光電子裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及光電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在光電子裝置例如接近傳感器中，作用距離除其它外還取決于投射到接近傳感器的探測器上的輻射功率。然而，不期望的輻射部分可能導(dǎo)致待探測信號的失真。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]任務(wù)是說明一種帶有探測器的光電子裝置，其特色在于針對待探測輻射的高靈敏度。
[0004]按照該光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該裝置具有被設(shè)置用于接收電磁輻射的探測器。該探測器例如可以是光電二極管、光電晶體管或者帶有光敏區(qū)域的專用集成電路(applicat1n specific integrated circuit，ASIC)。尤其是，探測器可以是無外殼的半導(dǎo)體器件，例如無外殼的半導(dǎo)體芯片。探測器可以被設(shè)置用于接收在紫外頻譜范圍中、在可見頻譜范圍或紅外頻譜范圍中的輻射。優(yōu)選地，探測器被設(shè)置用于探測在近紅外范圍(NearInfra Red，NIR ;真空波長750nm至1400nm )中的福射，尤其優(yōu)選在包含兩端值的800nm至100nm之間的波長范圍中的輻射。
[0005]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該裝置具有框架。在該框架中構(gòu)造有開口，探測器布置在該開口中。該框架例如可以被實(shí)施為塑料成形體。該框架在豎直方向上在輻射透射側(cè)和背側(cè)之間伸展。該豎直方向是垂直于輻射透射側(cè)延伸的方向。輻射透射側(cè)和背側(cè)優(yōu)選至少局部地相互平行地延伸?？蚣軆?yōu)選由對于待探測輻射來說是輻射不可穿透的材料制成。
[0006]開口優(yōu)選在豎直方向上完全穿透該框架地伸展。因此開口從輻射透射側(cè)伸展至框架的背側(cè)。
[0007]按照所述光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，框架的開口具有傾斜于豎直方向延伸的側(cè)面。也即，所述側(cè)面不并行也不垂直于豎直方向地延伸。在框架的輻射透射側(cè)的俯視圖中，傾斜延伸的側(cè)面是可見的。
[0008]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該傾斜延伸的側(cè)面在輻射透射側(cè)的俯視圖中具有第一部分區(qū)域。第一部分區(qū)域被構(gòu)造為用于待由探測器接收的輻射的反射器。反射器例如可以成形為使得沿著豎直方向投射到第一部分區(qū)域上的輻射偏轉(zhuǎn)到探測器上。第一部分區(qū)域例如可以至少局部拋物面地成形。因此在沿著至少一個方向、尤其是沿著至少一個垂直于豎直方向延伸的方向的剖視圖中，第一部分區(qū)域具有拋物面的一部分的形狀。尤其是，第一部分區(qū)域的側(cè)面可以至少局部地具有旋轉(zhuǎn)拋物體的表面部分的形狀。探測器可以布置在拋物面狀成形的第一部分區(qū)域的焦點(diǎn)中。
[0009]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，傾斜延伸的側(cè)面具有第二部分區(qū)域。第二部分區(qū)域?qū)⒀刂Q直方向投射到第二部分區(qū)域的輻射偏轉(zhuǎn)離開探測器。也即，垂直投射并且定向地在第二部分區(qū)域上反射的輻射不直接、因此并非無其他反射地投射到探測器上。第二部分區(qū)域相對于探測器優(yōu)選被布置并且構(gòu)造為使得由第二部分區(qū)域以任意角度漫反射的輻射不直接投射到探測器上。
[0010]側(cè)面的第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域因此在針對投射到各自部分區(qū)域上的輻射向探測器方向的偏轉(zhuǎn)作用方面彼此不同。從不同方向或者在側(cè)面的不同部位上投射的輻射分量因此提供了對于探測器信號的不同強(qiáng)度的貢獻(xiàn)。優(yōu)選地，第二部分區(qū)域被實(shí)施為使得投射到該部分區(qū)域上的輻射不對該信號提供顯著的貢獻(xiàn)。
[0011]該框架可以針對待探測的輻射至少局部定向地反射性和/或漫反射性地被構(gòu)造。反射性地構(gòu)造在本上下文中意味著，針對待由探測器接收的輻射的反射率至少為50%，優(yōu)選至少為60%。
[0012]可代替地或者補(bǔ)充地，框架可以針對待探測的輻射至少局部吸收性地被構(gòu)造。在本上下文中，吸收性地構(gòu)造意味著，待由探測器接收的輻射直至至少50%、特別優(yōu)選直至至少80%被吸收。
[0013]尤其是，框架可以具有至少一個在其中反射性地被構(gòu)造的區(qū)域以及在其中吸收性地被構(gòu)造的區(qū)域。例如，第一部分區(qū)域可以構(gòu)造為反射性的，第二部分區(qū)域可以構(gòu)造為吸收性的。
