涂覆(WBC，即Wafer Back Coating)與點(diǎn)膠相結(jié)合的方式來(lái)控制IC控制芯片2底部絕緣膠層的厚度，形成如圖3所示的本發(fā)明封裝件的第二種實(shí)施例，該第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖1所示的第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)基本相同，兩種之間的區(qū)別在于:第二種實(shí)施例中，第二基島10與絕緣膠膜6之間設(shè)有厚度為5?35Mm的絕緣漿料層11。使得IC控制芯片2與第二基島10之間的絕緣層厚度增大，增強(qiáng)IC控制芯片2的耐高壓防漏點(diǎn)能力。
[0017]本發(fā)明還提供了一種上述封裝件的制造方法，具體按以下步驟進(jìn)行:
步驟1:采用晶圓背面涂覆工藝(WBC)將絕緣膠涂覆于晶圓背面，即采用絲網(wǎng)印刷等工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，形成厚度為20?10Mffl的絕緣膠膜6 ;然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片2，再將IC控制芯片2粘貼于第二基島10的上表面；
或者，采用晶圓背面涂覆工藝(WBC)將絕緣膠涂覆于晶圓背面，即采用絲網(wǎng)印刷等工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面；形成厚度為20?10Mffl的絕緣膠膜6 ;然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片2 ;然后采用WBC與點(diǎn)膠相結(jié)合的工藝，具體是指先采用點(diǎn)膠工藝將絕緣漿料滴涂在第二基島10上表面，待絕緣漿料固化后，形成厚度為5?35Mm的絕緣漿料層，再將背面涂覆了絕緣膠層6的IC控制芯片2粘貼于第二基島10的上表面；
步驟2:將MOSFET功率器件3粘貼于第一基島9的上表面；
步驟3:采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島9沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體4外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
[0018]實(shí)施例1
采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，形成厚度為10Mffl的絕緣膠膜；然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片；然后，采用點(diǎn)膠工藝將絕緣漿料滴涂在第二基島上表面，待絕緣漿料固化后，形成厚度為的絕緣漿料層，再將背面涂覆了絕緣膠層的IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面；將MOSFET功率器件粘貼于第一基島的上表面；采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
[0019]實(shí)施例2
采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，形成厚度為20μπι的絕緣膠膜；然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片，再將IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面；將MOSFET功率器件粘貼于第一基島的上表面；采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
[0020]實(shí)施例3
采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，形成厚度為60μπι的絕緣膠膜；然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片；然后，采用點(diǎn)膠工藝將絕緣漿料滴涂在第二基島上表面，待絕緣漿料固化后，形成厚度為35Pffl的絕緣漿料層，再將背面涂覆了絕緣膠層的IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面；將MOSFET功率器件粘貼于第一基島的上表面；采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
[0021]實(shí)施例4
采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，形成厚度為40μπι的絕緣膠膜；然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片；然后，采用點(diǎn)膠工藝將絕緣漿料滴涂在第二基島上表面，待絕緣漿料固化后，形成厚度為20Pffl的絕緣漿料層，再將背面涂覆了絕緣膠層的IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面；將MOSFET功率器件粘貼于第一基島的上表面；采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件，包括粘貼于基島上的MOSFET功率器件(3 )和IC控制芯片(2 )，IC控制芯片(2 )通過(guò)鍵合線分別與MOSFET功率器件(3 )和內(nèi)引腳(7 )相連，MOSFET功率器件(3 )通過(guò)鍵合線與內(nèi)引腳(7 )相連，內(nèi)引腳(7 )與外引腳(8 )相連，基島上塑封有封膠體(4)，其特征在于，該封裝件中的引線框架采用雙基島結(jié)構(gòu)，該雙基島中的兩個(gè)基島為相互不接觸的第一基島(9)和第二基島(10)，MOSFET功率器件(3)通過(guò)導(dǎo)電膠膜(5)粘接于第一基島(9)上，IC控制芯片(2)通過(guò)絕緣膠膜(6)粘接于第二基島(10 )上，第一基島(9 )背離MOSFET功率器件(3 )的底面位于封膠體(4 )外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件，其特征在于，所述第一基島(9)的高度位置低于第二基島(10)的高度位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件，其特征在于，絕緣膠膜(6)與第二基島(10)之間設(shè)有絕緣漿料層(11)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件，其特征在于，所述絕緣漿料層(11)的厚度為5?35Mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件，其特征在于，所述絕緣膠膜(6)的厚度為20~100Mm。6.一種權(quán)利要求1所述的熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件的制造方法，其特征在于，該制造方法具體按以下步驟進(jìn)行: 步驟1:采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面；然后將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片，再將IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面； 或者，采用晶圓背面涂覆工藝將絕緣膠涂覆于晶圓背面，將晶圓切割成單個(gè)的晶粒，得到IC控制芯片；然后，采用點(diǎn)膠工藝將絕緣漿料滴涂在第二基島上表面，待絕緣漿料固化后再將背面涂覆了絕緣膠的IC控制芯片粘貼于第二基島的上表面； 步驟2:將MOSFET功率器件粘貼于第一基島的上表面； 步驟3:采用現(xiàn)有內(nèi)置MOSFET器件的LED驅(qū)動(dòng)電路的生產(chǎn)工藝進(jìn)行壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；塑封過(guò)程中，使第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，制得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。
【專利摘要】一種熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件及其制造方法，封裝件包括貼于基島上的功率器件和控制芯片，控制芯片與功率器件和內(nèi)引腳相連，功率器件與內(nèi)引腳相連，內(nèi)引腳與外引腳相連，基島上塑封有封膠體，基島為相互不接觸的兩個(gè)基島，功率器件通過(guò)導(dǎo)電膠膜粘接于一個(gè)基島上，該基島背離功率器件的底面位于封膠體外，IC控制芯片通過(guò)絕緣膠膜粘接于另一個(gè)基島上。晶圓背面涂覆絕緣膠，切成單個(gè)晶粒，粘貼于基島上，功率器件粘于另一基島上，現(xiàn)有工藝壓焊、塑封、固化和檢測(cè)；第一基島沒(méi)有粘貼器件的底面位于封膠體外，得熱沉結(jié)構(gòu)雙載體LED驅(qū)動(dòng)電路封裝件。該封裝件能快速散逸大量熱量，絕緣膠不容易被擊穿，絕緣膠和導(dǎo)電膠不能相互滲透。
【IPC分類】H01L25/16, H01L23/367, H01L23/495
【公開號(hào)】CN105023922
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510461762
【發(fā)明人】邵榮昌, 王曉春, 慕蔚
【申請(qǐng)人】天水華天科技股份有限公司, 甘肅微電子工程研究院有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年7月31日