2觀察，頂板231設(shè)置在氣體供給方向的上游。
[0054]噴頭230在緩沖室232內(nèi)的空間與處理室201的處理空間之間具備用于使從處理氣體供給孔231a導(dǎo)入的氣體分散的分散板234。在分散板234上設(shè)有多個(gè)貫通孔234a。分散板234以與襯底載置面211對置的方式配置。分散板234具有設(shè)有貫通孔234a的凸?fàn)畈亢驮O(shè)置于凸?fàn)畈康闹車耐咕壊浚咕壊恐С杏诮^緣塊233。
[0055]在緩沖室232中，設(shè)置有形成所供給的氣體的流動(dòng)的氣體引導(dǎo)件235。氣體引導(dǎo)件235具有:與頂板231連接的基端部235a、板部235b、前端部235c。基端部235a例如由圓周狀構(gòu)成，以處理氣體供給孔231a位于圓的內(nèi)周側(cè)、惰性氣體供給孔231b位于圓的外周側(cè)的方式與頂板231連接。此外，這里記載了基端部235a為圓周狀，但并不限于此，也可以四邊形等的形狀。即，只要是以惰性氣體不與處理氣體混合的方式將處理氣體供給孔231a和惰性氣體供給孔231b用板部235b隔離那樣的圓周狀的結(jié)構(gòu)即可。
[0056]板部235b為從基端部235a連續(xù)的結(jié)構(gòu)，是隨著趨向分散板234方向(處理室方向)而直徑擴(kuò)大的圓錐形狀。前端部235c是與基端部235a不同側(cè)的板部235b的端部。S卩，是板部235b的處理室201側(cè)的端部。在前端部235c也與基端部235a相同地由圓周構(gòu)造構(gòu)成。前端部235c的直徑與貫通孔234a組的最外周相比更形成于外周。而且，在水平方向上，惰性氣體供給孔231b配置在基端部235a與前端部235c之間。
[0057]本實(shí)施方式中，將板部235b的內(nèi)側(cè)(分散板234側(cè))的區(qū)域稱為緩沖空間232的內(nèi)側(cè)區(qū)域232a，將外側(cè)(頂板231側(cè))的區(qū)域稱為緩沖空間232的外側(cè)區(qū)域232b。
[0058]由于板部235b與基端部235a連續(xù)，因此將從處理氣體供給孔235a供給的處理氣體和從惰性氣體供給孔235b供給的惰性氣體分離。從處理氣體供給孔235a被供給至內(nèi)側(cè)區(qū)域232a的處理氣體和從惰性氣體供給孔235b被供給至外側(cè)區(qū)域232b的惰性氣體在板部235b的內(nèi)側(cè)、外側(cè)相互不影響。
[0059]在前端部235c與緩沖室232的側(cè)壁之間存在有空間232c。在后述的第一處理氣體供給工序S202、第二處理氣體供給工序S208等的處理氣體供給工序中，處理氣體在內(nèi)側(cè)區(qū)域232a內(nèi)向分散板234方向擴(kuò)散，惰性氣體沿板部235b的外側(cè)區(qū)域235b側(cè)的面向分散板234方向流動(dòng)。
[0060](第一排氣系統(tǒng))
[0061]在緩沖室232的上方，經(jīng)由噴頭用排氣孔231c連接有排氣管236。在排氣管236上，按順序以串聯(lián)的方式連接有切換排氣的開/關(guān)的閥237、將排氣緩沖室232內(nèi)控制為規(guī)定的壓力的APC (Auto Pressure Controller)等的壓力調(diào)整器238、真空泵239。此外，將排氣管236、閥237、壓力調(diào)整器238集中稱為第一排氣系統(tǒng)、或緩沖室排氣部。
[0062](處理氣體供給系統(tǒng))
[0063]從包含第一氣體供給管243a的第一處理氣體供給系統(tǒng)243主要供給第一元素含有氣體，從包含第二氣體供給管244a的第二處理氣體供給系統(tǒng)244主要供給第二元素含有氣體。由第一處理氣體供給系統(tǒng)243和第二處理氣體供給系統(tǒng)構(gòu)成處理氣體供給系統(tǒng)。
[0064]此外，也可以將處理氣體供給系統(tǒng)稱為處理氣體供給部。
[0065](第一處理氣體供給系統(tǒng))
[0066]在第一氣體供給管243a上，從上游方向起按順序設(shè)有第一氣體供給源243b、流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(MFC) 243c、以及開閉閥即閥243d。
[0067]從第一氣體供給管243a，含有第一元素的氣體(以下，稱為“第一元素含有氣體”)經(jīng)由質(zhì)量流量控制器243c、閥243d、共用氣體供給管242被供給至噴頭230。
