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      一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝的制作方法

      文檔序號(hào):8924031閱讀:524來(lái)源:國(guó)知局
      一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及晶體娃太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域,具體為一種太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 目前,單、多晶娃太陽(yáng)電池的主要制造工藝已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化,主要生產(chǎn)步驟為;清洗制 備娃片表面絨面,擴(kuò)散形成PN結(jié),干、濕法刻蝕去除周邊及背面結(jié),陽(yáng)CVD形成減反射氮化 娃薄膜,絲網(wǎng)印刷形成電極,燒結(jié)形成歐姆接觸電阻。
      [000引太陽(yáng)能電池的核屯、工序擴(kuò)散形成的PN結(jié)一直是太陽(yáng)能電池的屯、臟,針對(duì)本工序 的工藝實(shí)現(xiàn)技術(shù)的研究也很多,用于生產(chǎn)的基本的擴(kuò)散步驟主要包括POCI3磯擴(kuò)散步驟及 推進(jìn)步驟。
      [0004] POCI3是目前磯擴(kuò)散用得較多的一種雜質(zhì)源,在高溫下分解生成五氯化磯(PC15) 和五氧化二磯任2〇5),其反應(yīng)式如下:
      [0005] 5POCls= 3PC1 3+P205
      [0006] 2P2O5巧Si = 5Si〇2+4P i
      [0007] 在整個(gè)擴(kuò)散工藝進(jìn)行中,溫度、流量、時(shí)間等因素影響著擴(kuò)散的結(jié)果。擴(kuò)散后形成 的薄層電阻的均勻性及結(jié)深對(duì)最終形成的電池效率有直接關(guān)系。制備的PN結(jié)既要考慮形 成很好的歐姆接觸,又要顧及到表面死層的降低。死層會(huì)加重表面的載流子復(fù)合,影響載流 子的收集率,導(dǎo)致開(kāi)路電壓和短路電流的降低。
      [000引傳統(tǒng)的雙步擴(kuò)散工藝,就是通過(guò)在第一步通入較多的磯源,而在第二步磯擴(kuò)散時(shí) 降低較多通入的攜磯濃度,來(lái)降低最后的表面死層,即主要通過(guò)第一步擴(kuò)散達(dá)到減少接觸 電阻,第二步擴(kuò)散降低發(fā)射結(jié)表面復(fù)合。而針對(duì)多晶娃,在第二步降低較多攜磯濃度還是會(huì) 直接影響擴(kuò)散薄層電阻的均勻性。因多晶娃表面的晶界較多,晶格內(nèi)部和晶界處的吸收磯 源的差異,導(dǎo)致降低較多攜磯濃度相較單晶娃而言,會(huì)影響薄層電阻的均勻性更嚴(yán)重些。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0009] 本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足而提供一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,通過(guò) 改變第二步磯源擴(kuò)散的攜磯量和氧氣量,及改變擴(kuò)散后推進(jìn)結(jié)深步驟的氧氣量,實(shí)現(xiàn)在薄 層電阻均勻的情況下,降低擴(kuò)散表面死層,從而達(dá)到降低復(fù)合提高電池片效率的目的。
      [0010] 為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
      [0011] 一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,包括:
      [0012] 1)將爐內(nèi)溫度控制在840°C;
      [001引 2)在該溫度下,通入200-500ml/min的氧氣和700-1000ml/min的小氮濃度,同時(shí) 通入10000-15000血/min的大氮,在多晶娃片上進(jìn)行擴(kuò)散,形成第一層擴(kuò)散薄層,處理時(shí)間 8-12min;
      [0014] 3)通入200-500ml/min的氧氣和700-900ml/min的小氮濃度,同時(shí)通入 10000-15000血/min的大氮,再次進(jìn)行擴(kuò)散,處理時(shí)間ll-16min;
      [00巧]4)停止磯源的流量通入,用25-40min的時(shí)間將溫度降低至700-780。整個(gè)降溫 過(guò)程中持續(xù)通入2000-2500ml/min的氧氣,同時(shí)通入10000-15000mL/min的大氮,進(jìn)行推進(jìn) 作用,雜質(zhì)向深處推動(dòng),降低表面雜質(zhì)濃度,從而降低表面死層;
