一種基板及用于對其進(jìn)行退火的退火方法、退火設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板及用于對其進(jìn)行退火的退火方法、退火設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于非晶硅材料的載流子迀移率低，應(yīng)用非晶硅材料作為有源層的薄膜晶體管已不能滿足高分辨率和高刷新率的高端顯示裝置的要求。而氧化物半導(dǎo)體材料則具有較高的載流子迀移率，因而應(yīng)用氧化物半導(dǎo)體材料作有源層的薄膜晶體管在高端顯示裝置中得到廣泛應(yīng)用。
[0003]由于用作有源層的氧化物半導(dǎo)體材料包含多種元素，使得該材料中產(chǎn)生較多的缺陷，例如氧空位。在薄膜晶體管的使用過程中，有源層中的缺陷逐漸向有源層與柵極絕緣層之間的界面處運(yùn)動，從而導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生漂移，影響顯示裝置中像素的開關(guān)效果，進(jìn)而影響了顯示效果。
[0004]為了防止薄膜晶體管的閾值電壓在使用過程中產(chǎn)生漂移，通常在使用前對薄膜晶體管進(jìn)行退火，從而減少有源層中的缺陷數(shù)量。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，退火不能完全消除薄膜晶體管的有源層中的缺陷，從而導(dǎo)致在使用過程中，仍然會有缺陷向有源層與柵極絕緣層的界面層運(yùn)動的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓產(chǎn)生漂移。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種基板及用于對其進(jìn)行退火的退火方法、退火設(shè)備，能夠進(jìn)一步改善薄膜晶體管的閾值電壓漂移的現(xiàn)象。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種基板，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的柵線和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的有源層的材質(zhì)為氧化物半導(dǎo)體，所述薄膜晶體管的柵極電連接所述柵線，所述基板還包括至少一個柵極信號輸入端子，所述柵極信號輸入端子電連接所述柵線。
[0008]所述基板包括一個所述柵極信號輸入端子及一條柵線總線，所述柵極信號輸入端子通過所述柵線總線電連接所有所述柵線。
[0009]所述基板包括至少兩個所述柵極信號輸入端子及至少兩條柵線總線，每個所述柵極信號輸入端子通過一條所述柵線總線電連接一部分所述柵線。
[0010]一個所述柵極信號輸入端子電連接一條所述柵線。
[0011]所述柵極信號輸入端子位于所述基板的周邊區(qū)域。
[0012]所述基板還包括位于所述襯底基板上的數(shù)據(jù)信號輸入端子、數(shù)據(jù)總線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)信號輸入端子通過所述數(shù)據(jù)總線電連接所述數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線電連接所述薄膜晶體管的源極。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種如上述的基板，由于該基板包括柵極信號輸入端子，從而可以在對基板進(jìn)行退火的同時，向柵極信號輸入端子輸入柵極信號，由于柵極信號輸入端子電連接?xùn)啪€，柵線電連接薄膜晶體管的柵極，從而使得該柵極信號施加在薄膜晶體管上。一方面，柵極信號使得薄膜晶體管的有源層中的缺陷向有源層與柵極絕緣層之間的界面處移動，另一方面，退火促進(jìn)有源層中氧化物半導(dǎo)體材料的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)進(jìn)行重組，生成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，并且退火時的高溫促使缺陷更快速地移動到有源層與柵極絕緣層之間的界面處，從而能夠進(jìn)一步改善薄膜晶體管在使用過程中閾值電壓產(chǎn)生漂移的現(xiàn)象。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于對如上述的基板進(jìn)行退火的退火方法，包括在對所述基板進(jìn)行退火的同時，向所述柵極信號輸入端子輸入柵極信號。
[0015]所述柵極信號包括正電壓和負(fù)電壓。
[0016]向不同的所述柵極信號輸入端子輸入不同的柵極信號。
[0017]在對所述基板進(jìn)行退火的同時，向數(shù)據(jù)信號輸入端子輸入數(shù)據(jù)信號。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于對如上述的基板進(jìn)行退火的退火方法，對基板進(jìn)行退火的同時，向柵極信號輸入端子輸入柵極信號，一方面，柵極信號施加在薄膜晶體管上，使得薄膜晶體管的有源層中的缺陷向有源層與柵極絕緣層之間的界面處移動，另一方面，退火促進(jìn)有源層中氧化物半導(dǎo)體材料的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)進(jìn)行重組，生成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，并且退火時的高溫促使缺陷更快速地移動到有源層與柵極絕緣層之間的界面處，從而能夠進(jìn)一步改善薄膜晶體管在使用過程中閾值電壓產(chǎn)生漂移的現(xiàn)象。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種用于對如上述的基板進(jìn)行退火的退火設(shè)備，包括至少一個柵極信號輸出端子，所述柵極信號輸出端子用于電連接所述基板上的所述柵極信號輸入端子。
