與參數(shù)與【具體實(shí)施方式】一至五之一相同。
[0020]【具體實(shí)施方式】七:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至六之一不同的是:所述第一開口邊7、第二開口邊8、第三開口邊9和第四開口邊10的長(zhǎng)度均為15 μm，寬度均為4 μπι。其它步驟與參數(shù)與【具體實(shí)施方式】一至六之一相同。
[0021]【具體實(shí)施方式】八:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至七之一不同的是:所述第一凸起11、第二凸起12、第三凸起13和第四凸起14的長(zhǎng)度均為4 μ??，寬度均為2 ym。其它步驟與參數(shù)與【具體實(shí)施方式】一至七之一相同。
[0022]【具體實(shí)施方式】九:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至八之一不同的是:所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層3的電導(dǎo)率為4.09 X 107s/cm。其它步驟與參數(shù)與【具體實(shí)施方式】一至八之一相同。
[0023]【具體實(shí)施方式】十:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至九之一不同的是:所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層3的費(fèi)米能為0.1eV?0.5eVo其它步驟與參數(shù)與【具體實(shí)施方式】一至九之一相同。
[0024]本實(shí)施方式所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層3的費(fèi)米能是通過施加在開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層3上的外加電壓來改變的。
[0025]通過以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果:
[0026]實(shí)施例一:在基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件的表面施加外加電壓，使得開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨稀層3的費(fèi)米能為0.2eV、0.3eV、0.4eV、0.5eV，然后采用太赫茲波進(jìn)行照射。
[0027]圖4為基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件在開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層不同的費(fèi)米能級(jí)時(shí)其對(duì)太赫茲波的調(diào)諧頻率譜圖，其中I為費(fèi)米能為0.2eV，2為費(fèi)米能為0.3eV，3為費(fèi)米能為0.4eV，4為費(fèi)米能為0.5eV ;通過外加電壓改變其費(fèi)米能，每個(gè)費(fèi)米能相對(duì)應(yīng)的一個(gè)電壓；測(cè)樣品的太赫茲透射譜可以看到其不同電壓下器件對(duì)太赫茲光譜的調(diào)諧在不同的頻率。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件由襯底(I)、絕緣介質(zhì)層(2)和開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層(3)組成，所述襯底(I)水平設(shè)置在最下層，所述絕緣介質(zhì)層(2)平行設(shè)置在襯底(I)的上表面上，所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層(3)平行設(shè)置在絕緣介質(zhì)層(2)的上表面的中間位置；所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層(3)的上表面和下表面形狀相同，所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層(3)的厚度為0.34 μ m，所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層(3)的上表面由上邊(4)、中柱(5)、下邊(6)、第一開口邊(7)、第二開口邊(8)、第三開口邊(9)、第四開口邊(10)、第一凸起(11)、第二凸起(12)、第三凸起(13)和第四凸起(14)組成；所述中柱(5)垂直設(shè)置在上邊⑷和下邊(6)的中間位置；所述第二開口邊(8)垂直且向上設(shè)置在下邊￠)的左端；所述第四開口邊(10)垂直且向上設(shè)置在下邊(6)的右端；所述第一開口邊(7)垂直設(shè)置在上邊(4)的下面，且與第二開口邊(8)相對(duì)稱；所述第三開口邊(9)垂直設(shè)置在上邊(4)的下面，且與第四開口邊(10)相對(duì)稱；所述第一凸起(11)設(shè)置在第一開口邊(7)的下端部外側(cè)，第二凸起(12)設(shè)置在第二開口邊⑶的上端部外側(cè)，第三凸起(13)設(shè)置在第三開口邊(9)的下端部外側(cè)，第四凸起(14)設(shè)置在第四開口邊(10)的上端部外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述襯底(I)為厚度為500 μ m的正方形高阻硅板，其邊長(zhǎng)為50 μ m ;所述正方形高阻硅板的電阻率大于10000，介電常數(shù)為11.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述絕緣介質(zhì)層(2)是厚度為3 μπι的正方形二氧化硅板，其邊長(zhǎng)為50 μm;所述正方形二氧化硅板的介電常數(shù)為2.88。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述上邊(4)的長(zhǎng)度為50μ m，寬度為4 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述中柱(5)的長(zhǎng)度為36μ m，寬度為4 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述下邊(6)的長(zhǎng)度為36μ m，寬度為4 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述第一開口邊(7)、第二開口邊⑶、第三開口邊(9)和第四開口邊(10)的長(zhǎng)度均為15 μπι，寬度均為4 μ m0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述第一凸起(11)、第二凸起(12)、第三凸起(13)和第四凸起(14)的長(zhǎng)度均為4 μm，寬度均為2 μπι。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨稀層⑶的電導(dǎo)率為4.09Χ 107s/cm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件，其特征在于所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨稀層(3)的費(fèi)米能為0.1eV?0.5eVo
【專利摘要】一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件。本發(fā)明涉及一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件。本發(fā)明是為解決現(xiàn)有的太赫茲超材料調(diào)諧器存在調(diào)諧頻率單一、調(diào)諧深度較小的問題。一種基于石墨烯的太赫茲調(diào)諧器件由襯底、絕緣介質(zhì)層和開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層組成，所述襯底水平設(shè)置在最下層，所述絕緣介質(zhì)層平行設(shè)置在襯底的上表面上，所述開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)石墨烯層平行設(shè)置在絕緣介質(zhì)層的上表面的中間位置。本發(fā)明用于太赫茲通訊領(lǐng)域。
【IPC分類】H01P1-00
【公開號(hào)】CN104810575
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510175224
【發(fā)明人】吳豐民, 張景云, 張昊, 姬廣舉, 李珊, 劉佳寶, 張凌睿, 林博倫
【申請(qǐng)人】哈爾濱理工大學(xué)
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年4月14日