[0014]吸收性或反射性的構(gòu)造例如可以通過對于整個框架使用吸收性或反射性的材料或者通過用吸收性或反射性材料對框架涂層來實(shí)現(xiàn)。例如，框架可以由吸收性材料制成并且局部地用反射性材料涂層或者反過來。
[0015]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，第二部分區(qū)域在輻射透射側(cè)和下邊緣之間伸展。下邊緣在豎直方向上與背側(cè)隔有距離。換句話說，傾斜延伸的側(cè)面在第二部分區(qū)域中沒有從輻射透射側(cè)延伸直至背側(cè)。
[0016]按照光電子裝置的至少一個實(shí)施方式，開口尤其是從輻射透射側(cè)看具有側(cè)凹區(qū)域。側(cè)凹區(qū)域通常理解為如下區(qū)域:在其中開口沿著至少一個橫向方向、也即沿著垂直于豎直方向延伸的方向的伸展大于在開口的靠近輻射透射側(cè)的部位上沿著同一橫向方向的伸展。
[0017]側(cè)凹區(qū)域尤其是可以構(gòu)造在框架的下邊緣和底側(cè)之間。下邊緣因此可以構(gòu)成在傾斜延伸的側(cè)面和側(cè)凹區(qū)域之間的過渡。尤其是，開口在剖視圖中在下邊緣上可以具有彎折或者彎曲區(qū)域。
[0018]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，在輻射透射側(cè)的俯視圖中尤其是延伸穿過探測器的中心線將第一部分區(qū)域與第二部分區(qū)域分開。因此通過中心線和豎直方向張開的平面將開口分成兩個半空間，其中在一個半空間中豎直投射的輻射很大程度上投射到探測器上，在另一半空間中投射的輻射很大程度上被從探測器偏轉(zhuǎn)離開。
[0019]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，開口在輻射透射側(cè)上比在框架的背側(cè)上具有更小的橫截面。在框架的背側(cè)上的橫截面尤其是確定了可用于安裝探測器的位置。尤其是，在該裝置的俯視圖中在輻射透射側(cè)上的橫截面完全處于背側(cè)上的橫截面內(nèi)。
[0020]按照該光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該裝置具有連接載體。該連接載體可以與框架的背側(cè)尤其是機(jī)械穩(wěn)定并且持久地連接，例如借助連接層，例如粘接層。在連接載體上可以安裝并且進(jìn)一步地電接觸探測器。連接載體例如可以是電路板，例如印制電路板。導(dǎo)體框架也可以用于連接載體。
[0021]在橫向方向上，框架可以至少局部地、尤其是沿著裝置的整個環(huán)周與連接載體平齊地結(jié)束。
[0022]此外，該裝置還可以被構(gòu)造為可表面安裝的器件(surface mounted deviceSMD)ο例如，連接載體在背離框架的一側(cè)上可以具有用于外部電接觸的接觸面。
[0023]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，其具有被設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的發(fā)射器。該發(fā)射器可以布置在框架的另外的開口中。在橫向方向上，所述開口和所述另外的開口相互隔有距離。發(fā)射器和探測器通過布置在開口之間的框架材料在光學(xué)上彼此分開。因此在發(fā)射器和探測器之間不存在直接的輻射路徑。發(fā)射器可以被構(gòu)造用于產(chǎn)生要由探測器接收的輻射。換句話說，發(fā)射器和探測器可以構(gòu)成發(fā)射器-探測器對。
[0024]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，所述另外的開口的側(cè)面至少局部地拋物面地成形。由發(fā)射器輻射出的并且投射到所述另外的開口的側(cè)面上的輻射至少部分地向豎直方向偏轉(zhuǎn)。
[0025]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該裝置構(gòu)造為接近傳感器。在該裝置在例如通信設(shè)備或數(shù)據(jù)處理設(shè)備的儀器中運(yùn)行中，該裝置合乎目的地布置在輻射窗口之后，其中探測器被設(shè)置用于接收從發(fā)射器輻射出的、穿過輻射窗口并且在目標(biāo)對象上反射的輻射。
[0026]按照光電子裝置的至少一種實(shí)施方式，該光電子裝置具有被設(shè)置用于接收輻射的探測器和框架，其中在框架中構(gòu)造有開口，探測器布置于該開口中?？蚣茉谪Q直方向上在輻射透射側(cè)和背側(cè)之間伸展。開口具有側(cè)面，該側(cè)面傾斜于豎直方向延伸。傾斜延伸的側(cè)面在輻射透射側(cè)的俯視圖中具有第一部分區(qū)域和第二部分區(qū)域。第一部分區(qū)域被構(gòu)造為用于待由探測器接收的輻射的反射器。第二部分區(qū)域?qū)⒀刂Q直方向投射到第二部分區(qū)域上的輻射偏轉(zhuǎn)離開探測器。
[0027]尤其