源電壓Ncc直接驅(qū)動光耦合裝置，電子儀器能夠小型化。另外，由于對發(fā)光元件50進(jìn)行電壓驅(qū)動，因此，發(fā)光元件50的溫度特性或經(jīng)年變化被降低。
[0066]圖10是說明第三實施方式的光耦合裝置的變形例的模式圖。
[0067]本圖是表示在變形例中使用的絕緣襯底10和設(shè)置在其上的導(dǎo)電圖形的模式俯視圖。輸入端子20的第一端子21在第二面1b上進(jìn)一步具有與第二導(dǎo)電區(qū)域21相分離的分離區(qū)域21p。分離區(qū)域21p和設(shè)置在第一面1a上的第一導(dǎo)電區(qū)域21a，經(jīng)由絕緣襯底10所設(shè)置的貫通孔TH內(nèi)的導(dǎo)電區(qū)域相連接。電阻90粘接在分離區(qū)域21p上。電阻90的另一個端子和發(fā)光元件的第一電極用焊線等連接。
[0068]若這樣做，則覆蓋電阻90、MOSFET 70、受光元件60和發(fā)光元件50的密封樹脂層90就能夠相對絕緣襯底10的第二面1b保持高密著性。如果存在由金屬構(gòu)成的端子面與密封樹脂層之間相粘接的區(qū)域，則有時就會從該分界面鉆進(jìn)水分而產(chǎn)生電阻或半導(dǎo)體元件的劣化。在該變形例中，抑制這種劣化，并容易提高光耦合裝置的可靠性。
[0069]根據(jù)第一?第三實施方式以及附隨的變形例，提供了一種外圍電路元件被內(nèi)置、并能縮小外部安裝電路板的尺寸的光耦合裝置。因此，半導(dǎo)體測試器等電子儀器被小型化。另外，其裝配工序被簡化。
[0070]以上說明了幾個實施方式，但是這些實施方式是作為例子而提出的，并不是想限定發(fā)明范圍。這些新的實施方式可以以其他各種各樣的方式實施，可以在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種各樣的省略、置換和變更。這些實施方式或其變形包含在發(fā)明范圍或主旨內(nèi)，并且也包含在權(quán)利要求范圍中記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種光耦合裝置，具有: 絕緣襯底，具有第一層和第二層，將所述第一層的下表面設(shè)為第一面，將所述第二層的上表面設(shè)為第二面，并設(shè)置有多個貫通孔； 輸入端子，是具有第一端子和第二端子的輸入端子，所述第一端子具有:第一導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第一面上；第二導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第二面上；貫通導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述多個貫通孔的內(nèi)部；以及第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間，并且經(jīng)由所述貫通導(dǎo)電區(qū)域分別與所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接，所述第二端子具有:第一導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第一面上；第二導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第二面上；貫通導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述多個貫通孔的內(nèi)部；以及第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域，設(shè)置在所述第一層與所述第二層之間，并且經(jīng)由所述貫通導(dǎo)電區(qū)域分別與所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接； 輸出端子； 下墊板部，夾在所述輸入端子與所述輸出端子之間，并且設(shè)置在所述第二面上； 受光元件，粘接在所述下墊板部上，并與所述輸出端子相連接；以及發(fā)光元件，粘接在所述受光元件的上表面上，具有與所述第一端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的第一電極和與所述第二端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的第二電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合裝置， 所述第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域和所述第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域在俯視下不交叉。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合裝置， 所述絕緣襯底在第一層與所述第二層之間進(jìn)一步具有第三層， 所述第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域設(shè)置在所述第一層與所述第三層之間，并且經(jīng)由所述貫通導(dǎo)電區(qū)域，分別與所述第一端子的所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接， 所述第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域設(shè)置在所述第二層與所述第三層之間，并且經(jīng)由所述貫通導(dǎo)電區(qū)域，分別與所述第二端子的所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接， 所述第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域和所述第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域在俯視下相交叉。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，所述第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域和所述第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域相對高頻噪聲具有電感。