芯片2的一方的邊2A一側(cè)半導(dǎo)體芯片3露出來(lái)的面積增大，故在把細(xì)絲8連接到配置在半導(dǎo)體芯片3的一方的長(zhǎng)邊3A一側(cè)的電極焊盤4上時(shí)的作業(yè)性改善。
(實(shí)施例2)圖12是作為本發(fā)明的實(shí)施例2的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖。
本實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置1A，如圖12所示，是不配置上述實(shí)施例1的半導(dǎo)體芯片支持部分6B，而代之分開(kāi)配置成基準(zhǔn)電位(Vss)6B1和電源電位(Vcc)6B2這2種半導(dǎo)體芯片支持引線部分的裝置。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，就可以同時(shí)使用基準(zhǔn)電位(Vss)6B1和電源電位(Vcc)6B2的公用引線。
(實(shí)施例3)圖13是作為本發(fā)明的實(shí)施例3的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖14是沿圖13的D-D線的模式性剖面圖，圖15是沿圖13的E-E線的模式性剖面圖。
如圖13、圖14和圖15所示，本實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置1B，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例1、2的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。
就是說(shuō)，在使半導(dǎo)體芯片2疊層到半導(dǎo)體芯片3的上邊時(shí)，半導(dǎo)體芯片2、3的各自的與電路形成面(2X、3X)相反的一側(cè)的面(背面)之間進(jìn)行粘接固定，支持引線6則用粘接劑5粘接固定到半導(dǎo)體芯片3的背面上。
這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置1B的制造方法，在實(shí)施例1的制造方法的工藝中，在使半導(dǎo)體芯片2、半導(dǎo)體芯片3的各自的背面彼此相向的狀態(tài)下進(jìn)行粘接固定，在用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片3的背面粘接固定到半導(dǎo)體芯片支持引線6B1、6B2中的每一個(gè)上之后，進(jìn)行細(xì)絲鍵合。
細(xì)絲鍵合工序，用細(xì)絲8使半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤4和引線7的內(nèi)部部分7A電連，然后，保持該狀態(tài)不變進(jìn)行反轉(zhuǎn)后接觸加熱臺(tái)，用細(xì)絲8使半導(dǎo)體芯片3的電極焊盤4與引線7電連。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，可以得到與上邊所說(shuō)的實(shí)施例1、2同樣的效果。
(實(shí)施例4)圖16是作為本發(fā)明的實(shí)施例4的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖17是沿圖16的F-F線的模式性剖面圖，圖18是沿圖16的G-G線的模式性剖面圖。
如圖16、圖17和圖18所示，本實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置40，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例1、2的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。在圖16中，41是在半導(dǎo)體裝置40的制造方法中，在半導(dǎo)體裝置40的完成時(shí)，從引線框架最后切離封裝的封裝支持引線。
即，半導(dǎo)體芯片2的引線7的內(nèi)部部分7A在半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X上邊，與支持引線6的半導(dǎo)體芯片支持引線部分6B1、6B2同樣，用粘接劑(薄膜或涂敷層)5進(jìn)行粘接固定。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，就可以縮短把配置在半導(dǎo)體芯片3的短邊一側(cè)的引線7的內(nèi)部部分7A與半導(dǎo)體芯片2之間連接起來(lái)的鍵合細(xì)絲的細(xì)絲長(zhǎng)度。此外，借助于此，還可以防止在進(jìn)行模鑄時(shí)，因密封樹(shù)脂(樹(shù)脂)而引起的細(xì)絲傾斜所導(dǎo)致的‘細(xì)絲間的短路’或‘細(xì)絲與半導(dǎo)體芯片之間的短路’的發(fā)生。
此外，采用用配置在半導(dǎo)體芯片3的短邊一側(cè)的引線7的內(nèi)部部分7A支持半導(dǎo)體芯片3的辦法，半導(dǎo)體芯片3由于可以用上述半導(dǎo)體芯片支持引線部分6B1、6B2和配置在半導(dǎo)體芯片3的短邊一側(cè)的引線7的內(nèi)部部分7A支持，故可以大幅度地減小半導(dǎo)體芯片2、3的傾斜的電位。特別是可以確實(shí)地防止模鑄時(shí)的半導(dǎo)體芯片的傾斜。
(實(shí)施例5)
圖19是作為本發(fā)明的實(shí)施例5的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖20是沿圖19的H-H線的模式性剖面圖，圖21是沿圖19的I-I線的模式性剖面圖。
如圖19到圖21所示，本實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置50，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例4的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。
即，使用改變了上邊所說(shuō)的實(shí)施例4的支持引線6的形狀的支持引線51。該支持引線51的半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)51B，用粘接劑5粘接固定到半導(dǎo)體芯片2、3的各自的電路形成面2X、3X上。
上述支持引線51，由懸空引線部分51A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)51B構(gòu)成，兩者用同一材料一體地構(gòu)成。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，就可以使半導(dǎo)體芯片2與半導(dǎo)體芯片3的粘接和半導(dǎo)體芯片2、3的支持變得更加牢固。
其次，用圖22(模式性的剖面圖)說(shuō)明本實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置50的制造方法。
首先，如圖22(a)所示，把半導(dǎo)體芯片2裝設(shè)到加熱臺(tái)21上，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)51B的框架的背面粘接到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X上。
其次，如圖22(b)所示，把半導(dǎo)體芯片3載置到加熱臺(tái)25上，向半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的上邊涂敷粘接劑(例如，膏劑)5，把半導(dǎo)體芯片粘接到其上邊。
其次，如圖22(C)所示，用框架推壓構(gòu)件23推壓引線框架LF的上表面進(jìn)行固定，加熱加熱臺(tái)25使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)51B、使半導(dǎo)體芯片2、3的各個(gè)電極焊盤4進(jìn)行電連。
其次，用樹(shù)脂把半導(dǎo)體芯片2和3、支持引線51的內(nèi)部部分(懸空引線部分51A的內(nèi)部部分和四邊形形狀支持引線部分51B)、引線7的內(nèi)部部分7A和細(xì)絲8等密封起來(lái)形成樹(shù)脂密封體9。樹(shù)脂密封體9的形成用連續(xù)模鑄法進(jìn)行。這樣一來(lái)，就可以在圖9所示那樣的LF的框體11上形成本實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置50。
其次，切斷連結(jié)到引線7上的連桿10，然后，對(duì)引線7的每一個(gè)的外部部分7B施行電鍍處理，然后，從引線框架LF的框體11上切斷引線7，然后，作為表面貼裝式形狀把引線7的外部部分7B形成為例如鷗翼狀，然后，采用從引線框架LF的框體11上切斷支持引線6的辦法，大體上就完成了圖19到圖21所示的半導(dǎo)體裝置50。
(實(shí)施例6)圖23是作為本發(fā)明的實(shí)施例6的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖24是沿圖23的J-J線的模式性剖面圖，圖25是沿圖23的K-K線的模式性剖面圖。
如圖23和圖25所示，本實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置60，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例3的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。
即，在把半導(dǎo)體芯片2疊層到半導(dǎo)體芯片3的上邊時(shí)，與半導(dǎo)體芯片2、3的各自的電路形成面相反的一側(cè)的面(背面)彼此間用粘接劑5進(jìn)行粘接固定。該半導(dǎo)體芯片2、3的疊層體，用改變了半導(dǎo)體芯片支持引線6的形狀的半導(dǎo)體芯片支持引線61進(jìn)行支持。即，支持引線61的半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B，用粘接劑5粘接固定到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X和半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的相反的一側(cè)的面(背面)上。
上述支持引線61，由懸空引線部分61A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B構(gòu)成，兩者用同一材料一體地構(gòu)成。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，就可以使半導(dǎo)體芯片2與半導(dǎo)體芯片3的粘接和半導(dǎo)體芯片2、3的支持變得更加牢固。
另外，在本實(shí)施例6中，雖然用粘接劑5把與半導(dǎo)體芯片2、3的各自的電路形成面2X、3X相反的一側(cè)的面(背面)彼此間粘接固定起來(lái)，但是也可以不用粘接劑5而僅僅使該背面彼此間進(jìn)行接觸，用半導(dǎo)體芯片支持引線61進(jìn)行固定。
其次，用圖26(模式性剖面圖)說(shuō)明本實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置60的制造方法。圖26的(a)、(b)、(c)是沿圖23的K-K線的模式性剖面圖，(d)是沿23的J-J線的模式性剖面圖。
首先，如圖26(a)所示，把半導(dǎo)體芯片2裝設(shè)到加熱臺(tái)26上，從其上邊載置引線框架LF的半導(dǎo)體芯片支持引線61的半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)61B，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)61B的框架的背面粘接到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X上。
