晶片封裝體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝技術(shù)，特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]使用者在使用具有觸控功能的電子產(chǎn)品的過(guò)程中，容易在電子產(chǎn)品上殘留水氣或油漬，而造成其中的晶片封裝體的感測(cè)裝置受到污染，且使用者在操作電子產(chǎn)品的過(guò)程中也容易對(duì)感測(cè)裝置造成各種物理性破壞，進(jìn)而降低電子產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。
[0004]因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括:一基底，具有一第一表面及與第一表面相對(duì)的一第二表面，其中基底內(nèi)包括一感測(cè)裝置及至少一導(dǎo)電墊，感測(cè)裝置及至少一導(dǎo)電墊鄰近于第一表面，且導(dǎo)電墊具有橫向突出于基底的一側(cè)壁的一側(cè)壁；一封膠層，貼附于基底的第一表面上，以覆蓋感測(cè)裝置及導(dǎo)電墊；以及一重布線層，設(shè)置于基底的第二表面上，并延伸至接觸導(dǎo)電墊暴露出的側(cè)壁，其中重布線層的一端點(diǎn)突出于第一表面，且與封膠層相對(duì)于第一表面的一第三表面切齊。
[0006]本發(fā)明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括:提供一基底，基底具有一第一表面及與第一表面相對(duì)的一第二表面，其中基底內(nèi)包括一感測(cè)裝置及至少一導(dǎo)電墊，感測(cè)裝置及至少一導(dǎo)電墊鄰近于第一表面，且導(dǎo)電墊具有橫向突出于基底的一側(cè)壁的一側(cè)壁；在基底的第一表面上貼附一封膠層，以覆蓋感測(cè)裝置及導(dǎo)電墊；以及在基底的第二表面上形成一重布線層，重布線層延伸至接觸導(dǎo)電墊暴露出的側(cè)壁，其中重布線層的一端點(diǎn)突出于第一表面，且與封膠層相對(duì)于第一表面的一第三表面切齊。
[0007]本發(fā)明不僅能夠提升感測(cè)裝置的感測(cè)靈敏度，還可避免在使用晶片封裝體的感測(cè)功能的過(guò)程中感測(cè)裝置受到污染或破壞，因此可提升晶片封裝體的可靠度及品質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1A至IG是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
[0009]圖2是繪示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。
[0010]圖3A至3D是繪示出根據(jù)本發(fā)明其他實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
[0011]其中，附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:
[0012]100:基底;100a:第一表面；100b:第二表面;100c、140c:側(cè)壁；120:晶片區(qū)；140:導(dǎo)電墊；160:感測(cè)裝置；180:封膠層；180a:第三表面；220:絕緣層；240:支撐基底；260:重布線層；260a:端點(diǎn)；280:鈍化保護(hù)層；300:開(kāi)口 ；320:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；340:粘著層；360:暫時(shí)性基底；380:保護(hù)層。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0014]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝微機(jī)電系統(tǒng)晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無(wú)源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components)，例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System ;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線、電容及壓力等物理量變化來(lái)測(cè)量的物理感測(cè)器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package ；WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting d1des ;LEDs)、太陽(yáng)能電池(solarcells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測(cè)器(process sensors)或噴墨頭(ink printer heads)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0015]其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱(chēng)之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過(guò)堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D1G，其繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。在本實(shí)施例中，晶片封裝體包括一基底100、一封膠層180及多個(gè)重布線層(redistribut1nlayer，RDL) 260。基底100具有一第一表面100a、與第一表面10a相對(duì)的一第二表面10b以及側(cè)壁100c。在一實(shí)施例中，基底100可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底。
[0017]在本實(shí)施例中，基底100內(nèi)具有一感測(cè)裝置160及一個(gè)或一個(gè)以上的導(dǎo)電墊140，其可鄰近于第一表面100a。在一實(shí)施例中，感測(cè)裝置160用以感測(cè)生物特征，且可包括一指紋辨識(shí)元件。在另一實(shí)施例中，感測(cè)裝置160用以感測(cè)環(huán)境特征，且可包括一溫度感測(cè)元件、一濕度感測(cè)元件、一壓力感測(cè)元件、一電容感測(cè)元件或其他適合的感測(cè)元件。在一實(shí)施例中，感測(cè)裝置160內(nèi)的感測(cè)元件可通過(guò)基底100內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)(未繪示)而與導(dǎo)電墊140電性連接。
[0018]在本實(shí)施例中，每一導(dǎo)電墊140具有一側(cè)壁140c橫向突出于基底100的側(cè)壁100c。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電墊140可為單層導(dǎo)電層或具有多層的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)。為簡(jiǎn)化圖式，此處僅以單層導(dǎo)電層作為范例說(shuō)明，且僅繪示出基底100內(nèi)的兩個(gè)導(dǎo)電墊120作為范例說(shuō)明。
[0019]封膠層180貼附于基底100的第一表面10a上，以覆蓋感測(cè)裝置160及導(dǎo)電墊140。在本實(shí)施例中，封膠層180的一側(cè)壁與導(dǎo)電墊140的側(cè)壁140c切齊。在一實(shí)施例中，封膠層180的厚度可大約為3μπι至30μπι(例如，25μπι)。在本實(shí)施例中，封膠層180可包括環(huán)氧樹(shù)脂、無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂(polyimide)、苯環(huán)丁稀(butylcyclobutene，BCB)、聚對(duì)二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fIuorocarbons)、丙稀酸醋(acrylates))或其他適合的絕緣材料。
[0020]一絕緣層220設(shè)置于基底100的第二表面10b上，且沿著基底100的側(cè)壁10c延伸，并覆蓋橫向突出于基底100的導(dǎo)電墊140的一部分。在本實(shí)施例中，絕緣層220可包括環(huán)氧樹(shù)脂、無(wú)機(jī)材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機(jī)高分子材料(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂、苯環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的絕緣材料。