半導體芯片，所述光電子半導體芯片的背離載體6的上側(cè)沒有接觸部位，所述上側(cè)由待檢測或者待產(chǎn)生的輻射穿過。電流供給從載體6的所述側(cè)起進行。
[0091]結(jié)合圖3A至3H的示意性的剖面圖詳細闡述在此所描述的方法的另一個實施例。
[0092]首先提供生長襯底5，例如半導體緩沖區(qū)域14外延地沉積在所述生長襯底上(圖3A)。接下來，半導體層序列10外延地以η型傳導區(qū)域13、有源區(qū)域12和ρ型傳導區(qū)域11來補充。如果光電子半導體芯片例如是產(chǎn)生輻射的半導體芯片，那么在制成的半導體芯片中在有源區(qū)域12中產(chǎn)生電磁輻射。
[0093]與結(jié)合圖2Α至2Ρ所描述的方法相比，在接下來的步驟中將另一個層22施加到金屬的半導體層21上，所述金屬的半導體層例如能夠具有140nm的厚度并且其例如由銀構(gòu)成，所述另一個層例如包含鈦或者由鈦構(gòu)成并且具有至多20nm、例如1nm的厚度。中間保護層4跟隨另一個鏡層23的背離生長襯底5的一側(cè)上，所述中間保護層例如具有至少300nm、例如330nm的厚度。
[0094]在下一個方法步驟中，將光刻掩膜81施加到中間保護層4的上側(cè)上。當前，光刻掩膜81是可光刻結(jié)構(gòu)化的材料，例如是正性光刻膠，圖3C。
[0095]接下來，圖3D:進行濕化學蝕刻步驟，其中鏡層21沿著橫向方向I被拉到中間保護層4和另一個鏡層22的側(cè)面的后方，使得這些層的一部分沿著橫向方向I超出金屬的鏡層21的露出的側(cè)面21c。通過鏡層21的結(jié)構(gòu)化在鏡層中產(chǎn)生開口 23。緊接著移除光刻掩膜81，圖3E。
[0096]在下一個方法步驟中，圖3F:將鏡保護層3 —致地沉積到中間保護層4的背離生長襯底5的上側(cè)以及中間保護層4的、另一個鏡層22的和鏡層21的側(cè)面上。中間保護層4在該沉積過程中保護鏡層21、22免受損壞。
[0097]在下一個方法步驟中，進行各向異性蝕刻，其中鏡保護層3在中間保護層4的背離生長襯底5的上側(cè)上被完全地移除并且半導體層序列10在開口 23中通過鏡保護層3的材料露出，圖3G。緊接著進行到半導體層序列10中的干蝕刻。
[0098]如在圖3H中所示出的，能夠通過在此所描述的方法實現(xiàn)有源區(qū)域12超出鏡層21或者鏡層序列20的非常小的橫向超出d。以這種方式將有源區(qū)域的不可用于產(chǎn)生輻射或者檢測輻射的區(qū)域保持得非常小。這例如也從圖5A至5C的視圖中可見。
[0099]在下一個方法步驟中，圖31:另一保護層8再次一致地沉積，使得至少鏡層序列20的側(cè)面和有源區(qū)域12的側(cè)面由另一保護層8覆蓋。
[0100]由此尤其可行的是，另一保護層8沿著半導體層序列10中的整個凹處或者開口延伸并且尤其是也覆蓋該凹處或者開口的底面。一致的沉積能夠再次借助于在上文中所提到的方法中的一種來進行。特別地，能夠再次使用氧化物或者氮化物、如二氧化硅、Si3N4和/或Al2O3作為用于另一保護層8的材料。在此尤其可行的是，使用由該材料構(gòu)成的層堆，其中層堆的不同的層能夠通過不同的材料的形成。
