一種集成電路及其制造方法和電子裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種集成電路及其制造方法和電子裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，射頻前端模塊(Rad1 Frequency Frond-End Module,簡(jiǎn)稱RF FEM)，是無(wú)線通信設(shè)備(例如手機(jī)、平板電腦等)中的關(guān)鍵組件，而射頻開(kāi)關(guān)器件(簡(jiǎn)稱射頻開(kāi)關(guān)，通常為集成電路或集成電路的一部分)又是射頻前端模塊的關(guān)鍵組件之一。射頻前端模塊(RF FEM)中的射頻開(kāi)關(guān)，需要具有高的信號(hào)保真性、低的插入損失、良好的線性特征和較小的信號(hào)形變。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，射頻開(kāi)關(guān)通常采用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體晶體管制造，其加工制造及封裝成本較昂貴。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，已經(jīng)可以采用絕緣體上硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SOMOS)制造射頻開(kāi)關(guān)器件，并且制得的射頻開(kāi)關(guān)器件已經(jīng)能夠接近或達(dá)到采用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體晶體管制造的射頻開(kāi)關(guān)器件的性能水平。
[0004]然而，在采用絕緣體上硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下簡(jiǎn)稱晶體管)制造的射頻開(kāi)關(guān)器件中，仍然存在晶體管的源極、漏極和柵極以及互連線與半導(dǎo)體襯底的寄生耦合作用，仍然帶來(lái)附加的寄生電容，而這種寄生電容會(huì)隨著開(kāi)關(guān)信號(hào)的電壓變化而變化，從而進(jìn)一步影響場(chǎng)效應(yīng)晶體管的綜合性能，最終影響射頻開(kāi)關(guān)器件甚至整個(gè)射頻前端模塊的性能。
[0005]因此，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種新的集成電路及其制造方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種集成電路及其制造方法和電子裝置，該集成電路可以降低晶體管的源極、漏極和柵極以及互連線與半導(dǎo)體襯底的耦合作用，減小因基板耦合效應(yīng)產(chǎn)生的寄生電容。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例一提供一種集成電路，包括復(fù)合半導(dǎo)體襯底以及位于所述復(fù)合半導(dǎo)體襯底上的晶體管；
[0008]所述復(fù)合半導(dǎo)體襯底包括第一半導(dǎo)體襯底、位于所述第一半導(dǎo)體襯底之上的絕緣層以及位于所述絕緣層之上的第二半導(dǎo)體襯底；所述晶體管形成于所述第二半導(dǎo)體襯底之上，并且，所述晶體管的底部由所述絕緣層所隔離；
[0009]其中，所述第一半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)置有位于所述晶體管下方的空腔，所述空腔的側(cè)壁為所述第一半導(dǎo)體襯底，頂壁為所述絕緣層或所述第一半導(dǎo)體襯底，底壁為接合于所述第一半導(dǎo)體襯底之上的密封襯底。
[0010]可選地，所述空腔的側(cè)壁為弧形。
[0011]其中，所述密封襯底可選自硅襯底、玻璃襯底或塑料襯底。
[0012]可選地，所述空腔的高度為lOOnm-lOOum。進(jìn)一步的,所述空腔的高度為lum_2um。
[0013]可選地，所述空腔的側(cè)壁為(111)晶面。
[0014]可選地，所述集成電路還包括位于所述第二半導(dǎo)體襯底內(nèi)的淺溝槽隔離，其中，不同的所述晶體管之間由所述淺溝槽隔離所隔離。
[0015]可選地，所述集成電路還包括設(shè)置于所述晶體管上方的第一體介電層以及位于所述第一體介電層內(nèi)的用于連接所述晶體管的互連線。
[0016]可選地，所述集成電路為射頻開(kāi)關(guān)器件；或者，所述集成電路為包括射頻開(kāi)關(guān)器件的射頻前端模塊，并且所述晶體管為所述射頻開(kāi)關(guān)器件中的晶體管。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例二提供一種集成電路的制造方法，包括:
[0018]步驟SlOl:提供包括第一半導(dǎo)體襯底、位于所述第一半導(dǎo)體襯底之上的絕緣層以及位于所述絕緣層之上的第二半導(dǎo)體襯底的復(fù)合半導(dǎo)體襯底，在所述第二半導(dǎo)體襯底上形成晶體管；
[0019]步驟S102:通過(guò)刻蝕在所述第一半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成位于所述晶體管下方的溝槽，其中所述溝槽的底壁為所述絕緣層或所述第一半導(dǎo)體襯底；
[0020]步驟S103:在所述第一半導(dǎo)體襯底上接合密封襯底以封閉所述溝槽的開(kāi)口而形成空腔。
[0021]可選地，在所述步驟S102中，所述刻蝕為干法刻蝕，所采用主刻蝕氣體為含氟氣體。
[0022]可選地，在所述步驟S102中，所述刻蝕為濕法刻蝕，所采用的刻蝕液為ΤΜΑΗ、Κ0Η、NH3.H2O 或 HN03/NH4F。
[0023]可選地，在所述步驟S102中，所述溝槽的深度為lOOnm-lOOum。
[0024]可選地，在所述步驟S103中，在所述第一半導(dǎo)體襯底上接合密封襯底的方法可以為粘接、焊接或真空吸附。
[0025]可選地，在所述步驟SlOl中，還包括形成位于所述晶體管上方的第一體介電層以及位于所述第一體介電層內(nèi)的用于連接所述晶體管的互連線的步驟。
[0026]可選地，在所述步驟SlOl與所述步驟S102之間還包括步驟S1012:對(duì)所述第一半導(dǎo)體襯底進(jìn)行減薄處理。
[0027]可選地，在所述步驟SlOl與所述步驟S1012之間還包括步驟S10112:在所述第二半導(dǎo)體襯底的形成有所述晶體管的一側(cè)接合承載襯底以支撐所述第一半導(dǎo)體襯底。
[0028]可選地，在所述步驟S103之后還包括步驟S104:去除所述承載襯底。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例三提供一種電子裝置，其特征在于，包括如上所述的集成電路。
[0030]本發(fā)明的集成電路，由于在復(fù)合半導(dǎo)體襯底的第一半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)置有位于晶體管下方的空腔，可以隔離晶體管與復(fù)合半導(dǎo)體襯底，因此可以降低晶體管的源極、漏極和柵極以及互連線與復(fù)合半導(dǎo)體襯底之間的寄生耦合作用，減小因基板耦合效應(yīng)產(chǎn)生的寄生電容，提高集成電路的性能。本發(fā)明的集成電路的制造方法，用于制造上述集成電路，制得的集成電路同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的電子裝置，使用了上述集成電路，因而也具有上述優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0031]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0032]附圖中:
[0033]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的一種集成電路的結(jié)構(gòu)的一種示意性剖視圖；
[0034]圖2A至2G為本發(fā)明實(shí)施例二的一種集成電路的制造方法的相關(guān)步驟形成的圖形的示意性剖視圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二的一種集成電路的制造方法的一種示意性流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0038]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0039]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0040]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0041]這里參考作為本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來(lái)描述發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如