光半導(dǎo)體裝置、其制造方法以及光模塊的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠簡(jiǎn)單地測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度的光半導(dǎo)體裝置、光半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及光模塊的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在共振器端面形成有窗構(gòu)造的光半導(dǎo)體裝置中，根據(jù)用于形成共振器端面的解理位置的不同，窗構(gòu)造的長(zhǎng)度產(chǎn)生波動(dòng)(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2000 - 216489號(hào)公報(bào)
[0004]由于窗構(gòu)造的長(zhǎng)度對(duì)光半導(dǎo)體裝置的特性造成影響，因此，希望按照窗構(gòu)造的長(zhǎng)度而分選出光半導(dǎo)體裝置的優(yōu)劣。但是，在現(xiàn)有的構(gòu)造中，無法簡(jiǎn)單地測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度。
[0005]另外，窗構(gòu)造的長(zhǎng)度還對(duì)光半導(dǎo)體裝置與光學(xué)部件的耦合效率造成影響。但是，在現(xiàn)有構(gòu)造中，由于無法簡(jiǎn)單地測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度，因此，以往是在不考慮窗構(gòu)造的長(zhǎng)度的狀態(tài)下決定光半導(dǎo)體裝置和光學(xué)部件的安裝位置。因此，存在耦合效率產(chǎn)生波動(dòng)的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到能夠簡(jiǎn)單地測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度的光半導(dǎo)體裝置、光半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及光模塊的制造方法。
[0007]本發(fā)明所涉及的光半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有:共振器端面；光波導(dǎo)；窗構(gòu)造，其形成在所述共振器端面和所述光波導(dǎo)之間；以及游標(biāo)部，其設(shè)置在所述窗構(gòu)造上，能夠?qū)ρ刂廨S方向的所述窗構(gòu)造的長(zhǎng)度進(jìn)行測(cè)定。
[0008]發(fā)明的效果
[0009]本發(fā)明由于將能夠測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度的游標(biāo)部(vernier)設(shè)置在窗構(gòu)造上，因此，能夠簡(jiǎn)單地測(cè)定窗構(gòu)造的長(zhǎng)度。
【附圖說明】
[0010]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0011]圖2是將圖1的主要部分放大后的俯視圖。
[0012]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光半導(dǎo)體裝置的制造工序的俯視圖。
[0013]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光模塊的制造工序的俯視圖。
[0014]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0015]圖6是從共振器端面?zhèn)扔^察圖5的光半導(dǎo)體裝置時(shí)的側(cè)視圖。
[0016]圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的光半導(dǎo)體裝置的制造工序的俯視圖。
[0017]圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0018]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的光半導(dǎo)體裝置的制造工序的俯視圖。
[0019]標(biāo)號(hào)的說明
[0020]I光半導(dǎo)體裝置,2共振器端面,3光波導(dǎo),4窗構(gòu)造,5游標(biāo)部,6槽,7透鏡(光學(xué)部件)
【具體實(shí)施方式】
[0021]參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置、光半導(dǎo)體裝置的制造方法、以及光模塊的制造方法進(jìn)行說明。有時(shí)對(duì)相同或者對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)說明。
[0022]實(shí)施方式1.