其次，如圖26(b)所示，把半導(dǎo)體芯片3裝設(shè)到加熱臺(tái)27上，向半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的相反的一側(cè)的面(背面)上邊涂敷粘接劑(例如，膏劑)5，把與半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X相反的一側(cè)的面(背面)載置到其上邊，載置引線框架LF的半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B和引線7的內(nèi)部部分7A，用工具22進(jìn)行推壓地進(jìn)行粘接固定。
其次，如圖26(C)所示，用框架推壓構(gòu)件23推壓引線框架LF的上表面地固定半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B和引線7的內(nèi)部部分7A，加熱加熱臺(tái)27使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)61B、半導(dǎo)體芯片3的電極焊盤4進(jìn)行電連。
其次，如圖26(d)所示，在上述工序結(jié)束之后，使半導(dǎo)體芯片2、3進(jìn)行反轉(zhuǎn)以便使半導(dǎo)體芯片3變成為上邊之后，用引線框架壓板23固定半導(dǎo)體芯片2、3的疊層體，加熱加熱臺(tái)28使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)61B、半導(dǎo)體芯片3電極焊盤4進(jìn)行電連。
在該工序中，為了防止半導(dǎo)體芯片3與細(xì)絲8之間的接觸，在加熱臺(tái)28的兩側(cè)設(shè)置有深的凹坑28A。
其次，用樹(shù)脂對(duì)半導(dǎo)體芯片2和3、半導(dǎo)體芯片支持引線61的內(nèi)部部分(懸空引線部分61A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分61B)、引線7的內(nèi)部部分7A和細(xì)絲8等進(jìn)行密封，形成樹(shù)脂密封體9。樹(shù)脂密封體9的形成用連續(xù)模鑄法進(jìn)行。這樣一來(lái)，就可以在圖9所示那樣的引線框架LF上形成本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置60。
(實(shí)施例7)圖27是作為本發(fā)明的實(shí)施例7的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性的平面圖，圖28是沿圖23的L-L線的模式性的剖面圖，圖29是沿圖23的M-M線的模式性剖面圖。
如圖27到圖29所示，本實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置70，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例5的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。
就是說(shuō)，半導(dǎo)體芯片2被載置到半導(dǎo)體芯片3上邊，而且，與半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X相反的一側(cè)的面(背面)和半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X，中間存在著樹(shù)脂密封材料(樹(shù)脂密封體9的樹(shù)脂9A)地進(jìn)行固定，半導(dǎo)體芯片支持引線71，被粘接固定到半導(dǎo)體芯片2、3的各自的電路形成面2X、3X上邊。半導(dǎo)體芯片支持引線71，由懸空引線部分71A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)71B構(gòu)成，兩者用同一材料一體地構(gòu)成。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，由于在半導(dǎo)體芯片2和半導(dǎo)體芯片3的相向面上不使用粘接劑，而是中間存在著樹(shù)脂密封材料地形成疊層體，故可以防止半導(dǎo)體裝置因回流焊時(shí)的熱和動(dòng)作時(shí)的熱所產(chǎn)生的熱膨脹而產(chǎn)生的裂紋。
其次，用圖30(模式性剖面圖)說(shuō)明本實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置70的制造方法。
首先，如圖30(a)所示，把半導(dǎo)體芯片2裝設(shè)到加熱臺(tái)24上，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片支持引線71的半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)71B的框架的背面粘接到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X上。
其次，如圖30(b)所示，把半導(dǎo)體芯片3裝設(shè)到加熱臺(tái)25上，向半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的上邊涂敷粘接劑5和膏劑，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，使與半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X相反的一側(cè)的面(背面)2Y和半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X相向，用半導(dǎo)體芯片支持引線71，把兩者固定支持為使得形成在兩者之間存在著間隙9B的疊層體，同時(shí)，有粘接劑5把引線7的內(nèi)部部分7A的引線粘接部分粘接固定到半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X上邊。
其次，如圖30(C)所示，用框架推壓構(gòu)件23推壓引線框架LF的上表面地進(jìn)行固定，加熱加熱臺(tái)25，固定引線7的內(nèi)部部分7A，通過(guò)細(xì)絲(例如金絲)8使半導(dǎo)體芯片2、3的各自的各個(gè)電極焊盤4和引線7的內(nèi)部部分7A進(jìn)行電連。
其次，用樹(shù)脂對(duì)半導(dǎo)體芯片2、3和細(xì)絲8以及引線7的內(nèi)部部分7A進(jìn)行密封形成樹(shù)脂密封體9。樹(shù)脂密封體用連續(xù)模鑄法進(jìn)行。這樣一來(lái)，就可以在圖9所示的那樣的引線框架LF上形成本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置70。
(實(shí)施例8)圖31是作為本發(fā)明的實(shí)施例8的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖32是沿圖31的N-N線的模式性剖面圖，圖33是沿圖31的P-P線的模式性剖面圖。
如圖31到圖33所示，本實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置80，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例6的構(gòu)成基本上相同，以下的構(gòu)成不同。
就是說(shuō)，在半導(dǎo)體芯片3上邊疊層半導(dǎo)體芯片2時(shí)，使與半導(dǎo)體芯片2、3的電路形成面2X、3X各自的相反的一側(cè)的面(背面)2Y、3Y相向，使得在兩者之間中間存在著間隙地形成疊層體那樣地使用半導(dǎo)體芯片支持引線81。用粘接劑5，把該半導(dǎo)體芯片支持引線81的半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B，粘接固定到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X和半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X的相反的一側(cè)的面(背面)3Y上。
半導(dǎo)體芯片支持引線部分61，由懸空引線部分61A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分(匯流條)61B構(gòu)成，兩者用同一材料一體地構(gòu)成。
采用象這樣地構(gòu)成的辦法，由于在半導(dǎo)體芯片2和半導(dǎo)體芯片3的相向面上不使用粘接劑，而是中間存在著樹(shù)脂密封材料地形成疊層體，故可以防止半導(dǎo)體裝置因回流焊時(shí)的熱和動(dòng)作時(shí)的熱所產(chǎn)生的熱膨脹而產(chǎn)生的裂紋。
其次，用圖34說(shuō)明本實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置80的制造方法。
首先，如圖34(a)所示，把半導(dǎo)體芯片2裝設(shè)到加熱臺(tái)26上，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，用粘接劑5把半導(dǎo)體芯片支持引線81的半導(dǎo)體芯片引線部分(匯流條)81B的框架的背面粘接到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X上。
其次，如圖34(b)所示，把半導(dǎo)體芯片3裝設(shè)到與加熱臺(tái)27不是一個(gè)的別的加熱臺(tái)27上，向與半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X相反的一側(cè)的面(背面)3Y的上邊涂敷粘接劑5(例如膏劑)，從其上邊載置引線框架LF，邊加熱工具22邊進(jìn)行推壓，粘接固定兩者并用半導(dǎo)體芯片支持引線81進(jìn)行支持為使得形成在與半導(dǎo)體芯片2的電路形成面2X相反的一側(cè)的面(背面)2Y和與半導(dǎo)體芯片3的電路形成面3X相反的一側(cè)的面(背面)3Y之間存在著間隙9B的疊層體，同時(shí)，用粘接劑5把引線7的內(nèi)部部分7A的引線粘接部分粘接固定到半導(dǎo)體芯片3的背面3Y上邊。
其次，如圖34(C)所示，用框架推壓構(gòu)件23推壓引線框架LF的上表面地進(jìn)行固定，加熱加熱臺(tái)27，使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)51B、半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤4進(jìn)行電連。
其次，如圖34(d)所示，在上述圖34(c)的工序結(jié)束之后，使半導(dǎo)體芯片2、3進(jìn)行反轉(zhuǎn)以便使半導(dǎo)體芯片3變成為上邊之后，用引線框架壓板23把引線框架LF的背面固定到加熱臺(tái)28上，加熱加熱臺(tái)28使半導(dǎo)體芯片2、3變熱，用細(xì)絲(例如金絲)8分別使引線7的內(nèi)部部分7A、半導(dǎo)體芯片支持部分(匯流條)51B、半導(dǎo)體芯片3的電極焊盤4進(jìn)行電連。
在該工序中，為了防止半導(dǎo)體芯片3與細(xì)絲8之間的接觸，在加熱臺(tái)28的兩側(cè)設(shè)置有深的凹坑28A。
其次，用樹(shù)脂對(duì)半導(dǎo)體芯片2和3、半導(dǎo)體芯片支持引線81的內(nèi)部部分(懸空引線部分81A和半導(dǎo)體芯片支持引線部分81B)、引線7的內(nèi)部部分7A和細(xì)絲8等進(jìn)行密封，形成樹(shù)脂密封體9。樹(shù)脂密封體9的形成用連續(xù)模鑄法進(jìn)行。這樣一來(lái)，就可以在圖9所示的那樣的引線框架LF上形成本實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置80。
