其是能夠加以負壓。絕緣材料尤其是 加載有第二壓力。
[0029] 備選地，腔室內(nèi)的壓力能夠通過腔室的至少一個外壁的變形產(chǎn)生。在此，優(yōu)選地腔 室完全利用絕緣材料填充。腔室能夠通過力的加載例如借助于壓力來變形。這樣的變形引 起內(nèi)室體積的減小?；诮^緣材料相當(dāng)?shù)牟豢蓧嚎s性，絕緣材料的壓力由此提高。
[0030] 通過這樣提過壓力，絕緣材料能夠壓進基本主體的至少一個空穴。
[0031] 根據(jù)方法的一實施方式，隔膜能夠布置在基本主體的至少一個空穴之上、尤其是 從外部能達到的空穴部分之上。
[0032] 優(yōu)選地，在布置有隔膜的區(qū)域中，沒有絕緣材料能夠直接流入空穴中。絕緣材料能 夠優(yōu)選地只流到空穴的不被隔膜或者外接觸部遮蓋的區(qū)域之上。
[0033] 隔膜優(yōu)選地布置成使得隔膜與外接觸部共同蓋住基本主體外側(cè)上的連續(xù)區(qū)域。隔 膜尤其蓋住至少一個空穴的區(qū)域，因此該空穴在該區(qū)域中不再從外部能直接達到。隔膜優(yōu) 選地蓋住基本主體外側(cè)上的、位于外接觸部旁的區(qū)域，并且所述區(qū)域的寬度大于由外接觸 部連續(xù)蓋住的區(qū)域的寬度。由隔膜和外接觸部蓋住的區(qū)域的寬度優(yōu)選地對應(yīng)于該區(qū)域垂直 于基本主體疊層方向的延伸長度。連續(xù)蓋住的區(qū)域例如是在基本主體外側(cè)上、其中至少一 個空穴不能從外部達到的區(qū)域。尤其沒有開口位于蓋住的區(qū)域中，材料能夠通過所述開口 流入至少一個空穴中。
[0034] 絕緣材料例如能夠通過至少兩個入口流入外接觸部下方的區(qū)域中。入口例如能夠 相鄰于連續(xù)蓋住的區(qū)域的末端。優(yōu)選地，絕緣材料流入外接觸部之下的區(qū)域和流入隔膜之 下的區(qū)域能夠?qū)ΨQ進行。這就是說，絕緣材料從外接觸部側(cè)以及從隔膜側(cè)通過入口以相同 的速度流入溝槽，因此絕緣材料的材料流能夠在蓋住的區(qū)域的中部相遇。由此外接觸部旁 的區(qū)域中隔膜的寬度大于外接觸部的寬度，蓋住的區(qū)域中部不在外接觸部下方。
[0035] 例如，位于空穴中的空氣在絕緣材料流入空穴時被材料流擠出。由此，特別經(jīng)常 在如下區(qū)域中出現(xiàn)氣穴、尤其是氣泡，絕緣材料的材料流在所述區(qū)域中彼此相遇。因此，通 過如之前描述的那樣布置隔膜能夠避免：在外接觸部下方的區(qū)域中出現(xiàn)氣泡。由此降低在 內(nèi)電極層和外接觸部之間電擊穿的風(fēng)險。
[0036] 優(yōu)選地，通過在利用絕緣材料填充空穴之前加以負壓，空氣、尤其是大部分空氣從 空穴中移除，因此在絕緣材料的材料流在空穴內(nèi)相遇時，能夠不形成空氣泡。對于仍然形成 空氣泡的情況，能夠如同之前描述的那樣，通過隔膜移動絕緣材料的材料流相遇的位置，使 得可能形成的空氣泡優(yōu)選地不出現(xiàn)在外接觸部下方的區(qū)域中。那么空氣泡優(yōu)選地位于不關(guān) 鍵的區(qū)域，在所述區(qū)域中，外接觸部和內(nèi)電極層之間不能進行電擊穿。
[0037] 附加地，隔膜也能布置在外接觸部之上，因此通過隔膜至少遮蓋外接觸部的一部 分。附加地，能夠通過隔膜蓋住接觸元件的至少一部分、尤其是增強元件的至少一部分。由 此至少在蓋住的區(qū)域中，幾乎沒有絕緣材料能夠沉積在外接觸部上或者接觸元件上。因此 能夠?qū)Χ鄬訕?gòu)件進行可靠的接觸。
[0038] 在接下來的步驟中，能夠?qū)⒁虼诵纬傻亩鄬訕?gòu)件從腔室中移除。如果在腔室內(nèi)充 斥過壓，那么在將多層構(gòu)件從腔室中移除之前優(yōu)選地進行壓力平衡。
[0039] 接著能夠硬化絕緣材料。
[0040] 可靠地填充溝槽所需要的、在第一壓力和第二壓力之間的壓力差能夠根據(jù)斯托克 斯定律和哈根-泊肅葉定律計算出。
[0041] 尤其在直的導(dǎo)管中的壓力下降能夠在分層的管流中計算出。在此，導(dǎo)管能夠用作 基本主體的位于外接觸部之下的空穴的替代模型。
[0042] 作為模型，具有小的尺寸的管道的通過流量用于此。該模型對應(yīng)于流體力學(xué)中的 標準例。在此基于：縫隙中的流體比例優(yōu)于所應(yīng)用的管道模型的情況。另外，在填充管道或 者縫隙時，與在流量穿過相應(yīng)的管道或縫隙時相比，存在更有利的條件。實際情況因此比描 述的計算模型更有利。在實際中，所需的壓力差因此要小于接下來計算的結(jié)果。
[0043] 在計算模型中確定以下參數(shù)： 管道半徑A為1ym; 管道長度1為1mm; 動態(tài)粘度n為400mPas; 平均流量速度Vmit為10ym/S。
[0044] 些參數(shù)應(yīng)該描繪對于具有2ym寬空穴的基本主體和2mm寬的外接觸部可比較的 情形。這是可能的，原因在于外接觸部之下的區(qū)域能夠以近似的方式視作管道。
[0045] 由公式
【主權(quán)項】
