施例A1中形成的Pt層的濺射 條件相同。
[0186] 接著，通過(guò)RF磁控派射在Pt層上形成了 [(Na，Bi)a93Baa(l7]Ti0jll5。以下記述 濺射條件。
[0187] 靶：（Na，Bi)i-JiOfBaJiOs(x= 0? 07)
[0188] 氣氛：氬和氧的混合氣體（Ar/^的流量比：60/40)
[0189] RF輸出功率：150W
[0190] 基板溫度：攝氏680度
[0191] 與實(shí)施例A12的情況同樣地，實(shí)施例A13的壓電體膜具有與實(shí)施例A1的壓電體膜 相同的a軸長(zhǎng)和c軸長(zhǎng)。因此，實(shí)施例A13的壓電體膜顯示出與實(shí)施例A1的壓電體膜相同 的特性。這意味著壓電體膜的特性不取決于壓電體膜的制作方法，僅依賴(lài)于其a軸長(zhǎng)和c 軸長(zhǎng)。
[0192] (實(shí)施例Bl)
[0193] 除了Lai+yNihOjl13在攝氏200度的基板溫度的條件下形成以外，與實(shí)施例A1 同樣地制作了 [(Na，BiUajTiOjl15。
[0194] (實(shí)施例B2)
[0195] 除了y= -0? 05以外，與實(shí)施例A1同樣地制作了 [(Na，BiUajTiOjl15。
[0196] (實(shí)施例B3)
[0197] 除了y= 0. 15以外，與實(shí)施例A1同樣地制作了 [(Na，BiUajTiOjl15。
[0198] (實(shí)施例B4)
[0199] 除了x= 0? 00以外，與實(shí)施例A1同樣地制作了 [(Na，BUajTiOjl15。
[0200] (實(shí)施例B5)
[0201] 除了x= 0? 22以外，與實(shí)施例A1同樣地制作了 [(Na，BiUajTiOjl15。
[0202] (比較例1)
[0203] 除了Lai+yNihOjl13在攝氏300度的基板溫度的條件下形成以外，與實(shí)施例A1 同樣地制作了 [(Na，BiUajTiOjl15。
[0204] 比較例1的[(Na，Bi) 1_!^&!￡]1103層15具有攝氏160度這一低的退極化溫度Td。 在比較例1中，應(yīng)變量不與施加電場(chǎng)成比例。請(qǐng)留意壓電常數(shù)d31 (0. 3V/微米）/壓電常數(shù) d31(1.8V/微米）的比為0.76。該比值越接近1，應(yīng)變量與施加電場(chǎng)之間的關(guān)系就越接近準(zhǔn) 確的比例關(guān)系。
[0205] (比較例2)
[0206] 按照專(zhuān)利文獻(xiàn)5,使用了似；&11附03層（z= 0. 07)來(lái)代替Lai+yNi^Ojl13,并且，
[(Na，Bi) 1_!^\]1103層15在攝氏650度的基板溫度的條件下形成，除此以外，與實(shí)施例A1 同樣地制作了[(NajDhBajTiOjl15。NazLai_zNiOJl(z= 0.07)在攝氏 300 度的溫度 下形成。
[0207] (比較例3)
[0208] 按照專(zhuān)利文獻(xiàn)6,使用了在表面具有（lll)Pt層的（001)Mg0基板來(lái)代替硅基板，并 且，[(NaJDa^^TiOjl15在以下的條件下形成，除此以外，與實(shí)施例A13同樣地制作 了 [(Na，BiUajTiOs層 15。
[0209] 氣氛：氬和氧的混合氣體如/02的流量比：50/50)
[0210] RF輸出功率：170W
[0211] 基板溫度：攝氏650度
[0212] 表1表示實(shí)施例A1~實(shí)施例A13、實(shí)施例B1~實(shí)施例B5、以及比較例1~比較例 3的結(jié)果。表2表不與實(shí)施例A1的不同點(diǎn)。
[0213] 表 1
[0214]
【主權(quán)項(xiàng)】