(實(shí)施例9)圖35是作為本發(fā)明的實(shí)施例9的已除去了半導(dǎo)體裝置上部的狀態(tài)的模式性平面圖，圖36是沿圖35的Q-Q線的模式性剖面圖，圖37是沿圖35的R-R線的模式性剖面圖，圖38是沿圖35的S-S線的模式性剖面圖，圖39的模式性平面圖示出了圖35的一部分，圖40的模式性平面圖示出了圖35的一部分，圖41是對(duì)圖36的一部分?jǐn)U大后的模式性平面圖。
如圖35到圖38所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成是，使每一個(gè)半導(dǎo)體芯片(第1半導(dǎo)體芯片)110、每一個(gè)半導(dǎo)體芯片(第2半導(dǎo)體芯片)112上下地進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體117密封該半導(dǎo)體芯片110和112。
半導(dǎo)體芯片110、112中的每一個(gè)用不同的平面尺寸(外形尺寸)形成，每一個(gè)的平面形狀都用矩形形狀形成。半導(dǎo)體芯片110，例如，可以用7.21 [mm]×7.21[mm]的正方形形成，半導(dǎo)體芯片112例如可以用11.59[mm]×8.38[mm]的長(zhǎng)方形形成。
半導(dǎo)體芯片110、112中的每一個(gè)的構(gòu)成都是，例如，以由單晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底、在該半導(dǎo)體襯底的電路形成面上邊，多段重疊絕緣層、布線層中的每一個(gè)層的多層布線層、把該多層布線層被覆起來(lái)那樣地形成的表面保護(hù)膜(最后保護(hù)膜)為主體。作為存儲(chǔ)電路，把例如被稱之為閃速存儲(chǔ)器的256兆位的EEPROM(ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)電路內(nèi)置于半導(dǎo)體芯片112內(nèi)。在半導(dǎo)體芯片110內(nèi)內(nèi)置有例如控制半導(dǎo)體芯片112的存儲(chǔ)電路的控制電路。
在本身為半導(dǎo)體芯片110的彼此相向的一個(gè)主面(第1主面)和另一個(gè)主面(第2主面)之內(nèi)的一個(gè)主面的電路形成面110X上，形成有多個(gè)電極焊盤(鍵合焊盤)111。該多個(gè)電極焊盤111中的每一個(gè)都在半導(dǎo)體芯片110的多層布線層之內(nèi)的最上層的布線層上形成。最上層的布線層用在其上層上形成的表面保護(hù)膜被覆起來(lái)，在該表面保護(hù)膜上形成使電極焊盤111的表面露出來(lái)的鍵合開(kāi)口。
在本身為半導(dǎo)體芯片112的彼此相向的一個(gè)主面(第1主面)和另一個(gè)主面(第2主面)之內(nèi)的一個(gè)主面的電路形成面112X上，形成有多個(gè)電極焊盤(鍵合焊盤)113。該多個(gè)電極焊盤113中的每一個(gè)都在半導(dǎo)體芯片112的多層布線層之內(nèi)的最上層的布線層上形成。最上層的布線層用在其上層上形成的表面保護(hù)膜被覆起來(lái)，在該表面保護(hù)膜上形成使電極焊盤113的表面露出來(lái)的鍵合開(kāi)口。
多個(gè)電極焊盤111被分割成4個(gè)電極焊盤群。第1電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤111，如圖39所示，在半導(dǎo)體芯片110的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的一方的邊110A一側(cè)，沿著該一方的邊110A排列。第2電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤111，在半導(dǎo)體芯片110的彼此相向的2個(gè)邊之內(nèi)的另一方的邊110B一側(cè)，沿著該一方的邊110B排列。第3電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤111，在半導(dǎo)體芯片110的彼此相向的另外的2個(gè)邊(與邊110A和邊110B相交的邊)之內(nèi)的一方的邊110C一側(cè)，沿著該一方的邊110C排列。第4電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤111，在半導(dǎo)體芯片110的彼此相向的另外的2個(gè)邊之內(nèi)的一方的邊110D一側(cè)，沿著該一方的邊110D排列。
多個(gè)電極焊盤113被分割成2個(gè)電極焊盤群。第1電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤113，在半導(dǎo)體芯片112的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的一方的長(zhǎng)邊112A一側(cè)，沿著該一方的長(zhǎng)邊112A排列。第2電極焊盤群的每一個(gè)的電極焊盤113，在半導(dǎo)體芯片112的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊之內(nèi)的另一方的長(zhǎng)邊112B一側(cè)，沿著該一方的長(zhǎng)邊112B排列。
如圖35到圖38所示，半導(dǎo)體芯片110被配置在與本身為半導(dǎo)體芯片110的另一個(gè)主面(第2主面)的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的面上邊。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片110，被配置在與半導(dǎo)體芯片110的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上邊。
可以用矩形形狀形成樹(shù)脂密封體117的平面形狀。在本實(shí)施例中，樹(shù)脂密封體的平面形狀，用例如20[mm]×14[mm]的長(zhǎng)方形形成。樹(shù)脂密封體117，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例一樣，用適合于大量生產(chǎn)的連續(xù)模鑄法形成。
在半導(dǎo)體芯片110的外周圍一側(cè)，配置有沿著樹(shù)脂密封體117的彼此相向的2個(gè)長(zhǎng)邊和短邊排列的多個(gè)引線101。多個(gè)引線101中的每一個(gè)的構(gòu)成，都跨越樹(shù)脂密封體117的內(nèi)外地延伸，具有位于樹(shù)脂密封體117的內(nèi)部的內(nèi)部部分101A和位于樹(shù)脂密封體117的外部的外部部分101B。多個(gè)引線101中的每一個(gè)的外部部分，都被彎曲成型為本身為表面貼裝式引線形狀的例如鷗翼式引線形狀。
在多個(gè)引線101之內(nèi)，引線102，如圖35、圖36和圖38所示，內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲116電連到半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111上。該引線101，在半導(dǎo)體芯片110的各邊(110A～110D)的外側(cè)分別設(shè)置有多個(gè)。
在多個(gè)引線101之內(nèi)，引線103，如圖35和圖37所示，內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲116電連到半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113上。該引線102，在半導(dǎo)體芯片112的2個(gè)長(zhǎng)邊(112A、112B)的外側(cè)分別設(shè)置有多個(gè)。
在多個(gè)引線101之內(nèi)，引線104，如圖35和圖39所示，內(nèi)部部分與引線105形成為一個(gè)整體。引線104，在半導(dǎo)體芯片110的邊110A和110D的外側(cè)各設(shè)置一個(gè)，在半導(dǎo)體芯片110的邊110B的外側(cè)設(shè)置有2個(gè)。引線105被配置在引線102、103的各自的內(nèi)部部分的頂端與半導(dǎo)體芯片110之間，把半導(dǎo)體芯片110的外周圍圍起來(lái)那樣地進(jìn)行延伸。在本實(shí)施例中，引線5的構(gòu)成為具有位于半導(dǎo)體芯片112的一方的長(zhǎng)邊112A的外側(cè)的第1部分、位于半導(dǎo)體芯片112的另一方的長(zhǎng)邊112B的外側(cè)的第2部分、在半導(dǎo)體芯片110的邊110C的外側(cè)在半導(dǎo)體芯片112上邊延伸的第3部分和在半導(dǎo)體芯片110的邊110D的外側(cè)在半導(dǎo)體芯片112上邊延伸的第4部分。
引線104的內(nèi)部部分和引線105，通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲116電連到在半導(dǎo)體芯片110的電路形成面110X上形成的多個(gè)電極焊盤111之內(nèi)的電源用電極焊盤(固定電位用電極焊盤)上，還通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲116電連到在半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上形成的多個(gè)電極焊盤113之內(nèi)的電源用電極焊盤(固定電位用電極焊盤)上。就是說(shuō)，引線104和105，可以用作電源用引線(固定電位用引線)。在本實(shí)施例中，引線104的內(nèi)部部分和引線105已電連到電源用電極焊盤之內(nèi)電位固定于基準(zhǔn)電位(例如0[V])的基準(zhǔn)電位用電極焊盤上。
另外，在多個(gè)引線102之內(nèi)，大多數(shù)的引線102被用做信號(hào)用引線，其它的引線102則被用做被電位固定于電源用引線(動(dòng)作電位(例如5[V]))的動(dòng)作電位用引線，或基準(zhǔn)電位用引線。此外，在多個(gè)引線103之內(nèi)，大多數(shù)的引線103被用做信號(hào)用引線，其它的引線103則被用做電源用引線。
引線105的分枝引線部分中間存在著絕緣性的粘接帶106地粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。就是說(shuō)，引線104和引線105可以兼用做用來(lái)支持半導(dǎo)體芯片112的支持引線(懸空引線)。作為粘接帶106，并不限定于此，例如可以使用在由聚酰亞胺系的樹(shù)脂構(gòu)成的基材的兩主面(彼此相向的一個(gè)主面和另一個(gè)主面)上設(shè)置有由聚酰亞胺系的熱可塑性樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層的3層構(gòu)造的粘接帶。
在多個(gè)引線102之內(nèi)，配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110C的外側(cè)的引線102和配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110D的外側(cè)的引線102，即，配置在半導(dǎo)體芯片112的短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102，如圖38和圖40所示，內(nèi)部部分的一部分在半導(dǎo)體芯片110的外側(cè)被配置為使得與半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X重疊，內(nèi)部部分的頂端部分中間存在著粘接帶地粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。就是說(shuō)，配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110C的外側(cè)的引線102和配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110D的外側(cè)的引線102，可以兼用做用來(lái)支持半導(dǎo)體芯片112的支持引線。
