線溝道，所述至少一個納米線溝道具有第一端和相對的第二端；源極結(jié)構(gòu)，所述源極結(jié)構(gòu)接近至少一個納米線第一端，其中，第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在源極結(jié)構(gòu)與至少一個納米線第一端之間；以及漏極結(jié)構(gòu)，所述漏極結(jié)構(gòu)接近至少一個納米線第二端，其中，第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在漏極結(jié)構(gòu)與至少一個納米線第二端之間。
[0053]在示例17中，示例16的主題可以可選地包括柵極電介質(zhì)材料，所述柵極電介質(zhì)材料鄰接納米線溝道第一端與納米線溝道第二端之間的納米線溝道。
[0054]在示例18中，示例17的主題可以可選地包括柵極電極材料，所述柵極電極材料鄰接柵極電介質(zhì)材料。
[0055]在示例19中，示例18的主題可以可選地包括柵極電極材料鄰接第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)。
[0056]在示例20中，示例16至19中的任何示例的主題可以可選地包括納米線溝道、第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是相同的材料。
[0057]在示例21中，示例16至19中的任何示例的主題可以可選地包括納米線溝道、第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅鍺。
[0058]在示例22中，示例16至19中的任何示例的主題可以可選地包括納米線溝道、第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅。
[0059]在示例23中，示例16至22中的任何示例的主題，其中，至少一個納米線溝道可以包括形成于微電子襯底之上的多個納米線溝道，其中，納米線溝道彼此間隔開。
[0060]如此詳細描述了本描述的實施例，應(yīng)當理解的是，由所附權(quán)利要求書限定的本說明不受在以上描述中闡述的特定細節(jié)限制，在不脫離其精神或范圍的情況下，其許多明顯的變化是可能的。
【主權(quán)項】
1.一種納米線晶體管，包括: 至少一個納米線溝道，所述至少一個納米線溝道具有第一端和相對的第二端； 源極結(jié)構(gòu)，所述源極結(jié)構(gòu)接近所述至少一個納米線第一端，其中，第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述源極結(jié)構(gòu)與所述至少一個納米線第一端之間；以及 漏極結(jié)構(gòu)，所述漏極結(jié)構(gòu)接近所述至少一個納米線第二端，其中，第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述漏極結(jié)構(gòu)與所述至少一個納米線第二端之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米線晶體管，還包括柵極電介質(zhì)材料，所述柵極電介質(zhì)材料鄰接所述納米線溝道第一端與所述納米線溝道第二端之間的所述納米線溝道。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米線晶體管，還包括柵極電極材料，所述柵極電極材料鄰接所述柵極電介質(zhì)材料。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米線晶體管，其中，所述柵極電極材料鄰接所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是相同的材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅鍺。7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米線晶體管，其中，所述至少一個納米線溝道包括形成于微電子襯底之上的多個納米線溝道，其中，所述納米線溝道彼此間隔開。9.一種形成微電子結(jié)構(gòu)的方法，包括: 在微電子襯底上形成鰭片結(jié)構(gòu)，其中，所述鰭片結(jié)構(gòu)包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層； 跨所述鰭片結(jié)構(gòu)形成至少兩個間隔體； 在所述至少兩個間隔體之間形成犧牲柵極電極材料； 去除在所述犧牲柵極電極材料和所述間隔體之外的一部分鰭片結(jié)構(gòu)，以形成鰭片結(jié)構(gòu)第一端和相對的鰭片結(jié)構(gòu)第二端； 形成底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)，以鄰接所述鰭片結(jié)構(gòu)第一端和所述鰭片結(jié)構(gòu)第二端；以及 形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)，以鄰接在所述鰭片結(jié)構(gòu)的相對端上的所述底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括: 在所述源極結(jié)構(gòu)和所述漏極結(jié)構(gòu)上方形成層間電介質(zhì)層； 從所述間隔體之間去除所述犧牲柵極電極材料；以及 選擇性地去除在所述溝道材料層之間的所述犧牲材料層，以形成至少一個溝道納米線。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 形成柵極電介質(zhì)材料，以圍繞所述間隔體之間的所述溝道納米線；以及 在所述柵極電介質(zhì)材料上形成柵極電極材料。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述微電子襯底上形成所述鰭片結(jié)構(gòu)，其中，所述鰭片結(jié)構(gòu)包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層，包括: 形成微電子襯底； 形成疊置層，所述疊置層包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層；以及 由分層疊置體形成至少一個鰭片結(jié)構(gòu)。13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是相同的材料。14.根據(jù)權(quán)利要求9至12中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅鍺。15.根據(jù)權(quán)利要求9至12中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅。16.一種計算設(shè)備，包括: 板，所述板包括至少一個部件； 其中，所述至少一個部件包括至少一個微電子結(jié)構(gòu)，所述至少一個微電子結(jié)構(gòu)包括至少一個納米線晶體管，所述至少一個納米線晶體管包括:至少一個納米線溝道，所述至少一個納米線溝道具有第一端和相對的第二端；源極結(jié)構(gòu)，所述源極結(jié)構(gòu)接近所述至少一個納米線第一端，其中，第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述源極結(jié)構(gòu)與所述至少一個納米線第一端之間；以及漏極結(jié)構(gòu)，所述漏極結(jié)構(gòu)接近所述至少一個納米線第二端，其中，第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述漏極結(jié)構(gòu)與所述至少一個納米線第二端之間。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計算設(shè)備，還包括柵極電介質(zhì)材料，所述柵極電介質(zhì)材料鄰接所述納米線溝道第一端與所述納米線溝道第二端之間的所述納米線溝道。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的計算設(shè)備，還包括柵極電極材料，所述柵極電極材料鄰接所述柵極電介質(zhì)材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算設(shè)備，其中，所述柵極電極材料鄰接所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)。20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中的任一項所述的計算設(shè)備，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是相同的材料。21.根據(jù)權(quán)利要求16至19中的任一項所述的計算設(shè)備，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅鍺。22.根據(jù)權(quán)利要求16至19中的任一項所述的計算設(shè)備，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)和所述第二底層蝕刻停止結(jié)構(gòu)是硅。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計算設(shè)備，其中，所述至少一個納米線溝道包括形成于微電子襯底之上的多個納米線溝道，其中，所述納米線溝道彼此間隔開。
【專利摘要】可以借助包含在至少一個納米線晶體管的制造期間形成的至少一個底層蝕刻停止來產(chǎn)生本描述中的納米線器件，以便幫助保護源極結(jié)構(gòu)和/或漏極結(jié)構(gòu)免于可能由于制造工藝而導致的損壞。當用于制造所述源極結(jié)構(gòu)和/或所述漏極結(jié)構(gòu)的材料易于受到用在去除犧牲材料中的工藝的蝕刻時，即，對于所述源極結(jié)構(gòu)和/或所述漏極結(jié)構(gòu)材料的低選擇性，所述底層蝕刻停止可以防止對所述源極結(jié)構(gòu)和/或所述漏極結(jié)構(gòu)的損壞，以便可以防止在晶體管柵極電極與為所述源極結(jié)構(gòu)和/或所述漏極結(jié)構(gòu)形成的觸點之間的可能的短路。
【IPC分類】H01L29/78, H01L21/336
【公開號】CN105051905
【申請?zhí)枴緾N201380073109
【發(fā)明人】S·金, D·奧貝蒂內(nèi), K·庫恩, A·默西
【申請人】英特爾公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2013年3月15日
【公告號】DE112013006527T5, US9064944, US20140264280, US20150221744, WO2014142952A1