多晶硅層4，從而形成半導(dǎo)體層。其中，所述多晶硅膜層基板20包括基板1、沉積在所述基板I上的緩沖層2以及位于所述緩沖層2上方的多晶硅層4。
[0035]請參圖3所示，采用光刻的方法在所述多晶硅層4上形成島狀半導(dǎo)體層41 (硅島)。圖3即為本發(fā)明中需要改善的多晶硅示意圖。因為采用ELA結(jié)晶后的晶界處表現(xiàn)出一定程度的晶界凸起411，這些晶界凸起411最高處與多晶硅膜412的厚度相當(dāng)。在晶界中，存在大量的缺陷，導(dǎo)致制造的多晶硅薄膜晶體管遷移率較低，閾值電壓較高。
[0036]圖4至圖8揭示了本發(fā)明提高薄膜晶體管特性的方法的實施流程示意圖。本發(fā)明提高薄膜晶體管特性的方法包括如下步驟:
[0037]S1:請參圖4所示，首先采用物理氣相沉積(PVD)的方法在形成的所述島狀半導(dǎo)體層41上形成金屬層5 (例如Ag或者Al等)，然后再使用化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法在所述金屬層5上沉積S1x以形成保護膜層6。其中，在本發(fā)明其他實施例中，所述保護膜層可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種。
[0038]S2:請參圖5所示，在圖4的基礎(chǔ)上，對沉積完的所述保護膜層6進行退火處理。由于金屬本身的特性，金屬層5中的金屬會沿著晶界凸起411向上噴發(fā)而出，形成貫穿所述保護膜層6的通道61，并且所述通道61不斷擴大其在所述保護膜層6中寬度。
[0039]S3:請參圖6所示，在圖5的基礎(chǔ)上，采用濕刻等化學(xué)刻蝕方法，沿著所述通道61將噴發(fā)處的金屬刻蝕掉，以形成針孔62 (Pin Hole)。所述晶界凸起411裸露在所述針孔62中。
[0040]S4:請參圖7所示，在圖6的基礎(chǔ)上，采用離子注入進行重摻雜注入，在注入時，覆蓋了所述保護膜層6以及裸露的金屬層5，但是離子注入無法到達所述半導(dǎo)體層41的內(nèi)部，可以保證到達多晶硅的晶界凸起411處。
[0041]S5:請參圖8所示，在圖7的基礎(chǔ)上，采用刻蝕(例如濕亥IJ、干刻等)的方法去除所述保護膜層6以及金屬層5，得到處理完畢之后的島狀半導(dǎo)體層41。然后，再在圖8所示的島狀半導(dǎo)體層41上進行后續(xù)TFT的流程。
[0042]通過本發(fā)明的處理步驟，利用Ag、Al等金屬在退火處理時會發(fā)生尖楔等現(xiàn)象，形成離子注入的針孔，可以定點完成多晶硅的晶界凸起411處的離子注入，降低晶界與多晶體體內(nèi)的勢壘差，從而提高多晶硅薄膜晶體管的遷移率、降低多晶硅薄膜晶體管的閾值電壓、提高均一性。同時，避免了采用刻蝕方法帶來的損傷。
[0043]需要說明的是:以上實施例僅用于說明本發(fā)明而并非限制本發(fā)明所描述的技術(shù)方案，盡管本說明書參照上述的實施例對本發(fā)明已進行了詳細的說明，但是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員仍然可以對本發(fā)明進行修改或者等同替換，而一切不脫離本發(fā)明的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種提高薄膜晶體管特性的方法，所述薄膜晶體管形成有島狀半導(dǎo)體層，所述島狀半導(dǎo)體層形成有晶界凸起；其特征在于，所述提高薄膜晶體管特性的方法包括如下步驟: S1:在所述島狀半導(dǎo)體層上形成金屬層以及沉積在所述金屬層上的保護膜層； 52:對沉積完的所述保護膜層進行退火處理，其中所述金屬層中的金屬會沿著晶界凸起噴發(fā)而出，形成貫穿所述保護膜層的通道；53:沿著所述通道將噴發(fā)處的金屬刻蝕掉，以形成針孔，所述晶界凸起裸露在所述針孔中； S4:采用離子注入進行重摻雜注入，在注入時，離子注入覆蓋了所述保護膜層以及裸露的金屬層； S5:去除所述保護膜層以及金屬層，得到處理完畢之后的島狀半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟SI中，所述金屬層是使用物理氣相沉積的方法形成；所述保護膜層是使用化學(xué)氣相沉積方法形成。
3.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟SI中，所述金屬層為Ag或者Al。
4.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟S2中，所述金屬層中的金屬會沿著晶界凸起向上噴發(fā)而出，并且所述通道不斷擴大其在所述保護膜層中覽度。
5.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟S3中，噴發(fā)處的所述金屬是采用濕刻方法刻蝕掉。
6.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟S4中，離子注入至少能夠到達所述晶界凸起處。
7.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:步驟S5中，所述保護膜層以及金屬層是采用刻蝕的方法去除。
8.如權(quán)利要求7所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:所述刻蝕的方法為濕刻或者干刻。
9.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:所述島狀半導(dǎo)體層還包括多晶硅膜，所述晶界凸起向上凸出于所述多晶硅膜，所述晶界凸起的最高處與所述多晶硅膜的厚度相當(dāng)。
10.如權(quán)利要求1所述的提高薄膜晶體管特性的方法，其特征在于:所述薄膜晶體管包括基板以及沉積在所述基板上的緩沖層，所述島狀半導(dǎo)體層位于所述緩沖層之上。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種提高薄膜晶體管特性的方法，包括如下步驟：在島狀半導(dǎo)體層上形成金屬層以及沉積在所述金屬層上的保護膜層；對沉積完的所述保護膜層進行退火處理，形成貫穿所述保護膜層的通道；沿著所述通道將噴發(fā)處的金屬刻蝕掉，以形成針孔；采用離子注入進行重摻雜注入；去除所述保護膜層以及金屬層，得到處理完畢之后的島狀半導(dǎo)體層。本發(fā)明的有益效果是：利用金屬在退火處理時會發(fā)生尖楔等現(xiàn)象，形成離子注入的針孔，可以定點完成多晶硅的晶界凸起處的離子注入，降低晶界與多晶體體內(nèi)的勢壘差，從而提高多晶硅薄膜晶體管的遷移率、降低多晶硅薄膜晶體管的閾值電壓。
【IPC分類】H01L21-336
【公開號】CN104752209
【申請?zhí)枴緾N201310744816
【發(fā)明人】顧維杰, 平山秀雄, 習(xí)王鋒
【申請人】昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年12月30日