如圖39所示，半導(dǎo)體芯片110，使得邊110A位于半導(dǎo)體芯片112的一方的長(zhǎng)邊112A一側(cè)，使邊110B位于半導(dǎo)體芯片112的另一方的長(zhǎng)邊112B一側(cè)那樣地被配置在半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上邊。配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110A一側(cè)和110B一側(cè)的電極焊盤111，個(gè)數(shù)比配置在半導(dǎo)體芯片110的邊110C一側(cè)和邊110D一側(cè)的電極焊盤111少。就是說(shuō)，半導(dǎo)體芯片110、112的中每一個(gè)，使得半導(dǎo)體芯片110的各邊之內(nèi)電極焊盤的個(gè)數(shù)比其它的邊少的邊位于半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊一側(cè)那樣地，使半導(dǎo)體芯片110的背面110Y與半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X相向的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。采用這樣構(gòu)成的辦法，由于可以減少半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊的外側(cè)的引線的個(gè)數(shù)，故可以抑制半導(dǎo)體芯片12的長(zhǎng)邊方向上的半導(dǎo)體裝置的大型化。
此外，由于半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊一側(cè)的細(xì)絲116的個(gè)數(shù)也可以減少，故還可以抑制因形成樹(shù)脂密封體時(shí)的樹(shù)脂的流動(dòng)而產(chǎn)生的細(xì)絲間短路。
另外，本實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片112雖然變成為在2個(gè)長(zhǎng)邊一側(cè)排列電極焊盤113的2邊排列構(gòu)造，但是如上邊所說(shuō)的實(shí)施例1的半導(dǎo)體芯片3那樣，在半導(dǎo)體芯片的電極焊盤變成為一邊排列的情況下，理想的是，在半導(dǎo)體芯片110的4個(gè)邊之內(nèi)，電極焊盤111的個(gè)數(shù)最少的邊位于半導(dǎo)體芯片112的焊盤排列邊一側(cè)的狀態(tài)下使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層。
引線105橫切半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113之間。采用作成為這樣的構(gòu)成的部分，來(lái)提高在半導(dǎo)體芯片112的外周圍的外側(cè)和半導(dǎo)體芯片112上邊延伸的引線5的引繞自由度。
半導(dǎo)體芯片110、112中的每一個(gè)都在使半導(dǎo)體芯片110的背面110Y與半導(dǎo)體芯片12的電路形成面112X相向的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。采用作成為這樣構(gòu)成的辦法，由于可以用半導(dǎo)體芯片110的厚度抵消把半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113與引線103電連的細(xì)絲116的回線的高度，故與使半導(dǎo)體芯片110、112的各自的背面彼此間相向的情況比，可以把樹(shù)脂密封體117的厚度形成得薄。
如圖36到圖38所示，半導(dǎo)體芯片110，中間存在著絕緣性的粘接帶114地粘接固定到半導(dǎo)體芯片2的電路形成面112X上。作為粘接帶114并不限于此，例如可以使用在由聚酰亞胺系的樹(shù)脂構(gòu)成的基材的兩主面(彼此相向的一個(gè)主面和另一個(gè)主面)上設(shè)置有由聚酰亞胺系的熱可塑性樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層的3層構(gòu)造的粘接帶。
如圖35到圖38所示，用樹(shù)脂密封體117把半導(dǎo)體芯片(110、112)、多個(gè)引線101的各自的內(nèi)部部分、細(xì)絲116和引線107等密封起來(lái)。引線107，在樹(shù)脂密封體117的4個(gè)拐角處各設(shè)置一個(gè)。引線107，在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中用來(lái)把樹(shù)脂密封體支持到引線框架的框體上。
這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置100，與上邊所說(shuō)的實(shí)施例同樣，可以用使用引線框架的制造工藝制造。本實(shí)施例的引線框架，由于與在上邊所說(shuō)的實(shí)施例中使用的引線框架的構(gòu)成大體上是同樣的，只是引線圖形有些不同，故省略在本實(shí)施例中的說(shuō)明。
其次，用圖42到圖48說(shuō)明半導(dǎo)體裝置100的制造。圖42示出了在作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造中使用的第1半導(dǎo)體晶片的概略構(gòu)成((a)是模式性平面圖，(b)是模式性剖面圖)，圖43示出了在作為實(shí)施例9的半導(dǎo)體裝置的制造中使用的第2半導(dǎo)體晶片的概略構(gòu)成((a)是模式性平面圖，(b)是模式性剖面圖)，圖44到圖48是用來(lái)說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的制造的模式性剖面圖。
首先，作為半導(dǎo)體晶片，準(zhǔn)備由例如720[微米]左右厚度的單晶硅構(gòu)成的第1半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底)120和第2半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體襯底)120。
其次，在第1半導(dǎo)體晶片120中，在第1半導(dǎo)體晶片120的電路形成面120X上，形成半導(dǎo)體器件、絕緣層、布線層、電極焊盤(111)、表面保護(hù)膜、鍵合開(kāi)口等，行列狀地形成實(shí)質(zhì)上構(gòu)成同一存儲(chǔ)電路的多個(gè)芯片形成區(qū)域121。在第2半導(dǎo)體晶片130中，在第2半導(dǎo)體晶片130的電路形成面130X上，形成半導(dǎo)體器件、絕緣層、布線層、電極焊盤(113)、表面保護(hù)膜、鍵合開(kāi)口等，行列狀地形成實(shí)質(zhì)上構(gòu)成同一存儲(chǔ)電路的多個(gè)芯片形成區(qū)域131。多個(gè)芯片形成區(qū)域121中的每一個(gè)，都通過(guò)用來(lái)切斷第1半導(dǎo)體晶片120的切片區(qū)域(切斷區(qū)域)122彼此隔離的狀態(tài)下進(jìn)行排列。多個(gè)芯片形成區(qū)域131，通過(guò)用來(lái)切斷第2半導(dǎo)體晶片130的切片區(qū)域132彼此隔離的狀態(tài)下進(jìn)行排列。到此為止的工序示于圖42和圖43。
其次，在第1半導(dǎo)體晶片120中，如圖44(a)所示，研削與第1半導(dǎo)體晶片120的電路形成面120X相向的背面120Y使厚度變薄。在第2半導(dǎo)體晶片130中，研削與第2半導(dǎo)體晶片130的電路形成面130X相向的背面130Y使厚度變薄。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片的厚度，例如研削到0.24[mm]左右為止。
其次，如圖44(b)所示，把粘接帶114粘貼到第1半導(dǎo)體晶片120的背面120Y上。粘接帶114的粘貼，并不限于此，可以采用這樣的辦法進(jìn)行首先，把第1半導(dǎo)體晶片120貼裝到比第1半導(dǎo)體晶片120的平面尺寸還大的粘接帶114上，然后用熱壓粘接粘貼粘接帶114，然后，沿著第1半導(dǎo)體晶片120的輪廓剪下粘接帶114。另外，對(duì)第2半導(dǎo)體晶片130的背面130Y不進(jìn)行粘接帶114的粘貼。
然而，粘接帶114的粘貼，理想的是，在把第1半導(dǎo)體晶片120分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片110之前，就是說(shuō)在半導(dǎo)體晶片的階段進(jìn)行。其理由如下若在把半導(dǎo)體晶片120分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體芯片110之后進(jìn)行，處理單位與晶片狀態(tài)比要增大至數(shù)百倍，處理將變得煩雜，結(jié)果將影響品質(zhì)、價(jià)格。
其次，在第1半導(dǎo)體晶片120中，如圖44(c)所示，把半導(dǎo)體晶片120貼裝到切片薄板125的粘接層一側(cè)，然后，如圖44(d)所示，用切片裝置對(duì)半導(dǎo)體晶片120的切片區(qū)域122和粘接帶114進(jìn)行切片。借助于此，在電路形成面110X上形成控制電路和電極焊盤(111)等，形成已把粘接帶114粘貼到背面110Y上的半導(dǎo)體芯片110。在第2半導(dǎo)體晶片130中，把半導(dǎo)體晶片130貼裝到切片薄板的粘接層一側(cè)，然后，用切片裝置對(duì)半導(dǎo)體晶片130的切片區(qū)域132進(jìn)行切片。借助于此，在電路形成面112上形成控制電路和電極焊盤(113)等，形成用比半導(dǎo)體芯片110還大的平面尺寸形成的半導(dǎo)體芯片112。
在該工序中，由于粘接帶114與由硅構(gòu)成的襯底比用柔軟的樹(shù)脂性材料形成，故可以容易地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片120的切片。此外，粘接帶114，由于可以與半導(dǎo)體晶片120一起切片，故可以容易地形成與半導(dǎo)體芯片110的外形尺寸一致的粘接帶114。
其次，把半導(dǎo)體芯片112粘接固定到引線框架上。引線框架與半導(dǎo)體芯片112之間的粘接固定，可以采用把配置在半導(dǎo)體芯片112的短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上的辦法進(jìn)行。引線102與半導(dǎo)體芯片112之間的粘接固定，可以采用如下的辦法進(jìn)行如圖45所示，先把半導(dǎo)體芯片112定位到加熱臺(tái)141上邊，然后，中間存在著粘接帶106地把引線102的內(nèi)部部分的頂端部分定位并配置到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X的短邊一側(cè)，然后，用已經(jīng)加熱的鍵合工具140熱壓粘接引線102的內(nèi)部部分的頂端部分。在該工序中，雖然細(xì)節(jié)未畫出來(lái)，但引線105的分枝部分也被熱壓粘接，該分枝引線部分也中間存在著粘接帶106地被粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。
在該工序中，半導(dǎo)體芯片112，通過(guò)引線102被支持到引線框架上。