[0068]第一元素含有氣體是原料氣體，即處理氣體的一種。這里，第一元素例如為鈦(Ti)。即，第一元素含有氣體例如是鈦含有氣體。作為鈦含有氣體，例如能夠使用TiCl4氣體。此外，第一元素含有氣體在常溫常壓下可以是固體、液體、以及氣體的任一種。在第一元素含有氣體在常溫常壓下為液體的情況下，只要在第一氣體供給源232b與質(zhì)量流量控制器243c之間設(shè)置未圖示的氣化器即可。這里作為氣體進(jìn)行說明。
[0069]此外，也可以使用娃含有氣體。作為娃含有氣體，例如能夠使用有機(jī)娃材料即六甲基二娃氮燒(hexamethyIdisilazane) (C6H19NSi2,略稱:HMDS)、三娃胺(trisiIylamine)((SiH3)3N，略稱:TSA)、雙(叔丁基氨基)硅烷(SiH2 (NH (C4H9))2，略稱:BTBAS)氣體等。這些氣體作為先驅(qū)體(precursor)發(fā)揮作用。
[0070]在第一氣體供給管243a的閥243d的下游側(cè)，連接有第一惰性氣體供給管246a的下游端。在第一惰性氣體供給管246a上，從上游方向起按順序設(shè)有惰性氣體供給源246b、流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(MFC) 246c、以及開閉閥即閥246d。
[0071]這里，惰性氣體例如是氮?dú)?N2)氣體。此外，作為惰性氣體，除N2氣體外，例如能夠使用氦氣(He)氣體、氖氣(Ne)氣體、氬氣(Ar)氣體等的稀有氣體。
[0072]惰性氣體從第一惰性氣體供給管246a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器246c、閥246d、第一氣體供給管243a被供給至噴頭230內(nèi)。惰性氣體在后述的薄膜形成工序(S104)中作為運(yùn)載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用。
[0073]主要由第一氣體供給管243a、質(zhì)量流量控制器243c、閥243d構(gòu)成第一氣體供給系統(tǒng)243 (也稱為鈦含有氣體供給系統(tǒng))。
[0074]另外，主要由第一惰性氣體供給管246a、質(zhì)量流量控制器246c以及閥246d構(gòu)成第一惰性氣體供給系統(tǒng)。此外，也可以考慮將惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a包含于第一惰性氣體供給系統(tǒng)。
[0075]而且，也可以考慮將第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統(tǒng)包含于第一氣體供給系統(tǒng)。
[0076]此外，也可以將第一處理氣體供給系統(tǒng)稱為第一處理氣體供給部、或者原料氣體供給部。
[0077](第二處理氣體供給系統(tǒng))
[0078]在第二氣體供給管244a上從上游方向起按順序設(shè)有第二氣體供給源244b、流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(MFC) 244c、以及開閉閥即閥244d、遠(yuǎn)程等離子體單元244e。
[0079]含有第二元素的氣體(以下，稱為“第二元素含有氣體”)從第二氣體供給管244a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器244c、閥244d、遠(yuǎn)程等離子體單元244e、共用氣體供給管242被供給至噴頭230內(nèi)。第二元素含有氣體通過遠(yuǎn)程等離子體單元244e而成為等離子體狀態(tài)，并被照射于晶片200上。
[0080]第二元素含有氣體是處理氣體的一種。此外，第二元素含有氣體也可以考慮作為與第一元素含有氣體發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)氣體或者將第一元素含有氣體含有膜改質(zhì)的改質(zhì)氣體。
[0081]這里，第二元素含有氣體含有與第一元素不同的第二元素。作為第二元素，例如，是氧(O)、氮(N)、碳(C)的某一種。在本實(shí)施方式中,第二兀素含有氣體例如是氮含有氣體。具體而言，作為氮含有氣體使用氨氣(NH3)氣體。