1?一種[(Na，Bi) ^xBaJ TiO3晶體壓電體膜（15)，其中， 所述[(Nadi)1Jax]TiO3晶體壓電體膜僅具有（001)取向， 所述[(Na，Bi) hBaJ TiO3晶體壓電體膜具有0. 390納米以上且0. 395納米以下的a軸 長(zhǎng)， 所述[(Na，Bi) hBaJ TiO3晶體壓電體膜具有0. 399納米以上且0. 423納米以下的c軸 長(zhǎng)， X表示0以上且1以下的值，并且， 所述[(Na，BDhBaJTiC^sB體壓電體膜具有攝氏389度以上的退極化溫度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的[(Na，Bi) hBajTiO^體壓電體膜， 所述[(Na，BDhBaJTiC^sB體壓電體膜具有攝氏470度以下的退極化溫度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的[(Na，Bi) PxBaJTiO3晶體壓電體膜，還含有錳。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的[(Na，Bi) hBajTiC^l體壓電體膜，X為0. 00以上且0. 22 以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的[(Na，Bi) hBajTiO^體壓電體膜， 所述[(Na，Bi) ^xBaJTiO3晶體壓電體膜具有0. 391納米以上且0. 394納米以下的a軸 長(zhǎng)， 所述[(Na，Bi) hBaJ TiO3晶體壓電體膜具有0. 399納米以上且0. 420納米以下的c軸 長(zhǎng)，并且， X為0.02以上且0.20以下。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的[(Na，Bi) hBajTiC^l體壓電體膜， 所述[(Na，BiUaJTiO3晶體壓電體膜具有滿(mǎn)足以下的數(shù)式⑴的壓電常數(shù) d31(0. 3V/微米）， 所述[(Na，BUaJTiO3晶體壓電體膜具有滿(mǎn)足以下的數(shù)式（II)的壓電常數(shù) d31(1.8V/微米），并且， 所述[(NadDhBaJTiO3晶體壓電體膜具有滿(mǎn)足以下的數(shù)式（III)的線(xiàn)性， 壓電常數(shù)d31(0. 3V/微米）I彡78 (I), 壓電常數(shù)d31(1.8V/微米）I彡78 (II)， 0.98彡（壓電常數(shù)d31(0.3V/微米）/壓電常數(shù)d31(1.8V/微米））彡1.00(111)。
7. -種壓電疊層結(jié)構(gòu)體，具備以下的層： LaLyNihyO3層（13);和 權(quán)利要求1所述的[(Na，Bi) PxBaJTiO3晶體壓電體膜（15)，其中， 所述[(Na，Bi) JaJTiO3晶體壓電體膜（15)被層疊為與所述La LyNipyO^ (13)接 觸， y表示-0. 05以上且0. 15以下的值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電疊層結(jié)構(gòu)體，y為0. 00以上且0. 10以下。
9. 一種噴墨頭，具備： 壓電體膜，其被第1電極和第2電極夾著； 振動(dòng)層，其與所述壓電體膜接合；和 壓力室部件，其具有收容墨的壓力室，并且接合于所述振動(dòng)層中的與接合有所述壓電 體膜的面相反的一側(cè)的面上， 所述振動(dòng)層，與所述壓電體膜接合，使得其根據(jù)基于壓電效應(yīng)的所述壓電體膜的位移 而在該振動(dòng)層的膜厚方向上位移， 所述振動(dòng)層和所述壓力室部件相互接合，使得所述壓力室的容積根據(jù)所述振動(dòng)層的位 移而變化，并且，所述壓力室內(nèi)的墨根據(jù)所述壓力室的容積的變化而噴出， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiO^sB體壓電體膜。
10. -種使用噴墨頭形成圖像的方法，具備以下的工序： 工序（a)，該工序準(zhǔn)備所述噴墨頭， 所述噴墨頭具備以下部分： 壓電體膜，其被第1電極和第2電極夾著； 振動(dòng)層，與所述壓電體膜接合；和 壓力室部件，其具有收容墨的壓力室，并且接合于所述振動(dòng)層中的與接合有所述壓電 體膜的面相反的一側(cè)的面上，其中， 所述振動(dòng)層，與所述壓電體膜接合，使得其根據(jù)基于壓電效應(yīng)的所述壓電體膜的位移 而在該振動(dòng)層的膜厚方向上位移， 所述振動(dòng)層和所述壓力室部件相互接合，使得所述壓力室的容積根據(jù)所述振動(dòng)層的位 移而變化，并且，所述壓力室內(nèi)的墨根據(jù)所述壓力室的容積的變化而噴出， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiC^sB體壓電體膜；和 工序（b)，該工序通過(guò)經(jīng)由所述第1電極和第2電極對(duì)所述壓電體層施加電壓，基于壓 電效應(yīng)使所述振動(dòng)層在該層的膜厚方向上位移，使得所述壓力室的容積變化，通過(guò)該位移 使墨從所述壓力室噴出。