其次，把半導(dǎo)體芯片110粘接固定到半導(dǎo)體芯片112上。半導(dǎo)體芯片112與半導(dǎo)體芯片110之間的粘接固定，可以采用下述辦法進(jìn)行如圖46所示，先使被粘貼到半導(dǎo)體芯片110的背面110Y上的粘接帶114在與半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X相向的狀態(tài)下，使半導(dǎo)體芯片110定位并配置到半導(dǎo)體芯片112上邊，然后，用已經(jīng)加熱的鍵合工具142熱壓粘接半導(dǎo)體芯片110。
在該工序中，半導(dǎo)體芯片112通過(guò)引線102被支持到引線框架上，半導(dǎo)體芯片110被粘接固定到半導(dǎo)體芯片112上。就是說(shuō)，由于半導(dǎo)體芯片110、112都被支持到引線框架上，故可以省略用來(lái)支持半導(dǎo)體芯片的接頭(管芯墊)。
然而，半導(dǎo)體芯片112與半導(dǎo)體芯片110之間的粘接固定，也可以采用先把膏狀的粘接劑涂敷到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上形成粘接層，然后熱壓粘接半導(dǎo)體芯片110的辦法進(jìn)行。但是，由于粘接劑的涂敷通?？梢杂枚帱c(diǎn)涂敷法進(jìn)行，故起因于涂敷量的不均一粘接層的厚度易于成為不均一。在粘接層的厚度已變成為不均一的情況下，半導(dǎo)體芯片110對(duì)半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X的傾斜增大。在半導(dǎo)體芯片110的傾斜增大的情況下，在此后的細(xì)絲鍵合工序中，易于發(fā)生半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與細(xì)絲間的連接不合格。此外，起因于粘接層的厚度變成為不均一，由于在熱壓粘接半導(dǎo)體芯片112時(shí)，粘接劑在半導(dǎo)體芯片112的周圍產(chǎn)生汲出的比率增加，粘接劑易于在半導(dǎo)體芯片110的電路形成面110X一側(cè)形成縮進(jìn)一圈的現(xiàn)象，在細(xì)絲鍵合工序中，易于產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與細(xì)絲間的接觸不良。
在本實(shí)施例中，用粘接帶114粘接固定半導(dǎo)體芯片110和半導(dǎo)體芯片112。粘接帶114與用粘接劑的涂敷形成的粘接層比較，由于可以使厚度變成為均一，故可以抑制半導(dǎo)體芯片110的傾斜和汲出量。
另外，半導(dǎo)體芯片110，被配置為使得半導(dǎo)體芯片110的邊110A位于半導(dǎo)體芯片112的一方的長(zhǎng)邊112A一側(cè)，半導(dǎo)體芯片110的邊110B位于半導(dǎo)體芯片112的另一方的長(zhǎng)邊112B一側(cè)。
其次，用導(dǎo)電性的細(xì)絲116把半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與引線的內(nèi)部部分102、半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113與引線103的內(nèi)部部分、半導(dǎo)體芯片110、112的各自的電極焊盤(111、113)與引線104的內(nèi)部部分、和半導(dǎo)體芯片110、112的各自的電極焊盤(111、113)與引線105電連起來(lái)。這些用細(xì)絲116進(jìn)行的電連，如圖47所示，在用引線框架推壓構(gòu)件145推壓固定引線101(102、103、104)，且已對(duì)加熱臺(tái)143加熱的狀態(tài)下進(jìn)行。作為細(xì)絲116例如使用金絲。作為細(xì)絲116的連接方法，使用例如與熱壓粘接同時(shí)使用超聲波振動(dòng)的球焊法。
在該工序中，配置在半導(dǎo)體芯片112的2個(gè)短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102，由于內(nèi)部部分的頂端部分已被配置在半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112A上邊，故可以縮短把這些引線102的內(nèi)部部分與半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤111電連起來(lái)的細(xì)絲116的長(zhǎng)度。
此外，半導(dǎo)體芯片110，由于中間存在著粘接帶114地被粘接固定到半導(dǎo)體芯片112上，故可以抑制半導(dǎo)體芯片110的傾斜和粘接劑的汲出量。因此，可以抑制半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與細(xì)絲116之間的連接不良。
此外，半導(dǎo)體芯片110，由于在半導(dǎo)體芯片110的背面110Y與半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X相向的狀態(tài)下被配置到半導(dǎo)體芯片112上邊，故可以用同一工序進(jìn)行使半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與引線102電連的細(xì)絲連接工序、和使半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113與引線103電連的細(xì)絲連接工序。
其次，如圖48所示，使引線框架定位于連續(xù)模鑄裝置的成型模具150的上模150A和下模150B之間。這時(shí)，在由上模150A和下模150B形成的腔體151的內(nèi)部，配置半導(dǎo)體芯片(110、112)、引線101(102、103、104)的內(nèi)部部分、引線105、引線106和細(xì)絲116等。
其次，從成型模具150的罐，通過(guò)流道和流入澆口，向腔體151內(nèi)加壓注入流動(dòng)性的樹(shù)脂形成樹(shù)脂密封體。用上樹(shù)脂密封體對(duì)半導(dǎo)體芯片(110、112)、引線101(102、103、104)的內(nèi)部部分、引線105、引線106和細(xì)絲116等進(jìn)行密封。作為樹(shù)脂，例如使用已添加進(jìn)苯酚系硬化劑、硅酮橡膠和填充劑的環(huán)氧樹(shù)脂系的熱硬化性樹(shù)脂。
其次，切斷已連接到引線101上的連桿，然后，對(duì)引線101的外部部分施行電鍍處理，然后從引線框架的框體上切斷引線101，然后，把引線101中的外部部分彎曲成型為本身為表面貼裝式引線形狀之一的例如鷗翼式引線形狀，然后，采用從引線框架的框體上切斷引線107的辦法，大體上完成圖35到圖38所示的半導(dǎo)體裝置100。
然而，在用切片法進(jìn)行分割的半導(dǎo)體芯片中，背面一側(cè)的周緣部分(與切斷面相交的拐角部分)上，有時(shí)候會(huì)附著有尚未完全分離的狀態(tài)的碎屑(Si屑)，在把上邊的半導(dǎo)體芯片配置到下邊的半導(dǎo)體芯片上邊時(shí)，附著在上邊的半導(dǎo)體芯片的背面一側(cè)周緣部分上的碎屑就會(huì)落到下邊的半導(dǎo)體芯片上，常常會(huì)因該落下來(lái)的碎屑而發(fā)生使雙方的半導(dǎo)體芯片受到損傷的遺憾。但是，在本實(shí)施例的情況下，由于在把粘接帶114粘貼到半導(dǎo)體晶片120的背面上的狀態(tài)下切割半導(dǎo)體晶片120和粘接帶114形成半導(dǎo)體芯片110，故即便是在半導(dǎo)體芯片110的背面一側(cè)周緣部分上發(fā)生了未完全分離的狀態(tài)的碎屑，碎屑也可以被粘接帶114保持起來(lái)。因此，可以防止碎屑向要配置半導(dǎo)體芯片110的半導(dǎo)體芯片112上落下。
其次，用圖49對(duì)已組裝進(jìn)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100的CF卡(Compact Flash，小型閃速)卡(電子裝置)進(jìn)行說(shuō)明。圖49是CF卡的模式性平面圖。
如圖49所示，CF卡160的構(gòu)成是主要具有布線基板161、連接器163和半導(dǎo)體裝置100。半導(dǎo)體裝置100已裝配到布線基板的一個(gè)主面上邊。
在半導(dǎo)體裝置100中，半導(dǎo)體芯片110的電源用電極焊盤和半導(dǎo)體芯片12的電源用電極焊盤，在樹(shù)脂密封體117的內(nèi)部通過(guò)引線101(104)彼此進(jìn)行電連。另一方面，半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)用電極焊盤與半導(dǎo)體芯片112的信號(hào)用電極焊盤，在樹(shù)脂密封體117的內(nèi)部不進(jìn)行電連。因此，半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)用電極焊盤與半導(dǎo)體芯片112的信號(hào)用電極焊盤必須電連。在本實(shí)施例中，已連接到半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)用電極焊盤上的引線101(102)與已電連到半導(dǎo)體芯片112的信號(hào)用電極焊盤上的引線101(103)通過(guò)在布線基板161上形成的布線162電連起來(lái)。理所當(dāng)然的是，僅僅引線101(102)與引線101(103)之間的電連，是電連所必須的引線。
如上所述，采用把半導(dǎo)體裝置110裝載到布線基板161上的辦法，就可以用一個(gè)半導(dǎo)體裝置110構(gòu)成卡系統(tǒng)。此外，與把已裝載上半導(dǎo)體芯片110的半導(dǎo)體裝置和已裝載上半導(dǎo)體芯片112的半導(dǎo)體裝置裝配到布線基板161的情況下進(jìn)行比較，可以實(shí)現(xiàn)CF卡的小型化。
此外，采用通過(guò)布線基板161的布線162，把已電連到半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)用電極焊盤上的引線101(102)與已電連到半導(dǎo)體芯片112的信號(hào)用電極焊盤101(103)電連起來(lái)的辦法，由于可以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體裝置100的引腳配置，此外，還可以減少細(xì)絲116的個(gè)數(shù)，故可以提供生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體裝置100。
如上所述，倘采用本實(shí)施例，則可以得到以下的效果。
(1)半導(dǎo)體芯片110被粘接固定到與半導(dǎo)體芯片110的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的面上。此外，在通過(guò)細(xì)絲116進(jìn)行電連到半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111上的引線102之內(nèi)，配置在半導(dǎo)體芯片112的2個(gè)短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102的內(nèi)部部分，被粘接固定與半導(dǎo)體芯片110的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的面上。
采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，在半導(dǎo)體裝置的制造中，由于半導(dǎo)體芯片110、112中的每一個(gè)都可以支持到引線框架上，故可以省略用來(lái)支持半導(dǎo)體芯片的接頭(匯流條)。此外，由于引線102的厚度可以用半導(dǎo)體芯片110的厚度抵消，故即便是用引線102支持半導(dǎo)體芯片112，也不會(huì)使樹(shù)脂密封體117的厚度變厚。結(jié)果是，由于可以把樹(shù)脂密封體117的厚度形成得薄，故可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置100的薄型化。
