，會通過回蝕工藝移除過多的寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118,諸如寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118的功函數(shù) 金屬層124和金屬柵極電極層126的頂部。因此，縮短的寬金屬柵極結(jié)構(gòu)可能被破壞，該結(jié) 構(gòu)的閾值電壓也會發(fā)生改變。相應(yīng)地，如根據(jù)一些實(shí)施例在圖2F中所示，掩膜結(jié)構(gòu)311用 以防止寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118被回蝕工藝破壞。
[0060] 如圖2F中所示，根據(jù)一些實(shí)施例，掩膜結(jié)構(gòu)311形成在寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118上方 以使寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118免于后續(xù)蝕刻工藝的影響。如圖2F中所示，掩膜結(jié)構(gòu)311覆蓋寬 金屬柵極結(jié)構(gòu)118但不覆蓋窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120。因此，在后續(xù)回蝕工藝期間，寬金屬柵極 結(jié)構(gòu)118受到掩膜結(jié)構(gòu)311的保護(hù)，而露出了窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120的上表面。在一些實(shí)施 例中，掩膜結(jié)構(gòu)311包括光刻膠層和底部抗反射覆蓋層（BARC)。
[0061] 如根據(jù)一些實(shí)施例在圖2G中所示，在形成掩膜結(jié)構(gòu)311之后，執(zhí)行回蝕工藝127 以縮短窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120。由于寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118受到掩膜結(jié)構(gòu)311保護(hù)，在執(zhí)行回蝕 工藝127之后，寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118的高度保持不變。然而，在回蝕工藝127期間暴露了窄 金屬柵極結(jié)構(gòu)120的上表面，因此，在執(zhí)行回蝕工藝127之后，窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120被縮短 以形成縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'。
[0062] 在一些實(shí)施例中，寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118具有第一高度氏，而縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu) 120'具有比第一高度氏小的第二高度H2。在一些實(shí)施例中，第一高度&在大約400A到 大約1000A的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第二高度H2在大約100A到大約990A的范圍 內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第一高度氏和第二高度H2的比值在大約4到10的范圍內(nèi)。
[0063] 此外，由于寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118通過取代寬偽柵極結(jié)構(gòu)104形成且縮短的窄金屬 柵極結(jié)構(gòu)120'通過取代窄偽柵極結(jié)構(gòu)106形成，因此，寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118同樣具有第一 寬度A，且縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'具有小于第一寬度A的第二寬度W2。在一些實(shí)施 例中，第一高度氏與第一寬度％的比值在大約25到大約1的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第 二高度H2與第二寬度W2的比值在大約1到大約30的范圍內(nèi)。
[0064] 根據(jù)一些實(shí)施例，在執(zhí)行回蝕工藝127之后，移除掩膜結(jié)構(gòu)311，并在縮短的窄金 屬柵極結(jié)構(gòu)120'上形成絕緣層128。如圖2H中所示，絕緣層128形成在縮短的窄金屬柵極 結(jié)構(gòu)120'上而并未形成在寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118上。在一些實(shí)施例中，通過在襯底102上方 沉積絕緣材料并將該絕緣材料的頂部移除以暴露出寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118的上表面而形成 絕緣層128。
[0065] 在一些實(shí)施例中，絕緣層128具有第三高度H3。在一些實(shí)施例中，第三高度比在 大約1A到大約300A的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118的第一高度Hi基 本上等于縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'的第二高度H2和絕緣層128的第三高度H3之和。
[0066] 在一些實(shí)施例中，絕緣層128由氮化物材料、碳化物材料或者氧化物材料構(gòu)成，諸 如氮化硅、碳化硅、氮氧化硅或者氧化鋁。此外，其他的低k介電材料也可用于形成絕緣層 128。絕緣層128可通過在襯底102上方沉積絕緣材料并隨后執(zhí)行CMP工藝而形成。該絕 緣材料可通過CVD工藝進(jìn)行沉積。
[0067] 接下來，如根據(jù)一些實(shí)施例在圖21中所示，在ILD層112、絕緣層128以及寬金屬 柵極結(jié)構(gòu)118上形成介電層130。在一些實(shí)施例中，介電層130由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅 或者其他與ILD層112類似或相同的合適的介電材料構(gòu)成。介電層130可通過CVD工藝形 成。
[0068] 之后，如根據(jù)一些實(shí)施例在圖21中所不，在介電層130上方形成光刻膠層313。光 刻膠層313具有第一開口 315和第二開口 317。如根據(jù)一些實(shí)施例在圖2J中所示，執(zhí)行蝕 刻工藝以移除光刻膠層313的第一開口 315和第二開口 317下面的ILD層112和介電層 130的部分。因此形成了第一接觸件溝道319和第二接觸件溝道321。在一些實(shí)施例中，該 蝕刻工藝為濕蝕刻工藝。第一接觸件溝道319和第二接觸件溝道321的寬度可以根據(jù)需要 調(diào)整。
[0069] 接下來，如根據(jù)一些實(shí)施例在圖2K中所示，分別在第一接觸件溝道319和第二接 觸件溝道321中形成第一接觸件132和第二接觸件134。在一些實(shí)施例中，第一接觸件132 和第二接觸件134由導(dǎo)電材料構(gòu)成，諸如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化 鈷、TaC、TaSiN、TaCN、TiAl、TiAIN、其他合適的導(dǎo)電材料或它們的組合。
