一種薄膜電極制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜電極制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯是一種由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新材料，由于其具有很高的載流子濃度和遷移率以及亞微米尺度的彈性輸運(yùn)特性，已被廣泛應(yīng)用于微處理器、電池、顯示器及柔性電子器件中。
[0003]目前，石墨烯材料被認(rèn)為是觸控顯示領(lǐng)域中具有廣闊前景的電極材料，其有望取代現(xiàn)有的價格昂貴的氧化錫銦(ITO)等導(dǎo)電材料。常見的石墨烯電極的制作方法有碳化硅(SiC)外延生長法和化學(xué)氣相沉積(CVD)法。
[0004]然而，石墨烯不可能直接生長在玻璃基板上，因此石墨烯電極也不可能像ITO電極一樣直接在玻璃基板上刻蝕得到。一方面由于石墨烯是一種單層平面二維結(jié)構(gòu)，而玻璃是一種非晶體，其表面平整度較低；另一方面，石墨烯的沉積面必須有催化介質(zhì)。因此石墨電極制作廠商通常是先在石墨材料制作廠商購買石墨烯，然后再將石墨烯刻蝕得到石墨烯電極圖形。故，石墨電極制作廠商需要額外購買石墨烯電極圖形加工設(shè)備，其成本較高，且工藝較復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種成本低且工藝簡單的薄膜電極制作方法。
[0006]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法包括以下步驟:提供一至少具有一第一表面的第一襯底，在所述第一表面上形成一阻擋層；在所述阻擋層上形成至少一第一圖形，以露出所述第一表面，形成所述第一圖形的阻擋層部分與所述第一表面共同形成一第一收容空間；在所述第一表面上形成一第一薄膜電極，所述第一薄膜電極完全收容于所述第一收容空間內(nèi)；去除所述第一襯底及阻擋層，得到所述第一薄膜電極。
[0007]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述薄膜電極制作方法還包括提供一具有一第二表面的第二襯底，以及將所述第一薄膜電極形成于所述第二表面的步驟。
[0008]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述阻擋層上形成有多個第一圖形，露出所述第一表面，且形成所述多個第一圖形的阻擋層部分與所述第一表面共同形成多個所述第一收容空間；在所述第一表面上形成多個第一薄膜電極，所述多個第一薄膜電極完全收容于所述第一收容空間內(nèi)；且所述薄膜電極制作方法還包括將所述多個第一薄膜電極形成于所述第二襯底上的步驟。
[0009]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，形成于所述第二襯底上的多個第一薄膜電極之間相互間隔絕緣，且所述多個第一薄膜電極通過一第一結(jié)合層與所述第二襯底相結(jié)合，所述第一結(jié)合層位于所述多個第一薄膜電極與所述第二表面之間，或者所述多個第一薄膜電極位于所述第一結(jié)合層和所述第二表面之間。
[0010]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述薄膜電極制作方法至少包括在所述阻擋層上形成一第二圖形的步驟，以露出所述第一表面，形成所述第二圖形的阻擋層部分與所述第一表面共同形成一第二收容空間；在所述第一表面上形成一第二薄膜電極，所述第二薄膜電極完全收容于所述第二收容空間內(nèi)；去除所述第一襯底及阻擋層，得到所述第二薄膜電極。
[0011]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述阻擋層上形成有多個第二圖形，露出所述第一表面，且形成所述多個第二圖形的阻擋層部分與所述第一表面共同形成多個所述第二收容空間；在所述第一表面上形成多個第二薄膜電極，所述多個第二薄膜電極完全收容于所述第二收容空間內(nèi)；且所述薄膜電極制作方法還包括將所述多個第二薄膜電極形成于所述第二襯底上的步驟。
[0012]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，形成于所述第二襯底上的多個第二薄膜電極之間相互間隔絕緣，且所述多個第二薄膜電極通過一第二結(jié)合層與所述第二襯底相結(jié)合，所述第二結(jié)合層位于所述多個第二薄膜電極與所述第二表面之間，或者所述多個第二薄膜電極位于所述第二結(jié)合層和所述第二表面之間。
[0013]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述第一表面為一平面，在垂直于所述第一表面的方向上，所述阻擋層的厚度較所述第一薄膜電極和第二薄膜電極的厚度大，所述多個第一圖形與所述多個第二圖形在同一制程中一并制成，所述多個第一薄膜電極與所述多個第二薄膜電極米用同種材料在同一工藝中一并制程成，且每一所述第一薄膜電極與一第二薄膜電極電性相連，所述第二薄膜電極用于將所述第一薄膜電極電性連接至一外部電路。