[0082]主要由第二氣體供給管244a、質(zhì)量流量控制器244c、閥244d構(gòu)成第二處理氣體供給系統(tǒng)244 (也稱為氮含有氣體供給系統(tǒng))。
[0083]另外，在第二氣體供給管244a的閥244d的下游側(cè)，連接有第二惰性氣體供給管247a的下游端。在第二惰性氣體供給管247a上，從上游方向起按順序設(shè)有惰性氣體供給源247b、流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(MFC) 247c、以及開閉閥即閥247d。
[0084]惰性氣體從第二惰性氣體供給管247a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a、遠(yuǎn)程等離子體單元244e被供給至噴頭230內(nèi)。惰性氣體在后述的成膜工序(也稱為薄膜形成工序)(S104)中作為運(yùn)載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用。
[0085]主要由第二惰性氣體供給管247a、質(zhì)量流量控制器247c以及閥247d構(gòu)成第二惰性氣體供給系統(tǒng)。此外，也可以考慮將惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管243a、遠(yuǎn)程等離子體單元244e包含于第二惰性氣體供給系統(tǒng)。
[0086]而且，也可以考慮將第二氣體供給源244b、遠(yuǎn)程等離子體單元244e、第二惰性氣體供給系統(tǒng)包含于第二處理氣體供給系統(tǒng)244。
[0087]此外，也可以將第二處理氣體供給系統(tǒng)稱為第二處理氣體供給部或者反應(yīng)氣體供給部。
[0088](惰性氣體供給系統(tǒng))
[0089]當(dāng)處理晶片時(shí)，主要從包含第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統(tǒng)245供給惰性氣體。
[0090]在第三氣體供給管245a上，從上游方向起按順序設(shè)有第三氣體供給源245b、流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(MFC) 245c、以及開閉閥即閥245d。
[0091]作為凈化氣體的惰性氣體從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥245d被供給至噴頭230。
[0092]這里，惰性氣體例如是氮?dú)?N2)氣體。此外,作為惰性氣體作為，除N2氣體外，能夠使用例如氦氣(He)氣體、氖氣(Ne)氣體、氬氣(Ar)氣體等的稀有氣體。
[0093]主要由第三氣體供給管245a、質(zhì)量流量控制器245c、閥245d構(gòu)成惰性氣體供給系統(tǒng) 245。
[0094]而且，也可以考慮將第三氣體供給源245b、清潔氣體供給系統(tǒng)包含于第三氣體供給系統(tǒng)245。
[0095]在襯底處理工序中，惰性氣體從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥245d被供給至噴頭230內(nèi)。
[0096]從惰性氣體供給源245b供給的惰性氣體，在后述的薄膜形成工序(S104)中，作為對留在處理室202、噴頭230內(nèi)的氣體進(jìn)行凈化的凈化氣體發(fā)揮作用。此外，在本說明書中，也將惰性氣體供給系統(tǒng)245稱為第三氣體供給系統(tǒng)。
[0097](第二排氣系統(tǒng))
[0098]在處理室201 (上部容器202a)的內(nèi)壁上，設(shè)有將處理室201的環(huán)境氣體排氣的排氣口 221。在排氣口 221上連接有排氣管222，在排氣管222上，按順序以串聯(lián)的方式連接有將處理室201內(nèi)控制為規(guī)定的壓力的APC (Auto Pressure Controller)等的壓力調(diào)整器223、排氣泵224。主要由排氣口 221、排氣管222、壓力調(diào)整器223、排氣泵224構(gòu)成第二排氣系統(tǒng)(排氣管線)220。第二排氣系統(tǒng)也稱為處理室排氣部。
[0099](控制器)
[0100]襯底處理裝置100具有對襯底處理裝置100的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制器260。控制器260至少具有運(yùn)算部26