[0101]結(jié)合圖3J描述了一個方法步驟，其中通過各向異性蝕刻從半導體緩沖層的背離生長襯底5的一側(cè)移除另一保護層8。以這種方式將半導體緩沖層14露出并且另一保護層8尤其是用于鈍化ρη結(jié)、即有源區(qū)域的側(cè)面12c。
[0102]在接下來的方法步驟中，例如將導電材料7填充到開口 23中，所述導電材料電接觸半導體緩沖區(qū)域14的半導體材料。此外，施加載體6并且能夠移除生長襯底5，其中能夠粗化半導體緩沖區(qū)域14的背離載體6的上側(cè)，見圖3K。
[0103]結(jié)合圖4A至4H的示意性的剖視圖詳細闡述在此所描述的方法的另一個實施例。
[0104]圖4A示出第一方法步驟，在所述第一方法步驟中在生長襯底5的上側(cè)上沉積半導體緩沖區(qū)域14。生長襯底例如是藍寶石襯底或者硅襯底，例如將基于氮化化合物半導體材料的半導體層序列10沉積到所述生長襯底上。半導體緩沖區(qū)域14例如是通過GaN形成的層O
[0105]接下來，圖4B:外延地沉積η型摻雜的區(qū)域13、有源區(qū)域12和ρ型摻雜的區(qū)域。
[0106]接下來，圖4C:將金屬的鏡層21設置在半導體層序列10的背離生長襯底5的上側(cè)上。金屬的鏡層21例如是銀鏡。金屬的鏡層例如被蒸鍍或者濺鍍。在此，鏡層21也能夠是鏡層序列的一部分，如其在上文中所描述。
[0107]在施加鏡層21或者鏡層序列之后，在鏡層21的背離半導體層序列的一側(cè)上施加中間保護層4。中間保護層4例如通過由硅烷形成的二氧化硅形成。替選地，中間保護層也能夠被蒸鍍或者濺鍍。
[0108]在下一個方法步驟中，圖4D:將例如通過正性光刻膠形成的光刻膠層81施加到、例如離心涂鍍到中間保護層4的背離生長襯底5的上側(cè)上。隨后將光刻膠層81曝光和顯影為光刻掩膜81，見圖4Ε。
[0109]接下來，通過蝕刻步驟在使用光刻掩膜81的條件下結(jié)構(gòu)化中間保護層4和鏡層21。在此在中間保護層4的下方構(gòu)成凹口 15，在所述凹口的區(qū)域中鏡層相對于中間保護層4沿著橫向方向回縮。凹口 15接下來能夠通過鏡保護層3的材料填充。為此可行的是，背離生長襯底5的整個側(cè)通過鏡保護層3覆蓋，圖4G。
[0110]鏡保護層3在該實例中由如下材料構(gòu)成，所述材料已通過ALD工藝沉積。在此有利的是，鏡保護層3的層厚度至少為凹口 15的一半高度。由此凹口 15完全地通過鏡保護層15涂層。
[0111]在該實例中，此時通過各向同性的濕化學蝕刻工藝再次完全地移除面中的鏡保護層3并且鏡保護層僅在凹口 15的區(qū)域中至少在到鏡層的邊界面上保持完好，圖4Η。凹口15的相對于鏡保護層3的蝕刻速率足夠的深度尤其是對于制程性能是有利的，因為強制性地設置鏡保護層3在中間保護層4后方的回縮。對于所述制程有利的是，鏡保護層3能夠盡可行選擇性地相對于中間保護層4被蝕刻和/或這兩個層的厚度是強烈不同的。也就是說，凹口 15通過鏡保護層3來填充，鏡保護層3的邊棱略微回縮到中間保護層4的邊棱后方。
[0112]如下為其它的、如結(jié)合圖2K至2P所描述的方法步驟。
