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      電極組件及用于該電極組件的基本單體的制作方法

      文檔序號:8344790閱讀:412來源:國知局
      電極組件及用于該電極組件的基本單體的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及電極組件及用于該電極組件的基本單體,更為詳細(xì)地涉及與堆疊型結(jié)構(gòu)或堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)不同的新型結(jié)構(gòu)的電極組件及用于該電極組件的基本單體。
      【背景技術(shù)】
      [0002]二次電池可以根據(jù)電極組件的結(jié)構(gòu)而分為多種。作為一例,二次電池可分為堆疊型結(jié)構(gòu)、卷曲型(卷型)結(jié)構(gòu)或堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)。但是,堆疊型結(jié)構(gòu)中,構(gòu)成電極組件的電極單位(正極(cathode)、隔膜及負(fù)極(anode))相互單獨(dú)地層疊,因而存在如下缺點(diǎn):不僅很難精密地整齊排列電極組件,而且還需要很多工序。并且,堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)通常需要兩臺層壓裝置和一臺折疊裝置,因而存在電極組件的制造工序非常復(fù)雜的缺點(diǎn)。尤其,堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)通過折疊來層疊全電池或雙電池,因而存在難以精密地整齊排列全電池或雙電池的缺點(diǎn)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]要解決的技術(shù)問題
      [0004]因此,本發(fā)明為了解決如上所述的問題而作出,本發(fā)明的課題在于能夠通過與堆疊型結(jié)構(gòu)或堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)不同的新型結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)精密的排列和簡單的工序的電極組件及用于該電極組件的基本單體。
      [0005]用于解決技術(shù)問題的手段
      [0006]本發(fā)明的可層疊的基本單體具有使第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜依次配置并結(jié)合成一體的四層結(jié)構(gòu)或使第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜依次配置而成的四層結(jié)構(gòu)反復(fù)配置并結(jié)合成一體的結(jié)構(gòu),上述第一隔膜的末端不與上述第二隔膜的末端接合。
      [0007]并且,本發(fā)明的電極組件包括單體堆疊部,上述單體堆疊部具有:(a)使相同數(shù)量的電極和隔膜交替地配置并結(jié)合成一體的一種基本單體反復(fù)配置而成的結(jié)構(gòu);或者(b)使相同數(shù)量的電極和隔膜交替地配置并結(jié)合成一體的兩種以上的基本單體按指定的順序配置而成的結(jié)構(gòu)。此時,隔膜的末端不與相鄰的隔膜的末端接合。而且,(a)的一種基本單體具有使第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜依次配置而成的四層結(jié)構(gòu)或使上述四層結(jié)構(gòu)反復(fù)配置而成的結(jié)構(gòu),并且,若將(b)的兩種以上的基本單體按指定的順序每次各配置一個,則形成上述四層結(jié)構(gòu)或使上述四層結(jié)構(gòu)反復(fù)配置而成的結(jié)構(gòu)。
      [0008]發(fā)明效果
      [0009]根據(jù)本發(fā)明,可提供能夠通過與堆疊型結(jié)構(gòu)或堆疊/折疊型結(jié)構(gòu)不同的新型結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)精密的排列和簡單的工序的電極組件及用于該電極組件的基本單體。
      【附圖說明】
      [0010]圖1為示出本發(fā)明的基本單體的第一結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0011]圖2為示出本發(fā)明的基本單體的第二結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0012]圖3為示出通過層疊圖1的基本單體來形成的單體堆疊部的側(cè)視圖。
      [0013]圖4為示出本發(fā)明的基本單體的第三結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0014]圖5為示出本發(fā)明的基本單體的第四結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0015]圖6為示出通過層疊圖4的基本單體和圖5的基本單體來形成的單體堆疊部的側(cè)視圖。
      [0016]圖7為示出本發(fā)明的制造基本單體的工序的工序圖。
      [0017]圖8為示出使具有不同大小的基本單體層疊而形成的單體堆疊部的立體圖。
      [0018]圖9為示出圖8的單體堆疊部的側(cè)視圖。
      [0019]圖10為示出使具有不同的幾何形狀的基本單體層疊而形成的單體堆疊部的立體圖。
