[0034] 為此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中包括：覆蓋在硅基底的第一 層NiPt薄膜,及覆蓋所述第一層NiPt薄膜的第二層NiPt薄膜,所述第一層NiPt薄膜中Pt 的含量高于第二層NiPt薄膜中Pt的含量。利用與硅基底接觸的第一層NiPt薄膜中Pt的 含量較高，從而對NiSi的形成有利；而第二層NiPt薄膜中Pt的含量較低，在化學(xué)刻蝕比較 容易去除，從而有效的減少甚至避免了如在現(xiàn)有技術(shù)中容易形成的多種缺陷，這就提高了 產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0035] 基于上述思想，下面提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法的較優(yōu)實施例，請參考圖2及 圖3,圖2為本發(fā)明實施例中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的示意圖，圖3為本發(fā)明實施例中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形 成方法的流程圖。
[0036] 首先，進行步驟S101，提供一硅基底1。所述硅基底中可以形成有公知的器件結(jié) 構(gòu)。在形成第一層NiPt薄膜21前，通常需要對該硅基底1進行預(yù)清洗，以去除所述硅基底 1表面的顆粒、金屬離子或其它雜質(zhì)。
[0037] 接著，進行步驟S102,在所述硅基底1上沉積第一層NiPt薄膜21 ;較佳的，采用 CVD方法，例如PECVD沉積形成，所述第一層NiPt薄膜21的厚度優(yōu)選為3:〇^^.10:0人，較佳 的，所述第一層NiPt薄膜21中Pt的含量例如可以是5mol%~30mol%。
[0038] 然后，進行步驟S103,在所述第一層NiPt薄膜21上繼續(xù)沉積第二層NiPt薄膜22， 同樣的，可以采用CVD方法沉積形成，例如PECVD沉積形成，所述第二層NiPt薄膜22的厚 度優(yōu)選為50 A~200A.
[0039] 由于本發(fā)明一個目的是為了避免Pt含量較高時所造成的Pt殘留問題，因此，在第 二層NiPt薄膜22中，Pt的含量低于在第一層NiPt薄膜21中Pt的含量，從而在進行的后 續(xù)刻蝕工藝中，能夠較容易去除，以盡可能的減少甚至避免了 Pt殘留，大大的提高了產(chǎn)品 的質(zhì)量。
[0040] 在另一較佳實施例中，在進行完成步驟S103后，還可以繼續(xù)在所述第二層NiPt薄 膜22上沉積第三層NiPt薄膜，應(yīng)該能夠理解的是，在這里所述第三層NiPt薄膜中Pt的含 量低于所述第二層NiPt薄膜22中Pt的含量。也就是說，在本發(fā)明中，位于硅基底1之上 沉積的NiPt結(jié)構(gòu)包括有順序形成的多層，各層自形成順序上對應(yīng)具有越來越少的Pt的含 量，從而既能夠保證與硅接觸處良好的Pt的含量，形成所需的NiSi，又能夠避免上層中Pt 較多，這就避免了如【背景技術(shù)】中所提到的問題。當(dāng)然，NiPt薄膜的層數(shù)并非是越多越好，通 常以2-3層為佳，或者根據(jù)特定工藝需求而選擇合適的層數(shù)。
[0041] 之后，在形成所需要層數(shù)的NiPt薄膜后，繼續(xù)在頂層的（例如第二層）NiPt薄膜 上形成一保護層覆蓋于所述第二層NiPt薄膜上，所述保護層的材料為TiN。
[0042] 實驗證明，采用本發(fā)明的方法，在經(jīng)過缺陷檢測后，不會產(chǎn)生Pt殘留缺陷，并且也 未能夠發(fā)現(xiàn)亮度電壓對比（BVC)缺陷。進一步的，通過WAT測試，發(fā)現(xiàn)在本發(fā)明中使用多層 NiPt薄膜的接觸電阻在NiSi厚度相一致的情況下，相比現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)下降了 10%，顯著 的提商了廣品的性能。
[0043] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括： 硅基底； 覆蓋所述硅基底的第一層NiPt薄膜；以及 覆蓋所述第一層NiPt薄膜的第二層NiPt薄膜； 其中，所述第一層NiPt薄膜中Pt的含量高于第二層NiPt薄膜中Pt的含量。2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層NiPt薄膜中Pt的含量為 5mol%~；30mol%。3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括一保護層，所 述保護層覆蓋所述第二層NiPt薄膜。4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護層的材料為TiN。5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括第三層NiPt 薄膜，所述第三層NiPt薄膜位于所述第二層NiPt薄膜與保護層之間，所述第三層NiPt薄 膜中Pt的含量低于所述第二層NiPt薄膜中Pt的含量。6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層NiPt薄膜的厚度為 30A~100A，所述第二層NiPt薄膜的厚度為50A~200A。7. -種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括： 提供一硅基底； 在所述硅基底上沉積第一層NiPt薄膜； 在所述第一層NiPt薄膜上沉積第二層NiPt薄膜； 其中，所述第一層NiPt薄膜中Pt的含量高于第二層NiPt薄膜中Pt的含量。8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一層NiPt薄膜中 Pt的含量為5mol%~30mol%。9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述硅基底上沉積第 一層NiPt薄膜之前，還包括對所述硅基底進行預(yù)清洗工藝。10. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用CVD工藝形成所述 第一層NiPt薄膜和第二層NiPt薄膜，所述第一層NiPt薄膜的厚度為3QA~丨00A，所述第 二層NiPt薄膜的厚度為50A~200A。11. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成第二層NiPt薄膜 后，還包括：形成一保護層覆蓋于所述第二層NiPt薄膜上，所述保護層的材料為TiN。12. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成第二層NiPt薄 膜后，在形成一保護層之前，還包括：形成第三層NiPt薄膜，所述第三層NiPt薄膜中Pt的 含量低于第二層NiPt薄膜中Pt的含量。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括依次層疊的硅基底；覆蓋所述硅基底的第一層NiPt薄膜，及覆蓋所述第一層NiPt薄膜的第二層NiPt薄膜，所述第一層NiPt薄膜中Pt的含量高于第二層NiPt薄膜中Pt的含量。本發(fā)明中利用與硅基底接觸的第一層NiPt薄膜中Pt的含量較高，從而對NiSi的形成有利；而第二層NiPt薄膜中Pt的含量較低，在化學(xué)刻蝕比較容易去除，減少甚至避免了如在現(xiàn)有技術(shù)中容易形成的多種缺陷，這就提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。
【IPC分類】H01L29/43, H01L21/283
【公開號】CN105097899
【申請?zhí)枴緾N201410198292
【發(fā)明人】周真
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年5月12日