低電阻透明導(dǎo)電積層體、低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體及觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種觸控面板用的低電阻透明導(dǎo)電積層體，特別是涉及一種包含透明 基板、透明光學(xué)調(diào)整層、氧化硅層以及透明導(dǎo)電層的低電阻透明導(dǎo)電積層體。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來市場(chǎng)上推出了許多便利的智慧商品，例如，智能型手機(jī)、觸控?zé)赡?、觸控平 板、電子書等。隨著這些高度應(yīng)用觸控技術(shù)的推出，帶動(dòng)了整個(gè)觸控面板的使用。且該觸控 面板例如但不限于電阻式觸控面板或電容式觸控面板。所述觸控面板為一包括透明有機(jī)高 分子基材以及設(shè)置于該透明有機(jī)高分子基材上的透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電積層體。
[0003] 上述透明導(dǎo)電積層體視需求可進(jìn)一步將透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案化處理，形成一圖案 化的透明導(dǎo)電積層體，其中，該圖案化處理為將部分透明導(dǎo)電膜移除，以形成非導(dǎo)電區(qū)域， 而剩余的部分透明導(dǎo)電膜則形成導(dǎo)電區(qū)域。然而，光線進(jìn)入該圖案化的透明導(dǎo)電積層體并 被反射時(shí)，由于透明有機(jī)高分子基材與透明導(dǎo)電膜對(duì)于光的反射率并不相同，使得通過導(dǎo) 電區(qū)域的光與通過非導(dǎo)電區(qū)域的光的反射率差異大，應(yīng)用至觸控面板上，當(dāng)使用者使用時(shí)， 容易且明顯地看到并辨別出導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域，繼而影響觸控面板的顯示質(zhì)量。
[0004] 中國(guó)臺(tái)灣專利公開案201213136揭示一種透明導(dǎo)電性膜。該透明導(dǎo)電性膜包括透 明基材、第一硬涂層、第一透明介電質(zhì)層以及第一透明導(dǎo)電體層。該透明基材的膜厚范圍為 2iim至250iim。第一硬涂層的膜厚范圍為0. 5iim至6iim，且折射率范圍為1. 40至1. 90。 第一透明介電質(zhì)層的膜厚范圍為l〇nm至50nm，且折射率范圍為1.30至1.50。該第一透明 導(dǎo)電體層進(jìn)行了圖案化且膜厚范圍為lOmii至2pm。由該中國(guó)臺(tái)灣案的說明書中表1的揭 示可知，第一透明導(dǎo)電體層經(jīng)結(jié)晶化后的表面電阻值在270Q/sq以上時(shí)，通過所述參數(shù)條 件的調(diào)控，可降低通過導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射率與通過非導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射率的差 異，使得使用者使用時(shí)，不易看到導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域，以達(dá)到無圖案化的效果。然而，因 目前觸控面板尺寸有越來越大的趨勢(shì)，若第一透明導(dǎo)電體層的表面電阻值過高，應(yīng)用于大 尺寸觸控面板時(shí)易產(chǎn)生雜訊。但為避免雜訊的產(chǎn)生，通過增加第一透明導(dǎo)電體層的厚度來 降低表面電阻值，則會(huì)使得通過導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射率與通過非導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射 率的差異變大，導(dǎo)致使用者在觀看觸控面板時(shí)容易看到并辨別出導(dǎo)電區(qū)域與非導(dǎo)電區(qū)域。
[0005] 有鑒于上述，改良透明導(dǎo)電性膜從而減少通過導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射率與通過非 導(dǎo)電區(qū)域的光線的反射率的差異，以解決使用者在觀看觸控面板時(shí)易看到透明導(dǎo)電層圖案 化的痕跡的問題，繼而提高觸控面板的顯示質(zhì)量，仍是此技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員可再突破 的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的第一目的在于提供一種光線被反射后無干涉紋產(chǎn)生的低電阻透明導(dǎo)電 積層體。