1. 一種用于利用填充材料（9)填充多層構(gòu)件（1)的至少一個空穴（5a、5b)的方法， 所述方法包括下列步驟： A) 提供所述多層構(gòu)件（1)的基本主體（2)，其中所述基本主體（2)具有至少一個空穴 (5a、5b)， B) 將所述基本主體（2)定位在腔室（11)中， C) 產(chǎn)生第一壓力，其中所述第一壓力是負壓， D) 在所述基本主體（2)處布置填充材料（9)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，包括步驟：在將所述基本主體（2)布置在所述填充材料 (9)中之后，將所述腔室（11)內(nèi)的壓力提高到第二壓力。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中通過腔室（11)進氣提高壓力。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或者3的方法，其中第二壓力是過壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的方法，其中通過提過壓力將填充材料（9)壓進 所述至少一個空穴（5a、5b)中。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述填充材料（9)具有在200mPas和 2000mPas之間的粘度。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，包括步驟：硬化填充材料（9)。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中通過蝕刻法制造所述至少一個空穴 (5a、5b)〇
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述至少一個空穴（5a、5b)具有在 1 μπι和5 μπι之間的寬度。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述基本主體（2)具有至少一個 內(nèi)電極層（20a、20b)，并且其中所述至少一個空穴（5a、5b)布置在帶有至少一個內(nèi)電極層 (20a、20b)的平面中。
11. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述基本主體（2)具有至少一個外 接觸部（3a、3b)，所述外接觸部布置在所述基本主體的外側(cè)（6a、6b)上并且至少部分覆蓋 所述至少一個空穴（5a、5b)。
12. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中隔膜（17)至少部分布置在所述至 少一個空穴（5a、5b)之上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12,其中所述隔膜（17)與所述外接觸部（3a、3b)共同蓋住所述基 本主體（2)外側(cè)（6a、6b)上的連續(xù)區(qū)域，并且其中所述隔膜（17)在位于所述外接觸部（3a、 3b)旁的區(qū)域中具有比所述外側(cè)（6a、6b)的通過外接觸部連續(xù)蓋住的區(qū)域的寬度（19)更大 的寬度（18)。
14. 一種多層構(gòu)件，其具有帶有至少一個空穴（5a、5b)的基本主體（2)，其中利用填充 材料（9)填充所述空穴（5a、5b)，所述填充材料（9)具有在200mPas和2000mPas之間的粘 度。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的多層構(gòu)件，其中所述至少一個空穴（5a、5b)具有在1 μπι和 5 μπι之間的寬度。
【專利摘要】本文給出一種用于利用填充材料(9)填充多層構(gòu)件(1)的至少一個空穴(5a、5b)的方法。所述方法在第一步驟中包括提供多層構(gòu)件(1)的基本主體(2)，其中所述基本主體(2)具有至少一個空穴(5a、5b)。該方法在下一步驟中包括將基本主體(2)定位在腔室(11)內(nèi)并且接著產(chǎn)生第一壓力，其中所述第一壓力是負壓。接著，在基本主體(2)處布置填充材料(9)。另外還給出多層構(gòu)件(1)。多層構(gòu)件(1)具有帶有至少一個空穴(5a、5b)的基本主體(2)，其中利用填充材料(9)填充空穴(5a、5b)，所述填充材料具有在200mPas和2000mPas之間的粘度。
【IPC分類】H01L41-273
【公開號】CN104521018
【申請?zhí)枴緾N201380042243
【發(fā)明人】佐米奇 D., 加勒 M., 拉雅普卡爾 A.
【申請人】埃普科斯股份有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請日】2013年7月31日
【公告號】DE102012107341A1, EP2883253A2, US20150235770, WO2014023634A2, WO2014023634A3