一種芯片封裝方式的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種芯片封裝方式。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，芯片通常是貼合PCB板安裝，芯片產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)上表面散出，因此發(fā)熱的芯片會(huì)加熱PCB板，導(dǎo)致PCB板的溫度升高，進(jìn)而縮短PCB板和PCB板表面的電子元件的壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種新的芯片封裝方式，使得芯片在發(fā)熱的時(shí)候，會(huì)在引腳的作用下遠(yuǎn)離PCB板。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案。
[0005]一種芯片封裝方式，該方式制備出來(lái)的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片主體、導(dǎo)熱高分子封裝材料層和熱雙金屬片導(dǎo)電引腳，芯片封裝方式包括以下熱雙金屬片導(dǎo)電引腳和步驟:
熱雙金屬片導(dǎo)電引腳的材質(zhì)是熱雙金屬片，熱雙金屬片在常溫下呈彎曲狀，熱雙金屬片的主動(dòng)層呈彎曲狀緊貼呈彎曲狀的熱雙金屬片的被動(dòng)層，熱雙金屬片的被動(dòng)層連接芯片主體的導(dǎo)電位置；
步驟1、將熱雙金屬片的主動(dòng)層和熱雙金屬片的被動(dòng)層彎曲，并通過(guò)熱處理退火，消除彎曲帶來(lái)的內(nèi)部應(yīng)力；
步驟2、將熱雙金屬片的主動(dòng)層緊貼熱雙金屬片的被動(dòng)層；
步驟3、將熱雙金屬片的被動(dòng)層連接芯片主體的導(dǎo)電位置；
步驟4、灌注導(dǎo)熱高分子封裝材料，形成包裹芯片主體的導(dǎo)熱高分子封裝材料層。
[0006]更好地，上述熱雙金屬片連接芯片主體導(dǎo)電位置的部位和熱雙金屬片焊接在PCB板的部位只有單獨(dú)的被動(dòng)層，沒(méi)有主動(dòng)層。
[0007]更好地，上述熱雙金屬片有呈圓弧形狀的部位。
[0008]本發(fā)明的工作原理和有益效果在于:
本發(fā)明提供了一種芯片封裝方式，在受熱后由于主動(dòng)層和被動(dòng)層的熱膨脹系數(shù)不同，熱雙金屬片的主動(dòng)層的伸長(zhǎng)量大于被動(dòng)層的伸長(zhǎng)量，熱雙金屬片的圓弧形狀的部位會(huì)發(fā)生形變，推動(dòng)熱雙金屬片連接的芯片遠(yuǎn)離PCB板，達(dá)到了本發(fā)明的目的。氟硅橡膠層包裹熱雙金屬片與芯片主體貼近的表面，起到絕緣的作用。熱雙金屬片同時(shí)也可以起到散熱的作用。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)的引腳部位的截面示意圖。
[0010]【附圖說(shuō)明】:1、芯片主體；2、導(dǎo)熱高分子封裝材料層；3、主動(dòng)層；4、被動(dòng)層；5、PCB板。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例與附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本發(fā)明的限定。
[0012]參照?qǐng)D1所示，一種芯片封裝方式，該方式制備出來(lái)的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片主體1、導(dǎo)熱高分子封裝材料層2和熱雙金屬片導(dǎo)電引腳，芯片封裝方式包括以下熱雙金屬片導(dǎo)電引腳和步驟:
熱雙金屬片導(dǎo)電引腳的材質(zhì)是熱雙金屬片，熱雙金屬片在常溫下呈彎曲狀，熱雙金屬片的主動(dòng)層3呈彎曲狀緊貼呈彎曲狀的熱雙金屬片的被動(dòng)層4，熱雙金屬片的被動(dòng)層4連接芯片主體I的導(dǎo)電位置；
步驟1、將熱雙金屬片的主動(dòng)層3和熱雙金屬片的被動(dòng)層4彎曲，并通過(guò)熱處理退火，消除彎曲帶來(lái)的內(nèi)部應(yīng)力；
步驟2、將熱雙金屬片的主動(dòng)層3緊貼熱雙金屬片的被動(dòng)層4 ；
步驟3、將熱雙金屬片的被動(dòng)層4連接芯片主體I的導(dǎo)電位置；
步驟4、灌注導(dǎo)熱高分子封裝材料，形成包裹芯片主體I的導(dǎo)熱高分子封裝材料層2。
[0013]上述熱雙金屬片連接芯片主體I導(dǎo)電位置的部位和熱雙金屬片焊接在PCB板5的部位只有單獨(dú)的被動(dòng)層4，沒(méi)有主動(dòng)層3。
[0014]上述熱雙金屬片有呈圓弧形狀的部位。
[0015]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方案，除此之外，本發(fā)明還可以其它方式實(shí)現(xiàn)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下任何顯而易見(jiàn)的替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片封裝方式，其特征在于:該方式制備出來(lái)的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片主體、導(dǎo)熱高分子封裝材料層和熱雙金屬片導(dǎo)電引腳，所述芯片封裝方式包括以下熱雙金屬片導(dǎo)電引腳和步驟: 所述熱雙金屬片導(dǎo)電引腳的材質(zhì)是熱雙金屬片，所述熱雙金屬片在常溫下呈彎曲狀，所述熱雙金屬片的主動(dòng)層呈彎曲狀緊貼呈彎曲狀的熱雙金屬片的被動(dòng)層，所述熱雙金屬片的被動(dòng)層連接所述芯片主體的導(dǎo)電位置； 步驟1、將所述熱雙金屬片的主動(dòng)層和熱雙金屬片的被動(dòng)層彎曲，并通過(guò)熱處理退火，消除彎曲帶來(lái)的內(nèi)部應(yīng)力； 步驟2、將所述熱雙金屬片的主動(dòng)層緊貼熱雙金屬片的被動(dòng)層； 步驟3、將所述熱雙金屬片的被動(dòng)層連接所述芯片主體的導(dǎo)電位置； 步驟4、灌注導(dǎo)熱高分子封裝材料，形成包裹芯片主體的導(dǎo)熱高分子封裝材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝方式，其特征在于:所述熱雙金屬片連接所述芯片主體導(dǎo)電位置的部位和熱雙金屬片焊接在PCB板的部位只有單獨(dú)的被動(dòng)層，沒(méi)有主動(dòng)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝方式，其特征在于:所述熱雙金屬片有呈圓弧形狀的部位。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種芯片封裝方式，一種芯片封裝方式，該方式制備出來(lái)的芯片封裝結(jié)構(gòu)包括芯片主體、導(dǎo)熱高分子封裝材料層和熱雙金屬片導(dǎo)電引腳。本發(fā)明的有益效果在于，使得芯片在發(fā)熱的時(shí)候，芯片會(huì)在引腳的作用下遠(yuǎn)離PCB板。
【IPC分類(lèi)】H01L23-498
【公開(kāi)號(hào)】CN104867900
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410066197
【發(fā)明人】梁小江, 周永東, 蘇攀
【申請(qǐng)人】江西創(chuàng)成半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2014年2月26日