[0007] 本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體，包含：
[0008] 一透明基板；
[0009] 一透明光學(xué)調(diào)整層，設(shè)置在該透明基板上，且厚度范圍為50nm至4,OOOnm，以及折 射率范圍為1.58至1.70;
[0010] 一氧化硅層，設(shè)置在該透明光學(xué)調(diào)整層上，且厚度范圍為23nm至27nm;及
[0011] -透明導(dǎo)電層，設(shè)置在該氧化娃層上，且厚度范圍為20nm至25nm，以及表面電阻 值范圍為小于200Q/sq;
[0012] 其中，該透明基板的折射率與該透明光學(xué)調(diào)整層的折射率的差值的絕對(duì)值范圍為 0. 05以下，且該氧化硅是由式（I)所示；
[0013] SiOx (I)
[0014] 式⑴中，x為大于1. 6至小于2. 0。
[0015] 本發(fā)明的第二目的在于提供一種光線反射后無干涉紋產(chǎn)生，且，使用者在觀看時(shí) 不易看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡的低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體。
[0016] 本發(fā)明低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體，包含：
[0017] 一透明基板；
[0018] 一透明光學(xué)調(diào)整層，設(shè)置在該透明基板上，且厚度范圍為50nm至4,OOOnm，以及折 射率范圍為1.58至1.70;
[0019] 一氧化硅層，設(shè)置在該透明光學(xué)調(diào)整層上，且厚度范圍為23nm至27nm;及
[0020] -圖案化的透明導(dǎo)電層，設(shè)置在該氧化硅層上，且厚度范圍為20nm至25nm，以及 表面電阻值范圍為小于200Q/sq;
[0021] 其中，該透明基板的折射率與該透明光學(xué)調(diào)整層的折射率的差值的絕對(duì)值范圍為 0. 05以下，且氧化硅是由式（I)所示；
[0022] Si0x (I)
[0023] 式⑴中，x為大于1. 6至小于2. 0。
[0024] 本發(fā)明的第三目的在于提供一種具有較佳顯示質(zhì)量的觸控面板。
[0025] 本發(fā)明觸控面板包含上述的低電阻透明導(dǎo)電積層體或上述低電阻圖案化的透明 導(dǎo)電積層體。
[0026] 本發(fā)明的有益效果在于：通過所述參數(shù)條件的調(diào)控，本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層 體無干涉紋產(chǎn)生，以及，由該低電阻透明導(dǎo)電積層體所形成的低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積 層體應(yīng)用至觸控面板時(shí)，使用者在觀看時(shí)不易看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡，繼而使得觸 控面板具有較佳的顯示質(zhì)量。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 以下將就本
【發(fā)明內(nèi)容】
進(jìn)行詳細(xì)說明：
[0028] 本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體，包含：
[0029] 一透明基板；
[0030] 一透明光學(xué)調(diào)整層，設(shè)置在該透明基板上，且厚度范圍為50nm至4,OOOnrn，以及折 射率范圍為1.58至1.70;
[0031] 一氧化硅層，設(shè)置在該透明光學(xué)調(diào)整層上，且厚度范圍為23nm至27nm;及
[0032] 一透明導(dǎo)電層，設(shè)置在該氧化硅層上，且厚度范圍為20nm至25nm，以及表面電阻 值范圍為小于200Q/sq;
[0033] 其中，該透明基板的折射率與該透明光學(xué)調(diào)整層的折射率的差值的絕對(duì)值范圍為 0. 05以下，且氧化硅是由式（I)所示；
[0034] SiOx (I)
[0035] 式⑴中，x為大于1. 6至小于2. 0。