此外，由于可以縮短使半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與引線102電連的細(xì)絲16的長(zhǎng)度，故可以減小信號(hào)傳播路徑的阻抗。結(jié)果是可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置100的高速化。
(2)半導(dǎo)體芯片110，被粘接固定到與半導(dǎo)體芯片110的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。此外，在通過(guò)細(xì)絲116電連到半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111上的引線102之內(nèi)，配置在半導(dǎo)體芯片112的2個(gè)短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102的一部分，被粘接固定到與半導(dǎo)體芯片110的背面110Y相向的半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。
采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，由于可以用半導(dǎo)體芯片110的厚度抵消使半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113和引線103電連的細(xì)絲116的回線高度，故與使半導(dǎo)體芯片110、112的各自的背面彼此間相向的情況下比較，可以把樹(shù)脂密封體的厚度形成得薄。結(jié)果是可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置100的薄型化。
此外，在半導(dǎo)體裝置100的制造中，可以用同一工序進(jìn)行使半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與引線102電連的細(xì)絲連接工序、和使半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113與引線103電連的細(xì)絲連接工序。結(jié)果是可以提高半導(dǎo)體裝置100的生產(chǎn)性。
(3)半導(dǎo)體芯片110、112的中每一個(gè)，使得半導(dǎo)體芯片110的各邊之內(nèi)電極焊盤的個(gè)數(shù)比其它的邊少的邊位于半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊一側(cè)那樣地，在使半導(dǎo)體芯片110的背面110Y與半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X相向的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。
采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，由于可以減少半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊的外側(cè)的引線的個(gè)數(shù)，故可以抑制半導(dǎo)體芯片12的長(zhǎng)邊方向上的半導(dǎo)體裝置的大型化。
此外，由于半導(dǎo)體芯片112的長(zhǎng)邊一側(cè)的細(xì)絲116的個(gè)數(shù)也可以減少，故在半導(dǎo)體裝置的制造中，可以抑制因形成樹(shù)脂密封體時(shí)的樹(shù)脂的流動(dòng)而產(chǎn)生的細(xì)絲間短路。結(jié)果是可以提高半導(dǎo)體裝置100的成品率。
(4)引線105橫切半導(dǎo)體芯片112的電極焊盤113之間。采用作成為這樣的構(gòu)成的辦法，來(lái)提高在半導(dǎo)體芯片112的外周圍的外側(cè)和半導(dǎo)體芯片112上邊延伸的引線5的引繞自由度。
(5)在半導(dǎo)體裝置100的制造中，中間存在著粘接帶114地把半導(dǎo)體芯片110粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。
借助于此，粘接帶114與用粘接劑的涂敷形成的粘接層比較，由于可以使厚度變成為均一，故可以抑制半導(dǎo)體芯片110的傾斜和汲出量，可以抑制半導(dǎo)體芯片110的電極焊盤111與細(xì)絲16之間的連接不良。結(jié)果是可以提高半導(dǎo)體裝置100的成品率。
(6)在半導(dǎo)體裝置100的制造中，對(duì)半導(dǎo)體晶片120和已粘貼到該半導(dǎo)體晶片120的背面120Y上的粘接帶114進(jìn)行切片形成半導(dǎo)體芯片100，然后，中間存在著粘接帶114地把半導(dǎo)體芯片10粘接到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。
借助于此，在用切片法進(jìn)行分割的半導(dǎo)體芯片中，背面一側(cè)的周緣部分(與切斷面相交的拐角部分)上，有時(shí)候會(huì)產(chǎn)生尚未完全分離的狀態(tài)的碎屑(Si屑)，由于即便是發(fā)生了這樣的碎屑，也可以被粘接帶114保持起來(lái)，故可以防止碎屑向要配置半導(dǎo)體芯片110的半導(dǎo)體芯片112上落下。結(jié)果是，由于可以防止因碎屑落下在雙方的半導(dǎo)體芯片上發(fā)生的損傷，故可以提高半導(dǎo)體裝置100的成品率。
此外，由于粘接帶114與由硅構(gòu)成的襯底比用柔軟的樹(shù)脂性的材料形成，故可以容易地進(jìn)行半導(dǎo)體晶片120的切片。
此外，粘接帶114，由于可以與半導(dǎo)體晶片120一起切片，故可以容易地形成與半導(dǎo)體芯片110的外形尺寸一致的粘接帶114。
(7)在CF卡160中，采用把半導(dǎo)體裝置110裝載到布線基板161上的辦法，就可以用一個(gè)半導(dǎo)體裝置110構(gòu)成卡系統(tǒng)。此外，與把已裝載上半導(dǎo)體芯片110的半導(dǎo)體裝置和已裝載上半導(dǎo)體芯片112的半導(dǎo)體裝置裝配到布線基板161的情況下進(jìn)行比較，可以實(shí)現(xiàn)CF卡的小型化。
(8)在CF卡160中，采用通過(guò)布線基板161的布線162，把已電連到半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)用電極焊盤上的引線101(102)與已電連到半導(dǎo)體芯片112的信號(hào)用電極焊盤101(103)電連起來(lái)的辦法，由于可以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體裝置100的引腳配置，此外，還可以減少細(xì)絲116的個(gè)數(shù)，故可以提供生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體裝置100。
另外，在本實(shí)施例中，雖然說(shuō)明的是把半導(dǎo)體芯片110配置到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上邊的例子，但是，如圖50所示，也可以把半導(dǎo)體芯片110配置到半導(dǎo)體芯片112的背面112Y上邊。在這種情況下，即便是對(duì)半導(dǎo)體芯片110進(jìn)行熱壓粘接，由于在半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上也不會(huì)產(chǎn)生損傷，故與把半導(dǎo)體芯片110熱壓粘接到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上的情況下比較，可以提高半導(dǎo)體裝置的成品率。
此外，在本實(shí)施例中，雖然說(shuō)明的是把粘接帶114粘貼到半導(dǎo)體芯片110的背面110Y上的例子，但是粘接帶114也可以粘貼到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。在這種情況下，由于不能在半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下預(yù)先粘貼好粘接帶114，故必須每次一片地把粘接帶114粘接到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。
此外，在本實(shí)施例中，雖然說(shuō)明的是使用在基材114A的兩面設(shè)置粘接層114B的3層構(gòu)造的粘接帶114的例子，但是，作為粘接帶也可以使用單層構(gòu)造的粘接帶。
(實(shí)施例10)圖51是作為本發(fā)明的實(shí)施例10的已除去了半導(dǎo)體裝置的上部的狀態(tài)的模式性的平面圖，圖52是沿圖51的T-T線的模式性的剖面圖。
如圖51和圖52所示，本實(shí)施例在半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成與上邊所說(shuō)的實(shí)施例9基本是一樣的，以下的構(gòu)成不同。
就是說(shuō)，在配置在半導(dǎo)體芯片112的短邊(112C、112D)一側(cè)的引線102中，內(nèi)部部分的頂端部分，在與在半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X離開(kāi)間隙的狀態(tài)下配置到該面上邊，沒(méi)有粘接固定到半導(dǎo)體芯片112的電路形成面112X上。因此，半導(dǎo)體芯片112的支持可以用引線104和引線105進(jìn)行。
在這樣地構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置100中，也可以得到與上邊所說(shuō)的實(shí)施例9同樣的效果。
以上，根據(jù)上述實(shí)施例具體地說(shuō)明了本發(fā)明人所得到的發(fā)明，但是，本發(fā)明并不受限于上述實(shí)施例，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行種種的變更是不言而喻的。
例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于本身為二方向引線排列構(gòu)造的SOJ(SmallOutline J-leaded Package，小型J引線式封裝)式、SOP(Small OutlinePackage，小外廓封裝)式等的半導(dǎo)體裝置中去。
此外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于本身為4方向引線排列構(gòu)造的QFP(Quad Flatpack Packag，四邊扁平封裝)式、QFJ(Quad FlatpackJ-leaded Package，四邊扁平J-引線式封裝)式等的半導(dǎo)體裝置中去。
工業(yè)上利用的可能性若簡(jiǎn)單地說(shuō)明在本申請(qǐng)中所公開(kāi)的發(fā)明之內(nèi)由代表性的發(fā)明得到的效果，則效果如下。
(1)可以實(shí)現(xiàn)使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體密封該2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的薄型化。
(2)在使2個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行疊層，用一個(gè)樹(shù)脂密封體密封該2個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置中，可以用一個(gè)引線框架應(yīng)對(duì)在2個(gè)半導(dǎo)體芯片上設(shè)置的外部電極。