11. 一種角速度傳感器，具備： 基板，其具有振動(dòng)部；和 壓電體膜，其與所述振動(dòng)部接合，并且被第1電極和第2電極夾著， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiO^sB體壓電體膜， 選自所述第1電極和第2電極中的一方電極由電極群構(gòu)成，所述電極群包含驅(qū)動(dòng)電極 和讀出電極，所述驅(qū)動(dòng)電極對(duì)所述壓電體層施加使所述振動(dòng)部振蕩的驅(qū)動(dòng)電壓，所述讀出 電極用于測(cè)定由于施加于振蕩中的所述振動(dòng)部的角速度而在所述振動(dòng)部產(chǎn)生的位移。
12. -種使用角速度傳感器測(cè)定角速度的方法，具備以下的工序： 工序（a)，該工序準(zhǔn)備所述角速度傳感器，其中， 所述角速度傳感器具備以下部分： 基板，其具有振動(dòng)部；和 壓電體膜，其與所述振動(dòng)部接合，并且被第1電極和第2電極夾著，其中， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiO^sB體壓電體膜， 選自所述第1電極和第2電極中的一方電極由包含驅(qū)動(dòng)電極和讀出電極的電極群構(gòu) 成； 工序（b)，該工序通過(guò)經(jīng)由選自所述第1電極和第2電極中的另一方電極和所述驅(qū)動(dòng)電 極對(duì)所述壓電體層施加驅(qū)動(dòng)電壓，使所述振動(dòng)部振蕩；和 工序（c)，該工序通過(guò)經(jīng)由所述另一方電極和所述讀出電極測(cè)定由于施加于振蕩中的 所述振蕩部的角速度而在所述振動(dòng)部產(chǎn)生的位移，得到所述施加了的角速度的值。
13. -種壓電發(fā)電兀件，具備以下部分： 基板，其具有振動(dòng)部；和 壓電體膜，其與所述振動(dòng)部接合，并且被第1電極和第2電極夾著，其中， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiO^sB體壓電體膜。
14. 一種使用壓電發(fā)電元件發(fā)電的方法，具備以下工序： 工序（a)，該工序準(zhǔn)備所述壓電發(fā)電元件， 所述壓電發(fā)電元件具備以下部分： 基板，其具有振動(dòng)部；和 壓電體膜，其與所述振動(dòng)部接合，并且被第1電極和第2電極夾著，其中， 所述壓電體膜為權(quán)利要求1所述的[(Na，BDhBaJTiC^sB體壓電體膜；和 工序（b)，該工序通過(guò)對(duì)所述振動(dòng)部給予振動(dòng)，經(jīng)由所述第1電極和第2電極獲得電。
【專(zhuān)利摘要】提供一種具有更高的退極化溫度的NBT-BT膜。本發(fā)明為一種[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶體壓電體膜，該[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶體壓電體膜僅具有(001)取向，該[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶體壓電體膜具有0.390納米以上且0.395納米以下的a軸長(zhǎng)，該[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶體壓電體膜具有0.399納米以上且0.423納米以下的c軸長(zhǎng)，x表示0以上且1以下的值，該[(Na，Bi)1-xBax]TiO3晶體壓電體膜具有攝氏389度以上的退極化溫度。
【IPC分類(lèi)】H01L41-187, B41J2-14
【公開(kāi)號(hào)】CN104868049
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410602181
【發(fā)明人】田中良明, 橋本和彌, 張?zhí)尜F圣, 足立秀明, 藤井映志
【申請(qǐng)人】松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2014年10月31日
【公告號(hào)】US20150243878