射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻(Rad1 Frequency，RF)，表示可以福射到空間的電磁頻率，頻率范圍從300KHz?300GHz之間。由于具有超強(qiáng)的輻射能力，因此在遠(yuǎn)距離傳輸上得以被利用，基于此，射頻結(jié)構(gòu)應(yīng)運而生，并作為了無線通信領(lǐng)域中的重要設(shè)備。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，如果直接采用普通的襯底形成既包括數(shù)字邏輯電路又包括射頻電路的集成電路，所述射頻電路會引起襯底和集成電路電感耦合，并且集成電路電感器的電感性能下降。為了在單個集成電路上集成更多的功能，通常采用絕緣體上硅(SOI)作為襯底來解決這一問題，并且可以降低滯留功耗，具有優(yōu)良的抗串?dāng)_能力。
[0004]如圖1，現(xiàn)有技術(shù)中的射頻結(jié)構(gòu)，采用具有陷阱富集層(Trap Rich Layer)的絕緣體上硅制成，包括:高阻率的襯底100 ;覆蓋所述襯底100的陷阱富集層101，用于凍結(jié)射頻信號在襯底100中的載流子，提高射頻結(jié)構(gòu)的信號傳輸質(zhì)量；覆蓋所述陷阱富集層101的埋氧化層(Buried Oxide) 102 ；以及覆蓋所述埋氧化層102的頂層娃103，用于形成射頻元件，例如晶體管、電容等。
[0005]但是，這種射頻結(jié)構(gòu)成本較高，并且其抗串?dāng)_能力還有待進(jìn)一步改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于，提供一種射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法，提高抗串?dāng)_能力，并降低制作成本。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，包括:
[0008]提供前端結(jié)構(gòu)，包括襯底，形成于所述襯底上的埋氧化層、形成于所述埋氧化層上的有源區(qū)及淺溝槽隔離；
[0009]在所述前端結(jié)構(gòu)上涂敷光阻并進(jìn)行圖案化；
[0010]以圖案化的光阻為掩膜，進(jìn)行刻蝕形成第一通孔，所述第一通孔延伸至襯底中；
[0011]在所述第一通孔中形成陷阱，所述陷阱低于所述有源區(qū)；
[0012]利用氧化物填充滿所述第一通孔，并在所述淺溝槽隔離及有源區(qū)上形成層間介質(zhì)層；
[0013]在所述層間介質(zhì)層上形成金屬層。
[0014]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述陷阱的材質(zhì)為無摻雜多晶硅。
[0015]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，形成所述陷阱包括:
[0016]去除圖案化的光阻；
[0017]在所述第一通孔中填充無摻雜多晶硅，并充滿所述第一通孔；
[0018]回刻所述無摻雜多晶硅，使之上表面低于所述有源區(qū)，形成所述陷阱。
[0019]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述陷阱的上表面位于所述埋氧化層的中間。
[0020]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述埋氧化層的的厚度為0.Ιμπι?2 μ m0
[0021]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述第一通孔延伸至襯底的深度為I μ m ?2 μ m。
[0022]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述淺溝槽隔離的厚度為0.1 μπι?0.4 μ m0
[0023]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述有源區(qū)上還形成有掩膜層。
[0024]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，在形成層間介質(zhì)層之前，還包括:
[0025]去除所述掩膜層。
[0026]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，所述層間介質(zhì)層的厚度為0.65 μπι?I μ m0
[0027]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法，在所述淺溝槽隔離及有源區(qū)上沉積層間介質(zhì)層之后，在所述層間介質(zhì)層上形成金屬層之前，還包括:
[0028]在所述層間介質(zhì)層中形成第二通孔，所述第二通孔暴露出有源區(qū)；
[0029]填充所述第二通孔形成插塞。
[0030]相應(yīng)的，本發(fā)明提供一種如上所述的射頻結(jié)構(gòu)的形成方法形成的射頻結(jié)構(gòu)，包括:
[0031]襯底；
[0032]位于所述襯底上的埋氧化層；
[0033]位于所述襯底及埋氧化層中的陷阱；
[0034]位于所述埋氧化層上的有源區(qū)和淺溝槽隔離；
[0035]位于所述有源區(qū)和淺溝槽隔離上的層間介質(zhì)層；以及
[0036]位于所述層間介質(zhì)層上的金屬層。
[0037]可選的，對于所述的射頻結(jié)構(gòu)，還包括位于所述層間介質(zhì)層中的插塞，所述插塞一端連接于所述有源區(qū)，另一端連接于所述金屬層。
[0038]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法中，所述陷阱形成于埋氧化層和襯底中，且低于所述有源區(qū)，從而增大了陷阱中心與金屬層之間的距離，提高了抗串?dāng)_能力；并且該方法與CMOS工藝能夠結(jié)合，也降低了制作成本。
【附圖說明】
[0039]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中射頻結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明實施例中射頻結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖；
[0041]圖3-圖10為本發(fā)明實施例中在射頻結(jié)構(gòu)的形成過程中的示意圖。
【具體實施方式】
[0042]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0043]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0044]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0045]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法，通過將陷阱形成于襯底和埋氧化層中，增大了陷阱中心與金屬層之間的距離，提高了抗串?dāng)_能力。
[0046]該方法包括:
[0047]步驟S201，提供前端結(jié)構(gòu)，包括襯底，形成于所述襯底上的埋氧化層、形成于所述埋氧化層上的有源區(qū)及淺溝槽隔離；
[0048]步驟S202，在所述前端結(jié)構(gòu)上涂敷光阻并進(jìn)行圖案化；
[0049]步驟S203，以圖案化的光阻為掩膜，進(jìn)行刻蝕形成第一通孔，所述第一通孔延伸至襯底中；
[0050]步驟S204，在所述第一通孔中形成陷阱，所述陷阱低于所述有源區(qū)；
[0051]步驟S205，利用氧化物填充滿所述第一通孔，并在所述淺溝槽隔離及有源區(qū)上形成層間介質(zhì)層；
[0052]步驟S206，在所述層間介質(zhì)層上形成金屬層。
[0053]以下列舉所述射頻結(jié)構(gòu)及其形成方法的較優(yōu)實施例，以清楚說明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0054]請參考圖2?圖10，圖2為本發(fā)明實施例中射頻結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖；圖3?圖10為本發(fā)明實施例中射頻結(jié)構(gòu)的形成方法的過程中的示意圖。
[0055]如圖2所示，在本實施例中，所述射頻結(jié)構(gòu)的形成方法包括:
[0056]首先，請參考圖3，執(zhí)行步驟S201，提供前端結(jié)構(gòu)，包括襯底300，形成于所述襯底300上的埋氧化層301、形成于所述埋氧化層301上的有源區(qū)(ACT) 303及淺溝槽隔離(STI) 302 ;較佳的，所述襯底300可以采用電阻率相對較高的單晶硅材質(zhì)，以減少高頻信號下對襯底300的損耗和串?dāng)_。所述有源區(qū)303所在區(qū)域作為器件區(qū)，用于射頻元件(例如CMOS結(jié)構(gòu))的形成，因此