[0113]圖5A示出穿過鏡層21的貫通接觸部，半導體緩沖區(qū)域14能夠通過所述貫通接觸部來接觸。參照圖6，對于傳統(tǒng)的光電子半導體芯片相同的情況，示出對于根據(jù)在此所描述的方法制造的半導體芯片I 一樣超出d是極其小的。以這種方式也將非有源區(qū)域100保持得非常小。非有源區(qū)域100的厚度d在圖5A的實施例中例如為至多l(xiāng)OOOnm，反之其在圖6的半導體芯片I中能夠為幾微米。沿著線AA’的剖視圖的斷面例如結(jié)合圖2、3或者4示出。
[0114]以這種方式可行的是，例如實現(xiàn)在圖5B中所示出的光電子半導體芯片1，所述光電子半導體芯片具有大量單獨可控制的有源區(qū)域，所述有源區(qū)域通過非常薄的溝道彼此分開。也就是說，借助于在此所介紹的方法例如能夠?qū)崿F(xiàn)具有邊棱長為幾微米的像素大小的所謂的LED微顯示器，而在各個像素之間不存在不允許寬的分隔溝道，而存在不允許寬的分隔溝道會導致半導體芯片的有源區(qū)域12的差的面利用。
[0115]借助于產(chǎn)生如在圖6中所示出的半導體芯片I的傳統(tǒng)的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)鏡中的接觸留空部的大約50%的面使用。在此每平方毫米芯片面積產(chǎn)生大約在10和30之間的穿過有源區(qū)域的貫通接觸部。
[0116]借助于在此所描述的方法，如在圖5C中所示出的半導體芯片I是可行的，對于該半導體芯片而言，貫通接觸部的數(shù)量能夠為每平方毫米至少100個貫通接觸部直至每平方毫米幾千個貫通接觸部。接觸留空部的面積利用能夠大于90%，這產(chǎn)生了尤其均勻的電流分布從而在整個芯片面上產(chǎn)生了尤其均勻的輻射產(chǎn)生或者輻射檢測。此外以這種方式降低了在貫通接觸部下方的焊料中的影響、即在載體6和半導體層序列10之間在導電材料7中的影響。
[0117]圖7A至71示出光電子半導體芯片的部分區(qū)域的示意圖。圖7A至71在此示出開口 23、即穿過有源區(qū)12的貫通接觸部的區(qū)域中的剖視圖。
[0118]圖7A示出穿過不具有中間保護層4的半導體芯片的剖視圖。如果在此鏡保護層3的上邊棱、即鏡保護層3的背離鏡層21的上側(cè)遵循朝貫通接觸部的中心的方向，那么在鏡邊棱下游間接或者直接連接有鏡保護層3的轉(zhuǎn)變階梯。在其上跟隨著區(qū)域Al至A2，在所述區(qū)域中，鏡保護層3的上邊棱平行于鏡層21和半導體層序列10之間的邊界面伸展。接著連接有半導體轉(zhuǎn)變邊棱，在該處鏡保護層3覆蓋半導體層序列10的朝向開口 23的側(cè)面，并且隨后跟隨著區(qū)域BI至B2。在該區(qū)域中，鏡保護層3的上邊棱也平行于鏡層21和半導體層序列10之間的邊界面伸展。
[0119]圖7B和7C示出穿過具有中間保護層4的半導體芯片的剖視圖。圖7B示出在中間保護層4的下方不具有凹口的構(gòu)成方案的一個變型形式，圖7C示出在中間保護層7下方具有凹口的構(gòu)成方案的一個變型形式。
[0120]如果鏡保護層3的上邊棱遵循朝向貫通接觸部的中心的方向，那么在鏡層邊棱和間接或者直接跟隨的轉(zhuǎn)變階梯下游不連接有區(qū)域Al至A2，在所述區(qū)域中鏡保護層3的上邊棱平行于鏡層21和半導體層序列10之間的邊界面伸展。在半導體中在轉(zhuǎn)變階梯下游也不存在的區(qū)域BI至B2，在所述區(qū)域中鏡保護層3的上邊棱會平行于鏡層21和半導體層序列