一種功率mos器件的金屬成膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及半導(dǎo)體成膜工藝和金屬互聯(lián)工藝，尤其涉及一種功率MOS (power M0S)器件的金屬成膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)power MOS (功率M0S)工藝中一般沉積單層金屬層(鋁銅或鋁硅銅)作為bonding(鍵合)的金屬層,見圖1和圖4。但是如果沉積招銅作為bonding的金屬層,容易產(chǎn)生spike (穿刺);如果沉積招娃銅作為bonding的金屬層(見圖1),會產(chǎn)生bonding的鍵合度不牢固。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種功率MOS器件的金屬成膜方法，改變了以往表層金屬只沉積鋁銅或鋁硅銅一種金屬膜的結(jié)構(gòu)，通過先沉積鋁硅銅再沉積鋁銅的兩層金屬膜結(jié)構(gòu)，防止了 spike和提高了鍵合性能，改善了器件的電性能和使用壽命。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種功率MOS器件的金屬成膜方法，主要包含以下步驟:
[0005](I)第一層金屬層鋁硅銅的形成；
[0006](2)第二層金屬層鋁銅的形成。
[0007]步驟(I)中，第一層金屬層鋁硅銅的成膜基底為硅襯底，表面成膜物質(zhì)包括氧化膜、多晶硅、金屬鈦、氮化鈦。
[0008]所述步驟(I)第一層金屬層鋁硅銅的形成，主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度為10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在I?lOOmtorr。
[0009]所述步驟(2)第二層金屬層鋁銅的形成，主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度為10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在I?lOOmtorr。
[0010]和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明提供的一種沉積鍵合金屬層的新方法，改變了以往表層金屬只沉積鋁銅或鋁硅銅一種金屬膜的結(jié)構(gòu)，通過先沉積鋁硅銅再沉積鋁銅的兩層金屬膜結(jié)構(gòu)，防止了 spike和提高了鍵合性能，改善了器件的電性能和使用壽命。
【附圖說明】
[0011]圖1是傳統(tǒng)方法成膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本發(fā)明方法成膜結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3是本發(fā)明方法的流程示意圖；
[0014]圖4是傳統(tǒng)方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0016]如圖3所示,本發(fā)明一種提高power MOS(功率M0S)鍵合性能的金屬成膜方法,主要包含以下步驟:
[0017](I)第一層金屬層鋁硅銅的形成；其成膜基底為硅襯底，表面成膜物質(zhì)包括但不限于氧化膜、多晶硅、金屬鈦、氮化鈦等物質(zhì)；該步驟主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在I?lOOmtorr。
[0018](2)第二層金屬層鋁銅的形成；該步驟主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在I?lOOmtorr。
[0019]本發(fā)明通過先沉積鋁硅銅金屬層再沉積鋁銅金屬層的兩層金屬膜結(jié)構(gòu)(見圖2)，防止了沉積單層鋁銅作為鍵合的金屬層容易產(chǎn)生的spike和提高了鍵合性能，改善了器件的電性能和使用壽命。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種功率MOS器件的金屬成膜方法，其特征在于，主要包含以下步驟: (1)第一層金屬層鋁硅銅的形成； (2)第二層金屬層鋁銅的形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(I)中，第一層金屬層鋁硅銅的成膜基底為硅襯底，表面成膜物質(zhì)包括氧化膜、多晶硅、金屬鈦、氮化鈦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(I)第一層金屬層鋁硅銅的形成，主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度為10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在 I ?10mtorr。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)第二層金屬層鋁銅的形成，主要采用物理濺射成膜工藝，成膜厚度為10?40000埃，濺射溫度為10?500°C，壓力在I ?10mtorr0
【專利摘要】本發(fā)明公開一種功率MOS器件的金屬成膜方法。本發(fā)明提供的一種沉積鍵合金屬層的新方法，改變了以往表層金屬只沉積鋁銅或鋁硅銅一種金屬膜的結(jié)構(gòu)，通過先沉積鋁硅銅再沉積鋁銅的兩層金屬膜結(jié)構(gòu)，防止了spike（穿刺）和提高了鍵合性能，改善了器件的電性能和使用壽命。
【IPC分類】H01L21-336
【公開號】CN104658910
【申請?zhí)枴緾N201310589807
【發(fā)明人】王東, 李文軍, 季芝慧
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月20日