面則凸臺(tái)與晶圓的接觸面積變大，凸臺(tái)與晶圓的接觸為面接觸或線接觸，支撐點(diǎn)較多，比較容易保持平衡。
[0040]較佳的，作為一種可實(shí)施方式，參見(jiàn)圖6，所述限位臺(tái)140面向所述凸臺(tái)的一面還設(shè)置有垂直面141和弧面142 ;其中所述垂直面141垂直固定在所述支撐部130的表面，所述弧面142的兩端分別與垂直面141和斜面143平滑過(guò)渡。較佳的，所述垂直面141的高度L應(yīng)當(dāng)大于等于凸臺(tái)的高度與所述晶圓的厚度之和，最好凸臺(tái)的高度不大于所述晶圓的厚度的2倍。所述弧面142的弧度R應(yīng)當(dāng)能保證垂直面141和斜面143圓滑過(guò)渡，不能影響到晶圓的自行滑落。，所述斜面143的傾斜角a小于20度。垂直面對(duì)晶圓的限位起主要作用，因此垂直面的高度L應(yīng)當(dāng)大于或等于凸臺(tái)高度與晶圓的厚度之和，使得晶圓在工藝過(guò)程中始終位于多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)的垂直面的范圍內(nèi)，不會(huì)沿斜面上滑；弧面142主要是使得斜面和垂直面平滑過(guò)渡，方便晶圓從斜面滑下，弧面的弧度R決定了晶圓在晶圓支撐裝置上可偏移的最大距離；斜面的主要作用是如果晶圓在放置在晶圓支撐裝置上時(shí)沒(méi)有完全處于中心位置，可以借助傾角為a的斜面下滑至準(zhǔn)確位置。
[0041]較佳的，作為一種可實(shí)施方式，所述連接部120與所述固定部110垂直連接，所述支撐部I1與所述連接部120垂直連接。這樣設(shè)置方便制造和使用。
[0042]基于同一種發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種去氣工藝腔室10,包括以上任一實(shí)施例所述的晶圓支撐裝置，所述晶圓支撐裝置通過(guò)固定部的固定孔固定在去氣工藝腔室的底部。
[0043]較佳的，作為一種可實(shí)施方式，所述晶圓支撐裝置100為兩個(gè)或者三個(gè)；兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置100的弧面142的外切面處于同一第一圓周上；兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置100的凸臺(tái)131的中心處于同一第二圓周上；當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，所述第一圓周的半徑大于所述晶圓的半徑；所述第二圓周的半徑小于所述晶圓的半徑。本實(shí)施例中的兩個(gè)或三個(gè)晶圓支撐裝置均勻分布在所述去氣工藝腔室中的同一圓周上，尤其應(yīng)當(dāng)使兩個(gè)或三個(gè)凸臺(tái)均勻分布在同一圓周上，這樣能夠形成對(duì)晶圓的平穩(wěn)支撐，使得晶圓僅與凸臺(tái)接觸。為了保證晶圓能夠容易放置在兩個(gè)或三個(gè)晶圓支撐裝置中，兩個(gè)或三個(gè)晶圓支撐裝置的弧面的外切面應(yīng)當(dāng)在同一圓周上，以及兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的凸臺(tái)的中心處于同一第二圓周上，第一圓周的圓心和第二圓周的中心的連線與所述支撐部的平面垂直，并且晶圓放置時(shí)晶圓的中心最好放置在第一圓周的圓心和第二圓周的圓心的連線上。這樣設(shè)置能夠保證本實(shí)施例中的晶圓支撐裝置對(duì)晶圓的支撐點(diǎn)在同一圓周上，保證晶圓的平衡和水平放置。
[0044]當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，所述垂面與所述凸臺(tái)之間的距離小于等于所述晶圓的半厚度；所述第二圓周的半徑為所述晶圓的半徑的1/2。第一圓周的半徑與晶圓半徑的差值決定了晶圓可偏移的距離，第二圓周的半徑即凸臺(tái)對(duì)晶圓的支撐位置，當(dāng)?shù)诙A周的半徑為晶圓半徑的0.4至0.6倍時(shí)，凸臺(tái)對(duì)晶圓的支撐位置比較合理。第一圓周的半徑最好為晶圓半徑的1.1倍至1.4倍，第一圓周取決于第四圓周半徑以及外圈凸臺(tái)的高度，外圈凸臺(tái)的高度又可以根據(jù)實(shí)際的晶圓傳片情況設(shè)定定。因此第一圓周的半徑在實(shí)際使用時(shí)可以根據(jù)用戶(hù)具體的需求以及機(jī)械手傳輸精度來(lái)決定。同時(shí)這樣能夠既保證晶圓放置在晶圓支撐裝置上時(shí)不會(huì)發(fā)生擦碰限位臺(tái)，又不會(huì)使晶圓有大的偏移。
[0045]同時(shí)，當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的弧面的外端處于同一第三圓周上；兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的弧面的內(nèi)端處于同一第四圓周上；所述第一圓周的的半徑大于所述第四圓周的半徑；所述第四圓周的的半徑大于所述晶圓的半徑，一般第四圓周的半徑比晶圓的半徑略大即可，可以根據(jù)傳輸精度調(diào)整。