      [0020]圖11為示出本發(fā)明的包括基本單體和第一輔助單體的單體堆疊部的第一結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0021]圖12為示出本發(fā)明的包括基本單體和第一輔助單體的單體堆疊部的第二結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0022]圖13為示出本發(fā)明的包括基本單體和第二輔助單體的單體堆疊部的第三結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0023]圖14為示出本發(fā)明的包括基本單體和第二輔助單體的單體堆疊部的第四結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0024]圖15為示出本發(fā)明的包括基本單體和第一輔助單體的單體堆疊部的第五結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0025]圖16為示出本發(fā)明的包括基本單體和第一輔助單體的單體堆疊部的第六結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0026]圖17為示出本發(fā)明的包括基本單體和第二輔助單體的單體堆疊部的第七結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0027]圖18為示出本發(fā)明的包括基本單體和第二輔助單體的單體堆疊部的第八結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0028]圖19為示出本發(fā)明的包括基本單體和第一輔助單體的單體堆疊部的第九結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0029]圖20為示出本發(fā)明的包括基本單體、第一輔助單體及第二輔助單體的單體堆疊部的第十結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      [0030]圖21為示出本發(fā)明的包括基本單體和第二輔助單體的單體堆疊部的第十一結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
      【具體實施方式】
      [0031]以下,參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例詳細(xì)地進(jìn)行說明。但本發(fā)明并不局限或限定于以下的實施例。
      [0032]本發(fā)明的電極組件包括單體堆疊部,單體堆疊部具有使一種基本單體反復(fù)配置而成的結(jié)構(gòu)或使兩種以上的基本單體按指定的順序、例如交替地配置而成的結(jié)構(gòu)。對此,以下首先對基本單體進(jìn)行觀察。
      [0033][基本單體的結(jié)構(gòu)]
      [0034]在本發(fā)明的電極組件中,基本單體使電極和隔膜交替配置而形成。此時,電極和隔膜配置相同數(shù)量。例如,如圖1所示,基本單體IlOa能夠使兩個電極111、113和兩個隔膜
      112、114層疊而形成。此時,正極和負(fù)極當(dāng)然可以通過隔膜而相向。若以這種方式形成基本單體,則電極(在圖1和圖2中參照附圖標(biāo)記111的電極)位于基本單體的一側(cè)末端,隔膜(在圖1和圖2中參照附圖標(biāo)記114的隔膜)位于基本單體的另一側(cè)末端。
      [0035]本發(fā)明的電極組件的基本特征在于,僅通過基本單體的層疊來形成單體堆疊部(即,電極組件)。即,本發(fā)明的基本特征在于,能夠反復(fù)層疊一種基本單體或按指定的順序?qū)盈B兩種以上的基本單體來形成單體堆疊部。為了實現(xiàn)這種特征,基本單體可以具有如下結(jié)構(gòu)。
      [0036]首先,基本單體能夠以依次層疊第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜的方式形成。更具體地,基本單體IlOaUlOb能夠如圖1所示以自上而下依次層疊第一電極111、第一隔膜112、第二電極113及第二隔膜114的方式形成,或者如圖2所示以自下而上依次層疊第一電極111、第一隔膜112、第二電極113及第二隔膜114的方式形成。將具有這種結(jié)構(gòu)的基本單體稱之為第一基本單體。此時,第一電極111和第二電極113為相反的電極。例如,若第一電極111為正極,則第二電極113為負(fù)極。
      [0037]如此,若依次層疊第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜來形成基本單體,則如圖3所示,僅通過反復(fù)層疊一種基本單體110a,也能夠形成單體堆疊部100a。在此,基本單體除了這種四層結(jié)構(gòu)之外,還能夠具有八層結(jié)構(gòu)或十二層結(jié)構(gòu)。即,基本單體可以具有使四層結(jié)構(gòu)反復(fù)配置而成的結(jié)構(gòu)。例如,基本單體也能夠以依次層疊第一電極、第一隔膜、第二電極、第二隔膜、第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜的方式形成。
      [0038]第二,基本單體能夠以依次層疊第一電極、第一隔膜、第二電極、第二隔膜、第一電極及第一隔膜的方式形成,或者以依次層疊第二電極、第二隔膜、第一電極、第一隔膜、第二電極及第二隔膜的方式形成。將具有前者結(jié)構(gòu)的基本單體稱之為第二基本單體,并將具有后者結(jié)構(gòu)的基本單體稱之為第三基本單體。
      [0039]更具體地,第二基本單體I 1c能夠如圖4所示以自上而下依次層疊第一電極111、第一隔膜112、第二電極113、第二隔膜114、第一電極111及第一隔膜112的方式形成。并且,第三基本單體IlOd能夠如圖5所示以自上而下依次層疊第二電極113、第二隔膜114、第一電極111、第一隔膜112、第二電極113及第二隔膜114的方式形成。相反,也能夠以自下而上依次層疊的方式形成。
      [0040]若將第二基本單體IlOc和
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