[0070] 如圖2K中所示，第一接觸件132鄰近寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118在S/D區(qū)域307上方形 成，且第二接觸件134鄰近窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'在S/D區(qū)域307上方形成。此外，由于絕 緣層128形成在縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'上并配置為防止第二接觸件134和縮短的窄 金屬柵極結(jié)構(gòu)120'之間發(fā)生短路，故第二接觸件134能夠自對準(zhǔn)到縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu) 120'。也就是說，在如圖2J所示通過蝕刻工藝形成第二接觸件溝道321時(shí)，絕緣層128可 以用作掩膜。因此，形成在第二接觸件溝道321中的第二接觸件134能夠?qū)?zhǔn)到縮短的窄 金屬柵極結(jié)構(gòu)120'，而第二接觸件134將不會與縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'直接接觸。
[0071] 如前所述，絕緣層128形成在縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'上以防止第二接觸件 134和縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'之間的短路。因此，第二接觸件134可以是對準(zhǔn)到縮短 的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'的自對準(zhǔn)接觸件。此外，由于掩膜結(jié)構(gòu)311被用于在進(jìn)行回蝕工藝 127期間保護(hù)寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118,所以寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118的導(dǎo)電材料不會被損壞，且閾 值電壓也會保持為涉及電壓。
[0072] 回到圖1，根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)100進(jìn)一步包括第三縮短的金屬柵極 結(jié)構(gòu)120"以及第三接觸件134'。圖3示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)100沿著 圖1中的線B-B'所示出的橫截面圖。用于形成第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"的材料和工 藝與用于形成縮短的窄柵極結(jié)構(gòu)120'的類似。更具體地，第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120" 也包括柵極介電層122、功函數(shù)金屬層124以及金屬柵極電極層126。此外，絕緣層128形 成在第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"上。
[0073] 如圖1中所示，寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118具有第一長度U，而第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu) 120"具有小于第一長度U的第二長度L2。由于第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"長度相對較 短，所以也會增加在第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"與毗鄰第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120" 形成的第三接觸件134'之間發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)。因此，如根據(jù)一些實(shí)施例在圖3中所示，同 樣會在在第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"上形成絕緣層128以防止第三縮短的金屬柵極結(jié) 構(gòu)120"和第三接觸件134'之間發(fā)生短路。在一些實(shí)施例中，第三接觸件134'的材料和形 成工藝與第二接觸件134的類似。在一些實(shí)施例中，第三接觸件134'為自對準(zhǔn)接觸件。
[0074] 應(yīng)該注意的是，圖2中所示的寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118、縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'、 第三縮短的金屬柵極結(jié)構(gòu)120"僅僅是示例，并不意在限制本公開的范圍。在一些實(shí)施例中， 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)只包括兩個(gè)金屬柵極結(jié)構(gòu)，諸如寬金屬柵極結(jié)構(gòu)118和縮短的窄金屬柵極 結(jié)構(gòu)120'。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括三個(gè)以上金屬柵極結(jié)構(gòu)。
[0075] 此外，上述方法（包括利用掩膜結(jié)構(gòu)311)也可用于形成包括鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。圖4A示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)400的 俯視圖。圖4B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)400沿著圖4A中的線C-C'所示出 的的橫截面圖。圖4C示出了根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)400沿著圖4A中的線D-D' 所示出的的橫截面圖。
[0076] 如圖4A中所示，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)400包括形成在襯底102上方的第四柵極結(jié)構(gòu) 518、第五柵極結(jié)構(gòu)520'以及第六柵極結(jié)構(gòu)520"。此外，第四柵極結(jié)構(gòu)518、第五柵極結(jié)構(gòu) 520'以及第六個(gè)柵極結(jié)構(gòu)520"分別越過鰭結(jié)構(gòu)502形成。第一接觸件132鄰近第四柵極 結(jié)構(gòu)518形成。第二接觸件134鄰近第五個(gè)柵極結(jié)構(gòu)520'形成。第三接觸件134'鄰近第 六柵極結(jié)構(gòu)520"形成。
[0077] 如圖4B中所示，根據(jù)一些實(shí)施例，第四柵極結(jié)構(gòu)518可以類似于寬金屬柵極結(jié)構(gòu) 118,且第五柵極結(jié)構(gòu)520'可以類似于縮短的窄金屬柵極結(jié)構(gòu)120'。在一些實(shí)施例中，第四 柵極結(jié)構(gòu)518和第五柵極結(jié)構(gòu)520'各自均包括柵極介電層122、功函數(shù)金屬層124以及金 屬柵極電極層126。此外，因?yàn)榈谖鍠艠O結(jié)構(gòu)520'具有相對小的寬度，絕緣層128形成在