[0014]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，所述第一結(jié)合層與第二結(jié)合層采用同種材料在同一制程中一并制成，所述第二表面為一平面，且在垂直于所述第二表面方向上，所述第一薄膜電極與第二薄膜電極具有相同的厚度，所述第一結(jié)合層與第二結(jié)合層具有相同的厚度，所述第一薄膜電極與第一結(jié)合層具有相同或不同的厚度。
[0015]本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法中，制作所述第一薄膜電極和第二薄膜電極的材料為石墨烯，制作所述阻擋層的材料氧化錫銦，制作所述第一襯底的材料為金屬、金屬混合物或金屬合金。
[0016]本發(fā)明提供的所述薄膜電極制作方法中，先在第一襯底的多個第一收容空間內(nèi)形成薄膜電極，然后再將所述薄膜電極轉(zhuǎn)移至第二襯底或基板上，一方面可以避免傳統(tǒng)方式中先將薄膜電極轉(zhuǎn)移至第二襯底或基板后再刻蝕圖形所造成的薄膜材料的浪費(fèi)；另一方面，薄膜電極在第一襯底上已經(jīng)形成，無需先從石墨烯廠商處購買石墨烯材料，并通過新刻蝕設(shè)備、新刻蝕工藝來刻蝕石墨烯圖形，而是利用面板廠商生產(chǎn)線現(xiàn)有的阻擋層刻蝕條件，直接形成薄膜電極，然后再轉(zhuǎn)印，有利于工藝的簡單化。
【附圖說明】
[0017]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0018]圖1a-1d為本發(fā)明提供的一較佳實施方式的薄膜電極制作方法示意圖；
[0019]圖2為圖1a-1d中所述薄膜電極制作方法流程圖；
[0020]圖3a_3d為本發(fā)明提供的另一較佳實施方式的薄膜電極制作方法示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為說明本發(fā)明提供的薄膜電極制作方法，以下結(jié)合說明書附圖及文字說明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0022]請參考圖1a-1d以及圖2，為本發(fā)明提供的一較佳實施方式的薄膜電極的制作方法示意圖以及制作方法流程圖，所述制作至少包括以下步驟:
[0023]步驟SOl:提供一具有第一表面201a的第一襯底201,在所述第一表面201a上形成一阻擋層230,如圖1a所不。
[0024]本實施方式中，所述第一表面201a為一光滑的平面，在其他實施方式中，所述第一表面還可以為曲面或者不規(guī)則的表面。
[0025]步驟S02:在所述阻擋層230上形成至少一第一圖形23，以露出所述第一表面201a,形成所述第一圖形23的阻擋層230部分與所述第一表面共同形成一第一收容空間24。
[0026]本實施方式中，所述第一圖形23的個數(shù)為多個，所述第一圖形23經(jīng)光刻的方式形成，所述第一收容空間24由兩側(cè)壁和一底面構(gòu)成上端開口的一空間。兩所述側(cè)壁為所述第一圖形23的一部分，所述底面為所述第二表面201a的一部分。所述阻擋層230和第一圖形23的材料為氧化錫銦(ITO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化鋅鎵(GZO)，或者為類似的材料。所述第一襯底201的材料為金屬，例如銅或者鎳等。
[0027]步驟S03:在所述第一表面201a上形成一第一薄膜電極22，所述第一薄膜電極22完全收容于所述第一收容空間內(nèi)。如圖1c所示。
[0028]在垂直于所述第一表面201a的方向上，所述第一圖形23的厚度大于所述第一薄膜電極22的厚度。本實施方式中，所述第一薄膜電極22的材料為石墨烯，在其他實施方式中，第一薄膜電極還可以為納米銀或者其他類似的導(dǎo)電材料。所述第一薄膜電極22為觸控面板中的觸控電極，在其他實施方式中，薄膜電極還可以為顯示面板中的柵電極、源漏電極、像素電極、公共電極，或者引線電極等等。
[0029]步驟S04:提供一具有一第二表面202a的第二襯底202，去除所述第一襯底201及阻擋層230，將所述第一薄膜電極22形成于所述第二表面202a。如圖1d所示。形成于所述第二襯底202上的多個第一薄膜電極22之間相互間隔絕緣。
[0030]所述第二表面202a為一光滑的平面，在其他實施方式中，所述第二表面還可以為曲面或者不規(guī)則的表面，或者所述第二表面還可以具有容納薄膜電極的第三收容空間；所述第二襯底還可以為一基板。所述第二襯底202或基板的材料為玻璃或者樹脂。
[0031]本實施方式提供的所述薄膜電極制作方法中，先在第一襯底201的多個第一收容空間24內(nèi)形成薄膜電極22，然后再將所述薄膜電極22轉(zhuǎn)移至第二襯底或基板202上，一方面可以避免傳統(tǒng)方式中先將薄膜電極22轉(zhuǎn)移至第二襯底或基板后再刻蝕圖形所造成的薄膜材料的浪費(fèi)；另一方面，薄膜電極在第一襯底上已經(jīng)形成，無需先從石墨烯廠商處購買石墨烯材料，并通過新的刻蝕