      [0016] 5)擴(kuò)散結(jié)束,進(jìn)行后期取出娃片操作。
      [0017] 傳統(tǒng)的兩步擴(kuò)散工藝雖然解決了降低死層的目的,但因?yàn)槠涞诙綌U(kuò)散過(guò)程降低 了較多的磯濃度,故歐姆接觸相較要差些,且因?yàn)槎嗑奚暇Ы绾途Ц裎恢玫奈沾壴吹?差異而均勻性也差些。而本發(fā)明工藝在第二步擴(kuò)散中僅降低很小的磯濃度,而是通過(guò)后面 的推進(jìn)步驟中將氧氣的濃度提高上來(lái),從而達(dá)到了阻擋表面死層的目的,但又獲得了較好 的歐姆接觸。因?yàn)檠鯕獾奶岣呖蒞起到很好的阻擋和吸雜的作用,從而降低了多余磯的進(jìn) 一步擴(kuò)散,減少了死層。進(jìn)一步地,所述的制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝可包括如下步驟: [001引 1)將爐內(nèi)溫度控制在840°C;
      [0019] 2)在該溫度下,通入300-400ml/min的氧氣和800-900ml/min的小氮濃度,同時(shí) 通入11000-13000血/min的大氮,在多晶娃片上進(jìn)行擴(kuò)散,形成第一層擴(kuò)散薄層,處理時(shí)間 9-llmin;
      [0020] 3)通入300-400ml/min的氧氣和800-850ml/min的小氮濃度,同時(shí)通入 11000-13000血/min的大氮,再次進(jìn)行擴(kuò)散,處理時(shí)間12-15min;
      [002U 4)停止磯源的流量通入,用25-40min的時(shí)間將溫度降低至700-780。整個(gè)降溫 過(guò)程中持續(xù)通入2000-2500ml/min的氧氣,同時(shí)通入11000-13000mL/min的大氮,進(jìn)行推進(jìn) 作用,雜質(zhì)向深處推動(dòng),降低表面雜質(zhì)濃度,從而降低表面死層;
      [002引W擴(kuò)散結(jié)束,進(jìn)行后期取出娃片操作。
      [0023] 傳統(tǒng)的兩步擴(kuò)散工藝雖然解決了降低死層的目的,但因?yàn)槠涞诙綌U(kuò)散過(guò)程降低 了較多的磯濃度,故歐姆接觸相較要差些,且因?yàn)槎嗑奚暇Ы绾途Ц裎恢玫奈沾壴吹?差異而均勻性也差些。而本發(fā)明工藝在第二步擴(kuò)散中僅降低很小的磯濃度,而是通過(guò)后面 的推進(jìn)步驟中將氧氣的濃度提高上來(lái),從而達(dá)到了阻擋表面死層的目的,但又獲得了較好 的歐姆接觸。因?yàn)檠鯕獾奶岣呖蒞起到很好的阻擋和吸雜的作用,從而降低了多余磯的進(jìn) 一步擴(kuò)散,減少了死層。
      【具體實(shí)施方式】[0024] 實(shí)施例1
      [0025] 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,包括如下步驟:
      [0026] 1)將爐內(nèi)溫度控制在840°C;
      [0027] 2)在該溫度下,通入200ml/min的氧氣和750ml/min的小氮濃度,同時(shí)通入 llOOOmL/min的大氮,在多晶娃片上進(jìn)行擴(kuò)散,形成第一層擴(kuò)散薄層,處理時(shí)間8min;
      [0028] 3)通入200ml/min的氧氣和700ml/min的小氮濃度,同時(shí)通入11000血/min的大 氮,再次進(jìn)行擴(kuò)散,處理時(shí)間llmin;
      [0029] 4)停止磯源的流量通入,用25min的時(shí)間將溫度降低至700。整個(gè)降溫過(guò)程中持 續(xù)通入2000ml/min的氧氣,同時(shí)通入lOOOOmL/min的大氮,進(jìn)行推進(jìn)作用,雜質(zhì)向深處推 動(dòng),降低表面雜質(zhì)濃度,從而降低表面死層;
      [0030]W擴(kuò)散結(jié)束,進(jìn)行后期取出娃片操作。
      [0031] 實(shí)施例2
      [0032] 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種制作太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散工藝,包括如下步驟:
      [0033] 1)將爐內(nèi)溫度控制在840°C ;
      [0034] 2)在該溫度下,通入500ml/min的氧氣和lOOOml/min的小氮濃度,同時(shí)通入 15000mL/min的大氮,在多晶娃片上進(jìn)行擴(kuò)散,形成第一層擴(kuò)散薄層,處理時(shí)間8min ;
      [0035]
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