[0020]所述退火設(shè)備還包括至少一個數(shù)據(jù)信號輸出端子，所述數(shù)據(jù)信號輸出端子用于電連接所述基板上的數(shù)據(jù)信號輸入端子。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于對如上述的基板進(jìn)行退火的退火設(shè)備，退火時，由于柵極信號輸出端子電連接?xùn)艠O信號輸入端子，從而可以通過柵極信號輸出端子向基板上的柵極信號輸入端子輸入柵極信號。一方面，柵極信號施加在薄膜晶體管上，使得薄膜晶體管的有源層中的缺陷向有源層與柵極絕緣層之間的界面處移動，另一方面，退火促進(jìn)有源層中氧化物半導(dǎo)體材料的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)進(jìn)行重組，生成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，并且退火時的高溫促使缺陷更快速地移動到有源層與柵極絕緣層之間的界面處，從而能夠進(jìn)一步改善薄膜晶體管在使用過程中閾值電壓產(chǎn)生漂移的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種基板的局部示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第—種基板的局部不意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種基板的局部示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記說明:
[0027]I一柵線； 2—薄膜晶體管；3—柵極信號輸入端子；
[0028]4一柵線總線；5—數(shù)據(jù)信號輸入端子；6—數(shù)據(jù)總線；
[0029]7—數(shù)據(jù)線。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]實(shí)施例一
[0032]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基板，該基板包括襯底基板(圖中未示出)和位于襯底基板上的柵線I和薄膜晶體管2，薄膜晶體管2的有源層的材質(zhì)為氧化物半導(dǎo)體，薄膜晶體管2的柵極電連接?xùn)啪€1，基板還包括至少一個柵極信號輸入端子3，柵極信號輸入端子3電連接?xùn)啪€I。
[0033]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的基板退火后，切割形成陣列基板，該陣列基板與彩膜基板對盒后形成顯示裝置。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種如上述的基板，由于該基板包括柵極信號輸入端子，從而可以在對基板進(jìn)行退火的同時，向柵極信號輸入端子輸入柵極信號，由于柵極信號輸入端子電連接?xùn)啪€，柵線電連接薄膜晶體管的柵極，從而使得該柵極信號施加在薄膜晶體管上。一方面，柵極信號使得薄膜晶體管的有源層中的缺陷向有源層與柵極絕緣層之間的界面處移動，另一方面，退火促進(jìn)有源層中氧化物半導(dǎo)體材料的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)進(jìn)行重組，生成更穩(wěn)定的化學(xué)鍵，并且退火時的高溫促使缺陷更快速地移動到有源層與柵極絕緣層之間的界面處，從而能夠進(jìn)一步改善薄膜晶體管在使用過程中閾值電壓產(chǎn)生漂移的現(xiàn)象。
[0035]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明實(shí)施例中的基板，下面本發(fā)明實(shí)施例具體提供以下三種基板，這三種基板的區(qū)別在于柵極信號輸入端子3的數(shù)目以及與柵線I的具體連接關(guān)系不同。
[0036]第一種基板，如圖1所示，基板包括一個柵極信號輸入端子3及一條柵線總線4，柵極信號輸入端子3通過柵線總線4電連接所有柵線1，從而使得基板的結(jié)構(gòu)和制造方法簡單。
[0037]第二種基板，如圖2所示，基板包括至少兩個柵極信號輸入端子3及至少兩條柵線總線4，每個柵極信號輸入端子3通過一條柵線總線4電連接一部分柵線I。在基板的制造過程中，薄膜晶體管2的有源層通過沉積的方法形成，基板的不同區(qū)域(例如中心部分和周邊部分)沉積的有源層的厚度不同，使得有源層中缺陷的數(shù)量不同，從而導(dǎo)致基板的不同區(qū)域的薄膜晶體管2的閾值電壓的漂移范圍不同，當(dāng)基板具有如圖2所示的結(jié)構(gòu)時，在對該基板進(jìn)行退火的同時，可以向不同的柵極信號輸入端子3輸入不同的柵極信號，從而向基板的不同區(qū)域的薄膜晶體管2輸入不同的柵極信號，從而使所有的薄膜晶體管2的有源層中的缺陷在退火時均盡可能向有源層與柵極絕緣層之間的界面處的移動。
[0038]第三種基板，如圖3所示，一個柵極信號輸入端子3電連接一條柵線I。在