鰭式場效應(yīng)管基體制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種鰭式場效應(yīng)管基體制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路的發(fā)展，器件尺寸越來越小，集成度越來越高。而且，隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸由于器件尺寸越來越小而不斷減小，傳統(tǒng)的平面半導(dǎo)體制造技術(shù)已經(jīng)無法使用，目前鰭式場效應(yīng)管在小尺寸領(lǐng)域被廣發(fā)使用。
[0003]而在模擬電路中，例如在讀出放大器和SRAM單等中，對晶體管的溝道寬度非常敏感，不同的電路性能需要調(diào)整溝道寬度來實(shí)現(xiàn)，而在鰭式場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)中，鰭片的高度決定了溝道面積的大小。但是，傳統(tǒng)的鰭式場效應(yīng)管制造工藝只能制造相同高度的鰭片結(jié)構(gòu)。
[0004]因此，需要一種多高度的鰭式場效應(yīng)管的制造方法，以制造出具有不同鰭片高度的鰭式場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠制造出具有不同鰭片高度的鰭式場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種鰭式場效應(yīng)管基體制備方法，包括:第一步驟，其中提供半導(dǎo)體基體，并且在所述半導(dǎo)體基體上覆蓋圖案化的氮化物層；第二步驟，其中在所述圖案化的氮化物層及暴露的半導(dǎo)體基體表面上覆蓋氧化物層，并使得所述氧化物層平坦化；第三步驟，其中在所述氧化物層上覆蓋圖案化掩膜層，并利用圖案化掩膜層蝕刻氧化物層，由此在所述圖案化的氮化物層所對應(yīng)的區(qū)域中形成第一凹陷，在未覆蓋所述圖案化的氮化物層的區(qū)域中形成第二凹陷；第四步驟，其中在所述第二凹陷中部分地填充半導(dǎo)體材料以形成第一鰭部；第五步驟，其中刻蝕所述第一凹陷以暴露所述半導(dǎo)體基體；第六步驟，其中在暴露所述半導(dǎo)體基體的所述第一凹陷中填充半導(dǎo)體材料以形成第二鰭部，并且同時在所述第二凹陷中進(jìn)一步填充半導(dǎo)體材料以使得第一鰭部的高度增大；第七步驟，其中去除所述圖案化掩膜層，并且部分去除所述氧化物層，使得暴露的第一鰭部和第二鰭部形成具有不同高度的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選地，所述鰭式場效應(yīng)管基體制備方法還包括第八步驟，在垂直于鰭形溝道的方向上，依次沉積高介電材料層和金屬材料層。
[0008]優(yōu)選地，所述鰭式場效應(yīng)管基體制備方法還包括第八步驟，在垂直于鰭形溝道的方向上，依次沉積柵極氧化層和柵極多晶硅層。
[0009]優(yōu)選地，在第四步驟中通過外延生長在所述第二凹陷中部分地填充半導(dǎo)體材料以形成第一鰭部。
[0010]優(yōu)選地，在第六步驟中，通過外延生長，在暴露所述半導(dǎo)體基體的所述第一凹陷中填充半導(dǎo)體材料以形成第二鰭部，并且同時在所述第二凹陷中進(jìn)一步填充半導(dǎo)體材料以使得第一鰭部的高度增大。
[0011]優(yōu)選地，優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體材料層的材料為單晶硅、鍺硅或碳硅。
[0012]優(yōu)選地，所述圖案化掩膜層由氮化硅和/或氧化硅構(gòu)成。
[0013]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體襯底是硅襯底。
[0014]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體材料為硅。
【附圖說明】
[0015]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第一步驟。
[0017]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第二步驟。
[0018]圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第三步驟。
[0019]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第四步驟。
[0020]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第五步驟。
[0021]圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第六步驟。
[0022]圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第七步驟。
[0023]圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的第八步驟。
[0024]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]圖1至圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法的各個步驟。
[0027]如圖1至圖8所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的鰭式場效應(yīng)管基體制備方法包括:
[0028]第一步驟，其中提供半導(dǎo)體基體10，并且在所述半導(dǎo)體基體10上覆蓋圖案化的氮化物層20 ;
[0029]第二步驟，其中在所述圖案化的氮化物層20及暴露的半導(dǎo)體基體10表面上覆蓋氧化物層30，并使得所述氧化物層30平坦化；
[0030]第三步驟，其中在所述氧化物層30上覆蓋圖案化掩膜層40，并利用圖案化掩膜層40蝕刻氧化物層，由此在所述圖案化的氮化物層20所對應(yīng)的區(qū)域中形成第一凹陷50，在未覆蓋所述圖案化的氮化物層20的區(qū)域中形成第二凹陷60 ;
[0031]第四步驟，其中在所述第二凹陷60中部分地填充半導(dǎo)體材料以形成第一鰭部70 ;優(yōu)選地，在第四步驟中通過外延生長在所述第二凹陷60中部分地填充半導(dǎo)體材料以形成第一鰭部70。
[0032]第五步驟，其中刻蝕所述第一凹陷50以暴露所述半導(dǎo)體基體10 ;
[0033]第六步驟，其中在暴露所述半導(dǎo)體基體10的所述第一凹陷50中填充半導(dǎo)體材料以形成第二