一種導(dǎo)電組件及其制備方法、基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種導(dǎo)電組件及其制備方法、基板、顯示裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] 陣列基板中的柵線、數(shù)據(jù)線以及公共電極線等結(jié)構(gòu)通常由電阻率較低的金屬材料 構(gòu)成。由于金屬材料對光線具有一定的反射效果，因此，還需要在陣列基板或與陣列基板對 盒的彩膜基板上額外設(shè)置用于遮擋光線的黑矩陣。
[0003] 黑矩陣的材料可由炭黑顆?；蜚f（Mo)、鉻（Cr)等低反射率的金屬材料構(gòu)成。這兩 種材料對光線的反射率差異較大，炭黑顆粒對光線的反射率< 5%，而Mo、Cr等金屬材料對 光線的反射率> 50%，因此，現(xiàn)有技術(shù)通常采用包覆炭黑顆粒的有機(jī)樹脂構(gòu)成。
[0004] 然而，由于黑矩陣需要對應(yīng)于柵線、數(shù)據(jù)線以及公共電極線等結(jié)構(gòu)，在制備具有相 應(yīng)圖案的黑矩陣時還需與上述的各個結(jié)構(gòu)的圖案進(jìn)行對位，因此，存在一定的對位困難。為 了降低由于對位誤差而導(dǎo)致的黑矩陣遮光效果降低，黑矩陣的圖案通常會被設(shè)計的比上述 的圖案面積更大，從而造成顯示裝置有效顯示區(qū)域的面積下降。
[0005] 此外，由于黑矩陣需要通過額外的工藝來制備，增加了顯示裝置整體工藝的次數(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實施例提供一種導(dǎo)電組件及其制備方 法、基板、顯示裝置，該導(dǎo)電組件對射入的光線具有良好的減反射的效果，當(dāng)該導(dǎo)電組件應(yīng) 用于顯示裝置中的導(dǎo)電圖案如金屬走線等電極結(jié)構(gòu)時，可無需再額外設(shè)置黑矩陣，避免了 由于設(shè)置黑矩陣而產(chǎn)生的增加工藝次數(shù)、對位困難以及有效顯示面積降低等諸多問題。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0008] -方面、本發(fā)明實施例提供了一種導(dǎo)電組件，所述導(dǎo)電組件包括：金屬層；在所述 金屬層的至少一側(cè)表面上依次設(shè)置的吸光層與減反射層；其中，所述吸光層的折射率大于 所述減反射層的折射率；所述減反射層遠(yuǎn)離所述吸光層的第一表面靠近于光線射入的方 向。
[0009] 優(yōu)選的，所述吸光層主要由金屬氧化物和/或金屬氮氧化物構(gòu)成；所述減反射層 主要由金屬氧化物構(gòu)成；其中，所述吸光層中的氧含量小于所述減反射層中的氧含量。 [0010] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電組件包括位于所述吸光層遠(yuǎn)離所述金屬層一側(cè)的至少兩層所述 減反射層；其中，沿由所述吸光層指向所述減反射層的方向，各層所述減反射層的折射率依 次降低。
[0011] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述減反射層主要由金屬氧化物構(gòu)成；其中，沿由所述吸光層指向 所述減反射層的方向，各層所述減反射層中的氧含量依次提高。
[0012] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，所述吸光層中的金屬元素與所述減反射層中的金屬元素相 同。
[0013] 優(yōu)選的，所述金屬層中的金屬元素、所述吸光層中的金屬元素以及所述減反射層 中的金屬元素均相同。
[0014] 優(yōu)選的，所述吸收層的折射率為3~4,所述減反射層的折射率為1~2。
[0015] 另一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種導(dǎo)電組件的制備方法，所述方法包括：在金 屬層的至少一側(cè)表面上，依次形成吸光層、減反射層；其中，所述吸光層的折射率大于所述 減反射層的折射率。
[0016] 優(yōu)選的，形成的所述吸光層主要由金屬氧化物和/或金屬氮氧化物構(gòu)成；形成的 所述減反射層主要由金屬氧化物構(gòu)成；其中，所述吸光層中的氧含量小于所述減反射層中 的氧含量。
[0017] 進(jìn)一步優(yōu)選的，采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次濺射形成所 述吸光層與所述減反射層。
[0018] 進(jìn)一步優(yōu)選的，所述采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次濺射形 成所述吸光層與所述減反射層，具體包括：采用金屬靶材，在氧氣氣氛下濺射形成吸光層； 在形成有所述吸光層的反應(yīng)體系中增大通入的所述氧氣流量，濺射形成減反射層；或者，采 用金屬靶材，在氧氣與氮?dú)鈿夥障聻R射形成吸光層；在形成有所述吸光層的反應(yīng)體系中停 止氮?dú)獾耐ㄈ?，且增大通入的所述氧氣流量，濺射形成減反射層。