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合裝置， 所述發(fā)光元件發(fā)出740?850nm波長的光， 所述受光元件從所述上表面接收所述光。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光耦合裝置，進(jìn)一步具備MOSFET，所述MOSFET具有與所述輸出端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的漏極以及與所述受光元件相連接的柵極和源極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光耦合裝置，所述MOSFET包含共源極連接的2個元件。8.一種光耦合裝置，具有: 絕緣襯底，具有第一面和第二面； 輸入端子，是具有第一端子和第二端子的輸入端子，所述第一端子具有設(shè)置在所述第一面上的第一導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在所述第二面上的第二導(dǎo)電區(qū)域，所述第二端子具有設(shè)置在所述第一面上的第一導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在所述第二面上的第二導(dǎo)電區(qū)域； 輸出端子，具有設(shè)置在所述第一面上的第一導(dǎo)電區(qū)域和設(shè)置在所述第二面上的第二導(dǎo)電區(qū)域； 第一下墊板部，夾在所述輸入端子與所述輸出端子之間，并且設(shè)置在所述第二面上； 第二下墊板部，夾在所述第一下墊板部與所述輸出端子之間，并且設(shè)置在所述第二面上; 受光元件，粘接在所述第一下墊板部上，與所述輸出端子相連接； 發(fā)光元件，粘接在所述受光元件的上表面上，具有第一電極和第二電極； 電阻，設(shè)置在所述輸入端子的所述第二面一側(cè)，與所述輸入端子和所述發(fā)光元件相連接；以及 MOSFET，具有與所述輸出端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的漏極以及與所述受光元件相連接的柵極和源極。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置，進(jìn)一步具備密封樹脂層，所述密封樹脂層以密封所述受光元件、所述發(fā)光元件以及所述MOSFET的方式，設(shè)置在所述絕緣襯底的所述第二面上。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置，所述電阻粘接在所述第一端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域或者所述第二端子的所述第二導(dǎo)電區(qū)域上。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置， 所述輸出端子進(jìn)一步具有導(dǎo)電貫通區(qū)域，所述導(dǎo)電貫通區(qū)域設(shè)置在所述絕緣襯底上，將所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域連接， 所述第一端子或者所述第二端子進(jìn)一步具有:導(dǎo)電貫通區(qū)域，設(shè)置在所述絕緣襯底上，并且將所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域連接；以及第三導(dǎo)電區(qū)域，與所述第二導(dǎo)電區(qū)域相分離，設(shè)置在所述第二面上， 所述電阻粘接在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上，與所述輸入端子和所述發(fā)光元件相連接。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光耦合裝置，進(jìn)一步具備密封樹脂層，所述密封樹脂層以密封所述受光元件、所述發(fā)光元件、所述MOSFET和所述電阻的方式，設(shè)置在所述絕緣襯底的所述第二面上。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置，所述第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域和所述第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域相對高頻噪聲具有電感。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置， 所述發(fā)光元件發(fā)出740?850nm波長的光， 所述受光元件從所述上表面接收所述光。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光耦合裝置，所述MOSFET包含共源極連接的2個元件。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能縮小外部安裝基板的尺寸的光耦合裝置。光耦合裝置具有絕緣襯底、輸入端子、輸出端子、下墊板部、受光元件和發(fā)光元件。絕緣襯底具有第一層、第二層和多個貫通孔。輸入端子具有第一端子和第二端子。第一端子具有第一導(dǎo)電區(qū)域、第二導(dǎo)電區(qū)域、設(shè)置在貫通孔的內(nèi)部的貫通導(dǎo)電區(qū)域以及第一旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域。第二端子具有第一導(dǎo)電區(qū)域、第二導(dǎo)電區(qū)域、設(shè)置在貫通孔的內(nèi)部的貫通導(dǎo)電區(qū)域以及第二旋渦狀導(dǎo)電區(qū)域。受光元件粘接在下墊板部上，并與輸出端子相連接。發(fā)光元件粘接在受光元件的上表面上，具有與第一端子的第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的第一電極和與第二端子的第二導(dǎo)電區(qū)域相連接的第二電極。
【IPC分類】H01L31/08
【公開號】CN104916729
【申請?zhí)枴緾N201410421681
【發(fā)明人】鷹居直也, 伊藤陽一郎
【申請人】株式會社東芝
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年8月25日