[0023]圖1表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖2是將圖1的主要部分放大后的俯視圖。在光半導(dǎo)體裝置I中，在共振器端面2和光波導(dǎo)3之間形成有窗構(gòu)造4。游標(biāo)部5設(shè)置在窗構(gòu)造4上。該游標(biāo)部5是能夠?qū)ρ刂廨S方向(共振器方向)的窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度進(jìn)行測(cè)定的等間隔的刻度。窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L是沿著光軸方向從共振器端面2至光波導(dǎo)3的端部為止的長(zhǎng)度。
[0024]在本實(shí)施方式中，游標(biāo)部5是利用干蝕刻將窗構(gòu)造4的半導(dǎo)體挖去而成的槽6的圖案。此外，也可以取代干蝕刻而使用濕蝕刻。槽6的圖案在光軸方向上周期性地配置。游標(biāo)部5相對(duì)于與光軸垂直方向的芯片寬度的中心在左右等間隔地配置。
[0025]在圖2中，將槽6的圖案的光軸方向的長(zhǎng)度定義為a，將光軸方向的槽和槽的間隔定義為b,將與光軸方向垂直方向的寬度定義為c,將與光軸方向垂直方向的槽和槽的間隔定義為W。
[0026]下面，對(duì)上述光半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光半導(dǎo)體裝置的制造工序的俯視圖。首先，在晶片上將窗構(gòu)造4相對(duì)而形成2個(gè)光半導(dǎo)體裝置I。然后，通過解理將2個(gè)光半導(dǎo)體裝置I分離。根據(jù)該解理位置的不同，窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度產(chǎn)生波動(dòng)。
[0027]將相對(duì)的2個(gè)光半導(dǎo)體裝置I的窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度之和定義為2XLz。在相對(duì)的2個(gè)光半導(dǎo)體裝置I的正中間進(jìn)行解理的情況下的窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度成為L(zhǎng)z。
[0028]以成為L(zhǎng)z = (a+b) Xn+a/2 (η為整數(shù))的方式?jīng)Q定a、b、Lz的長(zhǎng)度,制作光半導(dǎo)體裝置。例如設(shè)為 Lz = 21ym、a = 2ym、b = 2ym、c = 10 μ m、W = 70um、η = 5。
[0029]在槽6的數(shù)量為m個(gè)(m為整數(shù))的情況下，窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L處于(a+b) X (m —I)至(a+b) Xm之間。例如在a = 2ym、b = 2ym、m = 8的情況下，窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L為28 μ m ?32 μ m0
[0030]根據(jù)解理位置的不同，窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L產(chǎn)生波動(dòng)，但通過從頂面觀察游標(biāo)部5，并數(shù)出光軸方向的槽6的數(shù)量，從而能夠容易地測(cè)定窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L。根據(jù)該長(zhǎng)度而分選出光半導(dǎo)體裝置I的優(yōu)劣。即，如果窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L處于一定范圍內(nèi)，則為合格品，如果處于范圍外，則為不合格品。由此，能夠省略電氣、光學(xué)的特性檢查，并能夠削減制造成本。
[0031]下面，對(duì)使用上述的光半導(dǎo)體裝置來制造光模塊的方法進(jìn)行說明。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的光模塊的制造工序的俯視圖。首先，利用上述的方法測(cè)定光半導(dǎo)體裝置I的窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度L。然后，根據(jù)該長(zhǎng)度對(duì)光半導(dǎo)體裝置I在光軸方向上相對(duì)于透鏡7 (光學(xué)部件)的安裝位置進(jìn)行調(diào)整。由此，能夠調(diào)整透鏡7和光半導(dǎo)體裝置I的耦合效率。
[0032]在光半導(dǎo)體裝置的槽6的數(shù)量為m(m為整數(shù))的情況下，如果以[Lz —{(a+b) Xm+a}]對(duì)透鏡7和光半導(dǎo)體裝置I之間的距離進(jìn)行校正，則能夠防止由窗構(gòu)造4的長(zhǎng)度波動(dòng)引起的耦合效率的降低。
[0033]此外，槽6并不限定于四方形，也可以是菱形、三角形、圓形等。游標(biāo)部5并不限定于槽6的圖案，也可以是SiN、S12等絕緣膜或者Au等金屬的圖案。游標(biāo)部5相對(duì)于光波導(dǎo)3的中心在左右等間隔地配置，但也可以將其配置在單側(cè)。
[0034]實(shí)施方式2.
[0035]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。圖6是從共振器端面?zhèn)扔^察光半導(dǎo)體裝置時(shí)的側(cè)視圖。游標(biāo)部5是臺(tái)階狀的圖案。由此，容易