[0046]參見(jiàn)圖7和圖8，本實(shí)施例中的去氣工藝腔室10中的晶圓支撐裝置為三個(gè)，這三個(gè)晶圓支撐裝置均勻分布在同一圓周上，晶圓2放置在三個(gè)支撐裝置上。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例的晶圓支撐裝置與晶圓的接觸面積大，同時(shí)設(shè)置了限位臺(tái)避免晶圓發(fā)生大的偏移，本發(fā)明中的晶圓支撐裝置上放置的晶圓的偏移均在可控和允許的范圍內(nèi)，可以根據(jù)不同的晶圓設(shè)計(jì)不同尺寸的晶圓支撐裝置，適用范圍廣。
[0048]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓支撐裝置，其特征在于，包括固定部、連接部和支撐部； 所述連接部的一端與固定部連接，所述連接部的另一端與支撐部連接； 所述支撐部上設(shè)置有用于支撐晶圓的凸臺(tái)； 所述支撐部還設(shè)置有限位臺(tái)； 所述限位臺(tái)設(shè)置遠(yuǎn)離所述凸臺(tái)的另一端；所述限位臺(tái)面向所述凸臺(tái)的一面設(shè)置有一斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓支撐裝置，其特征在于，所述支撐部水平設(shè)置； 所述凸臺(tái)的表面為平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓支撐裝置，其特征在于，所述限位臺(tái)面向所述凸臺(tái)的一面還設(shè)置有垂直面和弧面； 所述垂直面的高度大于等于所述凸臺(tái)的高度與所述晶圓的厚度之和； 所述弧面的兩端分別與所述垂直面和所述斜面平滑過(guò)渡。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓支撐裝置，其特征在于，所述斜面的傾斜角小于20度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的晶圓支撐裝置，其特征在于，所述連接部與所述固定部垂直連接，所述支撐部與所述連接部垂直連接。
6.一種去氣工藝腔室，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓支撐裝置； 所述晶圓支撐裝置的固定部固定在所述去氣工藝腔室的底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的去氣工藝腔室，其特征在于，所述晶圓支撐裝置為兩個(gè)或者三個(gè)； 兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的弧面的外切面處于同一第一圓周上； 兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的凸臺(tái)的中心處于同一第二圓周上； 當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，所述第一圓周的半徑大于所述晶圓的半徑；所述第二圓周的半徑小于所述晶圓的半徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去氣工藝腔室，其特征在于， 當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，所述第二圓周的半徑為所述晶圓的半徑的1/2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去氣工藝腔室，其特征在于，所述垂直面與所述凸臺(tái)之間的距離小于等于所述晶圓的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的去氣工藝腔室，其特征在于，當(dāng)晶圓放置在去氣工藝腔室的傳片位置時(shí)，兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的弧面的外端處于同一第三圓周上；兩個(gè)或者三個(gè)所述晶圓支撐裝置的弧面的內(nèi)端處于同一第四圓周上； 所述第一圓周的半徑大于所述第四圓周的半徑； 所述第四圓周的的半徑大于所述晶圓的半徑。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓支撐裝置和去氣工藝腔室，晶圓支撐裝置包括固定部、連接部和支撐部；所述連接部的一端與固定部連接，所述連接部的另一端與支撐部連接；所述支撐部上設(shè)置有用于支撐晶圓的凸臺(tái)；所述支撐部還設(shè)置有限位臺(tái)；所述限位臺(tái)設(shè)置遠(yuǎn)離所述凸臺(tái)的另一端；所述限位臺(tái)面向所述凸臺(tái)的一面設(shè)置有一斜面。本發(fā)明的晶圓支撐裝置與晶圓的接觸面積大，同時(shí)設(shè)置了限位臺(tái)避免晶圓發(fā)生大的偏移，本發(fā)明中的晶圓支撐裝置上放置的晶圓的偏移均在可控和允許的范圍內(nèi)，可以根據(jù)不同的晶圓設(shè)計(jì)不同尺寸的晶圓支撐裝置，適用范圍廣。
【IPC分類(lèi)】H01L21-687, H01L21-67
【公開(kāi)號(hào)】CN104795347
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410031011
【發(fā)明人】鄭金果
【申請(qǐng)人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
【公開(kāi)日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2014年1月22日