(3)可以提高半導(dǎo)體裝置的組裝工序中的作業(yè)性。
(4)可以提高上述半導(dǎo)體裝置的成品率。
(5)由于不使用粘接劑而是中間存在著樹(shù)脂密封體地在第1半導(dǎo)體芯片與第2半導(dǎo)體芯片的相向面上形成疊層體，故可以防止半導(dǎo)體裝置因回流焊時(shí)的熱和動(dòng)作時(shí)的熱所產(chǎn)生的熱膨脹而產(chǎn)生的裂紋。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上；上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
3.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的背面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上；上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上。
4.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
5.權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述引線的內(nèi)部部分的一部分，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊。
6.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)芯片的背面彼此相向的狀態(tài)下粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上。
7.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在在上述第1半導(dǎo)體芯片的背面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面之間存在著上述樹(shù)脂密封體的樹(shù)脂的狀態(tài)下，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片上邊，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上。
8.權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述引線的內(nèi)部部分的一部分，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊。
9.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述各自的內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極上的多個(gè)引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，用上述內(nèi)部部分支持上述第2半導(dǎo)體芯片的支持引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面與上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面之間存在著上述樹(shù)脂密封體的樹(shù)脂的狀態(tài)下，配置在上述第2半導(dǎo)體芯片上邊，上述支持引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第1半導(dǎo)體芯片的電路形成面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路背面上。
10.權(quán)利要求1到9之內(nèi)的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述支持引線的構(gòu)造是，兼用做電源引線或基準(zhǔn)電位引線。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，還準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；把上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面粘接固定起來(lái)形成半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；把支持引線的內(nèi)部部分粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
12.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具備把上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊的工序。
13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，還準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；把上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面粘接固定起來(lái)形成半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；把支持引線的內(nèi)部部分粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的背面上的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，還準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面相向，用支持引線的內(nèi)部部分，把兩者固定支持為使得形成在兩者之間存在著間隙的半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
15.權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具備把上述引線的內(nèi)部部分的一部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的電路形成面上邊的工序。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備下述工序準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片，此外，還準(zhǔn)備具有電路形成面和與該電路形成面相向的背面、在上述電路形成面上形成的多個(gè)電極焊盤，且由比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸構(gòu)成的第2半導(dǎo)體芯片的工序；使上述第1半導(dǎo)體芯片的背面和上述第2半導(dǎo)體芯片的背面相向，用支持引線的內(nèi)部部分，把兩者固定支持為使得形成在兩者之間存在著間隙的半導(dǎo)體芯片疊層體的工序；通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲，使上述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤和多個(gè)引線的各自的內(nèi)部部分，分別進(jìn)行電連的工序；用樹(shù)脂密封體密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、引線的內(nèi)部部分、支持引線的內(nèi)部部分和細(xì)絲的工序。
17.一種半導(dǎo)體裝置，具有既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成的第1半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)內(nèi)部部分、上述多個(gè)第2引線的每一個(gè)內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)，都使得上述第1半導(dǎo)體的第1邊位于上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊一側(cè)那樣地，使上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面與上述第2半導(dǎo)體芯片的第1主面彼此相向，且使得從上述第1半導(dǎo)體芯片的第1邊一側(cè)的側(cè)面到上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊為止的距離，比從上述第1半導(dǎo)體芯片的第2邊一側(cè)的側(cè)面到上述第2半導(dǎo)體芯片的第2邊為止的距離還寬那樣地，在偏離各自的位置的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。
18.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1引線的內(nèi)部部分、上述第2引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片配置在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的第2半導(dǎo)體芯片的面上邊；上述第1引線的內(nèi)部部分的頂端部分，在上述第1半導(dǎo)體芯片的外側(cè)，配置在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的第2半導(dǎo)體芯片的面上邊。
19.權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第1引線的內(nèi)部部分的頂端部分配置在上述第1半導(dǎo)體芯片的第1主面上邊。
20.權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第1引線的內(nèi)部部分的頂端部分配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第2主面上邊。
21.權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是還具有具有內(nèi)部部分和外部部分的第3引線；與上述第3引線的內(nèi)部部分一體地形成，且配置在上述第1引線、第2引線的各自的內(nèi)部部分的頂端部分與上述第1半導(dǎo)體芯片之間的第4引線；上述第4引線粘接固定到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上。
22.權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片上。
23.一種半導(dǎo)體裝置，具有既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成的第1半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)內(nèi)部部分、上述多個(gè)第2引線的每一個(gè)內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在上述第1半導(dǎo)體芯片的一邊位于與上述第2半導(dǎo)體芯片的第2主面相交的另一邊一側(cè)的狀態(tài)下，配置在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上邊；上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)的內(nèi)部部分，都配置為使得一部分與第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面重疊。