[0019] 優(yōu)選的，在所述吸光層遠(yuǎn)離所述金屬層一側(cè)至少形成兩層所述減反射層；其中，沿 由所述吸光層指向所述減反射層的方向，各層所述減反射層的折射率依次降低。
[0020] 進(jìn)一步優(yōu)選的，形成的所述減反射層主要由金屬氧化物構(gòu)成；其中，沿由所述吸光 層指向所述減反射層的方向，各層所述減反射層中的氧含量依次提高。
[0021] 優(yōu)選的，采用金屬靶材，在氧氣氣氛下逐層濺射形成各層所述減反射層；其中，沿 由所述吸光層指向所述減反射層的方向，濺射各層所述減反射層時通入的所述氧氣的流量 依次提尚。
[0022] 進(jìn)一步優(yōu)選的，采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次濺射形成所 述吸光層與所述減反射層，包括：采用濺射沉積法，通過調(diào)節(jié)濺射反應(yīng)氣體的流量，一次濺 射形成所述金屬層、所述吸光層以及所述減反射層。
[0023] 再一方面、本發(fā)明實施例又提供了一種基板，所述基板包括導(dǎo)電圖案；所述導(dǎo)電圖 案由上述任一項所述的導(dǎo)電組件構(gòu)成。
[0024] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電圖案包括：柵極、柵線以及柵線引線中的至少一種。
[0025] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電圖案包括：源極、漏極、與所述源極相連的數(shù)據(jù)線以及數(shù)據(jù)線引 線中的至少一種。
[0026] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電圖案包括：公共電極線。
[0027] 優(yōu)選的，所述導(dǎo)電圖案包括：連接感應(yīng)電極的橋接電極。
[0028] 又一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的基板。
[0029] 基于此，本發(fā)明實施例提供的上述具有黑矩陣功能的導(dǎo)電組件主要具有以下優(yōu) 點(diǎn)：其一、金屬層具有導(dǎo)電作用，能夠作為基板中的電極結(jié)構(gòu)，起到導(dǎo)電的作用；其二、吸收 層具有吸光作用，能夠吸收環(huán)境光線，起到黑矩陣遮光的作用；其三、減反射層對反射光具 有減反作用，能夠進(jìn)一步降低反射率，提高顯示對比度。因此，當(dāng)該導(dǎo)電組件應(yīng)用于顯示裝 置中的走線、電極等導(dǎo)電結(jié)構(gòu)時，由于該導(dǎo)電組件對光線的反射程度較低，因此可無需再額 外設(shè)置黑矩陣，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于設(shè)置黑矩陣而產(chǎn)生的增加工藝次數(shù)、對位困難以及 有效顯示面積降低等諸多問題。
【附圖說明】
[0030] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種導(dǎo)電組件沿厚度方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0032] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種導(dǎo)電組件沿厚度方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0033] 圖3為本發(fā)明實施例提供的一種導(dǎo)電組件沿厚度方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0034] 圖4為本發(fā)明實施例提供的一種導(dǎo)電組件中吸光層與減反射層的折射率對比圖；
[0035] 圖5為本發(fā)明實施例提供的一種基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖6為圖5中A-A'方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖7為圖5中B-B'方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038] 附圖標(biāo)記：
[0039] 01-C0A型陣列基板；10-導(dǎo)電組件；11-金屬層；12-吸光層；13-減反射層； 13a-第一表面；20-襯底基板；31-公共電極線；32-像素電極；33-柵絕緣層；34-數(shù)據(jù) 線；35-第一鈍化層；36-彩色濾光片；37-有機(jī)膜平坦層；38-公共電極；39-第二鈍化層； 40-柵極；41-柵線；42-有源層；43a_源極；43b_漏極。
【具體實施方式】
[0040] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。