[0036] 本發(fā)明通過調(diào)整該透明基板的折射率與該透明光學(xué)調(diào)整層的折射率的差值的絕 對(duì)值范圍為0.05以下，使該透明基板與該透明光學(xué)調(diào)整層的界面不引起反射，以減少干涉 紋的產(chǎn)生。同時(shí)，通過所述參數(shù)條件的調(diào)控，使得低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體應(yīng)用至觸 控面板時(shí)，使用者在觀看時(shí)不易看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡，繼而使得觸控面板具有較 佳的顯示質(zhì)量。
[0037] 較佳地，本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體中，還包含一設(shè)置于該透明基板上且與透 明光學(xué)調(diào)整層相反側(cè)的機(jī)能層。
[0038] 本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體的制備方法，可采用現(xiàn)有制備觸控面板用的低電阻 透明導(dǎo)電積層體的方法即可。舉例來說，本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體的制備方法包含以 下步驟：提供一透明基板；于該透明基板上形成一透明光學(xué)調(diào)整層，獲得一第一積層體；于 該第一積層體的透明光學(xué)調(diào)整層上形成一氧化硅層，獲得一第二積層體；于該第二積層體 的氧化硅層上形成一透明導(dǎo)電層，即可獲得本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體。
[0039] 該透明光學(xué)調(diào)整層形成的方法并無特別的限制。該形成方法例如但不限于輥涂 法、旋涂法，或浸涂法等?；诳蛇B續(xù)生產(chǎn)的觀點(diǎn)而言，較佳地，該形成方法為輥涂法。
[0040] 該氧化硅層的形成方法并無特別的限制。該形成方法例如但不限于干式涂布法， 或濕式涂布法等。該干式涂布法例如但不限于蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法（ionPlating)、 化學(xué)氣相沉積法或電鍍法等?；诳蛇B續(xù)生產(chǎn)的觀點(diǎn)而言，較佳地，該干式涂布法為濺鍍 法。該濕式涂布法例如但不限于輥涂法、旋涂法或浸涂法等?；诳蛇B續(xù)生產(chǎn)的觀點(diǎn)而言， 較佳地，該濕式涂布法為輥涂法。
[0041] 該透明導(dǎo)電層的形成方法并無特別的限制。該形成方法例如但不限于蒸鍍法、濺 鍍法、離子鍍敷法、化學(xué)氣相沉積法，或電鍍法。以有效控制透明導(dǎo)電層厚度的觀點(diǎn)而言，較 佳地，該形成方法為蒸鍍法或?yàn)R鍍法。
[0042] 該本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體的制備方法還包含一對(duì)該透明導(dǎo)電層施予退火 處理步驟，以使透明導(dǎo)電層結(jié)晶化并調(diào)整其電阻值，其中，該退火處理的操作溫度范圍為 100°C至 200°C。
[0043] 該本發(fā)明低電阻透明導(dǎo)電積層體的制備方法還包含一形成于該透明基板上并與 該透明光學(xué)調(diào)整層相反側(cè)的機(jī)能層的步驟。該機(jī)能層的形成方法并無特別的限制。該形成 方法例如但不限輥涂法、旋涂法、浸涂法、棒涂法，或凹版涂布法等。
[0044] 本發(fā)明低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體制備方法包含上述低電阻透明導(dǎo)電積層 體的制備方法，以及對(duì)該低電阻透明導(dǎo)電積層體的透明導(dǎo)電層施予一圖案化處理，形成一 圖案化的透明導(dǎo)電層，即可獲得本發(fā)明低電阻圖案化的透明導(dǎo)電積層體，其中，退火處理步 驟可于形成透明導(dǎo)電層后或圖案化的透明導(dǎo)電層后再進(jìn)行。
[0045] 該圖案化處理為將部分透明導(dǎo)電層移除，以形成非導(dǎo)電區(qū)，而剩余的部分透明導(dǎo) 電層則形成導(dǎo)電區(qū)。該圖案化處理例如但不限于干蝕刻法或濕蝕刻法。
[0046] 以下將逐一對(duì)該透明基板、透明光學(xué)調(diào)整層、氧化硅層、透明導(dǎo)電層及機(jī)能層進(jìn)行 詳細(xì)說明。
[0047]〈〈透明基板》
[0048] 于本