24.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1引線的內(nèi)部部分、上述第2引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片粘接固定在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的第2半導(dǎo)體芯片的面上；上述第1引線的內(nèi)部部分的頂端部分，在上述第1半導(dǎo)體芯片的外側(cè)，粘接固定在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的第2半導(dǎo)體芯片的面上。
25.權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第1引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的第1主面上。
26.權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第1引線的內(nèi)部部分，粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的第2主面上。
27.一種半導(dǎo)體裝置，具有；既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成的第1半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第2引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)內(nèi)部部分、上述多個(gè)第2引線的每一個(gè)內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，在上述第1半導(dǎo)體芯片的一邊位于與上述第2半導(dǎo)體芯片的第2主面相交的另一邊一側(cè)的狀態(tài)下，配置在與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上邊；上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)的內(nèi)部部分，都粘接固定到與第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上。
28.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2引線；具有內(nèi)部部分和外部部分的第3引線；與上述第3引線的內(nèi)部部分一體地形成，且配置在上述第1引線、第2引線的各自的內(nèi)部部分的頂端部分與上述第1半導(dǎo)體芯片之間，且通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的第2電極和上述第2半導(dǎo)體芯片的第2電極上的第4引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1引線的內(nèi)部部分、上述第2引線的內(nèi)部部分、第3引線的內(nèi)部部分、第4引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片粘接固定到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上；上述第4引線粘接固定到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上。
29.權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第4引線粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的第1主面上。
30.權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片和上述第4引線粘接固定到上述第2半導(dǎo)體芯片的第2主面上。
31.一種半導(dǎo)體裝置，具有既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成的第1半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；既是具有彼此相向的第1主面和第2主面，平面用矩形形狀形成，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片，又是在沿著上述第1主面的彼此相向的第1邊和第2邊之內(nèi)的上述第1邊一側(cè)具有沿著該第1邊排列起來(lái)的多個(gè)電極焊盤的第2半導(dǎo)體芯片；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第1引線；每一個(gè)都具有內(nèi)部部分和外部部分，上述每一個(gè)內(nèi)部部分都配置在上述第2半導(dǎo)體芯片的第1邊的外側(cè)，且上述每一個(gè)的內(nèi)部部分都通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的各個(gè)電極焊盤上的多個(gè)第2引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述多個(gè)第1引線的每一個(gè)內(nèi)部部分、上述多個(gè)第2引線的每一個(gè)內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片、第半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)，在上述第1半導(dǎo)體芯片的各邊之內(nèi)，使得電極焊盤的個(gè)數(shù)比別的邊少的邊一邊位于上述第2半導(dǎo)體芯片的一邊一側(cè)那樣地，在使上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面與第2半導(dǎo)體芯片的第1主面彼此相向的狀態(tài)下進(jìn)行疊層。
32.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2引線；具有內(nèi)部部分和外部部分的第3引線；與上述第3引線的內(nèi)部部分一體地形成，且配置在上述第1引線、第2引線的各自的內(nèi)部部分的頂端部分與上述第1半導(dǎo)體芯片之間，且通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲分別電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的第2電極和上述第2半導(dǎo)體芯片的第2電極上的第4引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1引線的內(nèi)部部分、上述第2引線的內(nèi)部部分、第3引線的內(nèi)部部分、第4引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片粘接固定到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上；上述第4引線，橫切上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤間。
33.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具有下述工序準(zhǔn)備具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且把絕緣性的粘接帶粘貼到上述第2主面上的第1半導(dǎo)體芯片，還準(zhǔn)備具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片的工序中間存在著上述粘接帶地把上述第1半導(dǎo)體芯片粘接到上述第半導(dǎo)體芯片的第1主面或第2主面上的工序。
34.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具有下述工序準(zhǔn)備在第1主面上形成多個(gè)芯片區(qū)域，對(duì)把絕緣性的粘接帶粘接到上述第1主面或第2主面上的半導(dǎo)體晶片和上述粘接帶進(jìn)行切片，在第1主面上形成電極，且把絕緣性的粘接帶粘貼到與上述第1主面彼此相向的第2主面上的第1半導(dǎo)體芯片，還準(zhǔn)備具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片的工序中間存在著上述粘接帶地把上述第1半導(dǎo)體芯片粘接到上述第半導(dǎo)體芯片的第1主面或第2主面上的工序。
35.權(quán)利要求33或權(quán)利要求34所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是上述粘接帶的構(gòu)造是，在樹(shù)脂基材的兩面上設(shè)置粘接層。
36.一種半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1引線的內(nèi)部部分、上述第2引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片，中間存在著絕緣性的粘接帶地粘接固定到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上邊。
37.一種具備具有布線的布線基板，具有裝載帶上述布線基板的主面上邊的半導(dǎo)體裝置的電子裝置，上述半導(dǎo)體裝置，具有具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤的第1半導(dǎo)體芯片；具有彼此相向的第1主面和第2主面，在上述第1主面上形成電極焊盤，且用比上述第1半導(dǎo)體芯片還大的平面尺寸形成的的第2半導(dǎo)體芯片；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第1半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第1信號(hào)用引線；具有內(nèi)部部分和外部部分，上述內(nèi)部部分通過(guò)導(dǎo)電性的細(xì)絲電連到上述第2半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上的第2信號(hào)用引線；密封上述第1半導(dǎo)體芯片、第2半導(dǎo)體芯片、上述第1信號(hào)用引線的內(nèi)部部分、上述第2信號(hào)用引線的內(nèi)部部分和上述導(dǎo)電性細(xì)絲的樹(shù)脂密封體，其特征是上述第1半導(dǎo)體芯片配置到與上述第1半導(dǎo)體芯片的第2主面彼此相向的上述第2半導(dǎo)體芯片的面上邊，上述第1信號(hào)用引線的外部部分，通過(guò)上述布線基板的布線電連到上述第2信號(hào)用引線上。
全文摘要
把第1半導(dǎo)體芯片(2)粘接固定到第2半導(dǎo)體芯片(3)上,使得前者的背面在后者的電路形成面(有源面)上邊,而且,把支持引線(6)的內(nèi)部部分,粘接固定到第2半導(dǎo)體芯片(3)的電路形成面(3X)上。這種構(gòu)造可使半導(dǎo)體裝置薄型化。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1329755SQ99814009
公開(kāi)日2002年1月2日 申請(qǐng)日期1999年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月2日
發(fā)明者金本光一, 增田正親, 和田環(huán), 杉山道昭, 木村美香子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)株式會(huì)社