一種電磁屏蔽封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)如圖8所示，其工藝主要通過以下制程實現(xiàn):貼元件，塑封，錫射開槽，金屬填充，拋光，派鍍。
[0003]上述傳統(tǒng)封裝工藝存在以下缺點:
1、由于基板貼裝的電子器件較多，集成度高，器件之間相互間隔小，且包封面積大，回包現(xiàn)象更明顯，在包封過程中容易造成空洞現(xiàn)象，進而對產(chǎn)品可靠性能造成一定影響；
2、由于傳統(tǒng)工藝使用鐳射開槽，對鐳射精度要求很高，稍有偏差容易損傷器件，鐳射能量也需要控制在適當(dāng)范圍，否則將對基板造成不同程度損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種電磁屏蔽封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，解決了傳統(tǒng)工藝中包封和鐳射開槽存在的缺陷問題。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種電磁屏蔽封裝方法，所述方法包括如下步驟: 步驟一、表面貼裝
取一基板，利用表面貼裝的方式將芯片和各類電子器件貼裝于基板上；
步驟二、真空壓膜
在芯片和各電子器件上利用真空壓合機貼合可曝光顯影的干膜；
步驟三、除去部分干膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成真空壓膜作業(yè)的基板表面進行圖形曝光、顯影，除去部分干膜，形成填充槽，以露出后續(xù)需要電磁屏蔽的區(qū)域，之后將干膜進行固化處理；步驟四、填充金屬填料在步驟三中形成的填充槽內(nèi)填充金屬填料；
步驟五、拋光
對步驟四填充的金屬填料表面進行拋光處理，使金屬填料上表面與固化后的干膜上表面處于在同一水平面上；
步驟六、濺鍍金屬層
在步驟五拋光后的金屬填料上表面和干膜上表面上濺鍍一層金屬層。
[0006]所述金屬填料可采用液銅。
[0007]—種電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板，所述基板正面貼裝有射頻芯片和多個電子器件，所述射頻芯片和多個電子器件上覆蓋有一層干膜，所述射頻芯片周圍的干膜區(qū)域通過曝光顯影開設(shè)有填充槽，所述填充槽內(nèi)設(shè)置有金屬填料，所述金屬填料上表面與干膜上表面齊平，所述干膜和金屬填料上表面設(shè)置有一層金屬層。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果: 1、通過壓膜的方式取代大面積的包封，有效解決包封遇到的空洞問題；
2、通過顯影取代鐳射開槽，不需要擔(dān)心因鐳射精度、能量等問題而造成電子器件、基板的損傷。
【附圖說明】
[0009]圖1~圖6為本發(fā)明一種電磁屏蔽封裝方法的各工序示意圖。
[0010]圖7為本發(fā)明一種電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0011]圖8為傳統(tǒng)的電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0012]其中:
基板I
射頻芯片2 第一電子器件3 第二電子器件4 干膜5 填充槽6 金屬填料7 金屬層8 塑封料9。
【具體實施方式】
[0013]參見圖7，本發(fā)明一種電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板1，所述基板I正面貼裝有射頻芯片2、第一電子器件3和第二電子器件4，所述射頻芯片2、第一電子器件3和第二電子器件4上覆蓋有一層干膜5，所述射頻芯片2周圍的干膜5區(qū)域通過曝光顯影開設(shè)有填充槽6，所述填充料6內(nèi)填充有金屬填料7，所述金屬填料7上表面與干膜5上表面齊平，所述干膜5和金屬填料7上表面濺鍍有一層金屬層8，所述金屬填料7和濺鍍的金屬層8形成電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0014]所述金屬填料7可采用液銅，也可采用金屬薄膜代替。
[0015]其工藝方法如下:
步驟一、表面貼裝
參見圖1，取一條正常做系統(tǒng)模組的基板，利用表面貼裝的方式將芯片和各類電子器件貼裝于基板上，并進行正常的回流、去助焊劑、檢驗、烘烤等工序；
步驟二、真空壓膜
參見圖2，在芯片和各電子器件上利用真空壓合機貼合可曝光顯影的干膜，同時此干膜還能保護電子器件；
步驟三、除去部分干膜
參見圖3，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成真空壓膜作業(yè)的基板表面進行圖形曝光、顯影，除去部分干膜，形成填充槽，以露出后續(xù)需要電磁屏蔽的區(qū)域，之后將干膜進行固化處理，達到保護電子器件的目的；
步驟四、填充金屬填料參見圖4，在步驟三中形成的填充槽內(nèi)填充金屬填料；
步驟五、拋光
參見圖5，對步驟四填充的金屬填料表面進行拋光處理，使金屬填料上表面與固化后的干膜上表面處于在同一水平面上；
步驟六、濺鍍金屬層
參見圖6，在步驟五拋光后的金屬填料上表面和干膜上表面上濺鍍一層金屬層。
【主權(quán)項】
1.一種電磁屏蔽封裝方法，其特征在于所述方法包括如下步驟: 步驟一、表面貼裝 取一基板，利用表面貼裝的方式將芯片和各類電子器件貼裝于基板上； 步驟二、真空壓膜 在芯片和各電子器件上利用真空壓合機貼合可曝光顯影的干膜； 步驟三、除去部分干膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成真空壓膜作業(yè)的基板表面進行圖形曝光、顯影，除去部分干膜，形成填充槽，以露出后續(xù)需要電磁屏蔽的區(qū)域，之后將干膜進行固化處理； 步驟四、填充金屬填料 在步驟三中形成的填充槽內(nèi)填充金屬填料； 步驟五、拋光 對步驟四填充的金屬填料表面進行拋光處理，使金屬填料上表面與固化后的干膜上表面處于在同一水平面上； 步驟六、濺鍍金屬層 在步驟五拋光后的金屬填料上表面和干膜上表面上濺鍍一層金屬層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽封裝方法，其特征在于:所述金屬填料(7)采用液銅。3.—種電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括基板(1)，所述基板(I)正面貼裝有射頻芯片(2)和多個電子器件，所述射頻芯片(2)和多個電子器件上覆蓋有一層干膜(5)，所述射頻芯片(2)周圍的干膜(5)區(qū)域通過曝光顯影開設(shè)有填充槽(6)，所述填充槽(6)內(nèi)設(shè)置有金屬填料(7 )，所述金屬填料(7 )上表面與干膜(5 )上表面齊平，所述干膜(5 )和金屬填料(7 )上表面設(shè)置有一層金屬層(8 )。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括基板（1），所述基板（1）正面貼裝有射頻芯片（2）和多個電子器件，所述射頻芯片（2）和多個電子器件上覆蓋有一層干膜（5），所述射頻芯片（2）和多個電子器件周圍的干膜（5）區(qū)域通過曝光顯影開設(shè)有填充槽（6），所述填充槽（6）內(nèi)設(shè)置有金屬填料（7），所述干膜（5）和金屬填料（7）上表面設(shè)置有一層金屬層（8）。本發(fā)明一種電磁屏蔽封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)，解決了傳統(tǒng)工藝中包封和鐳射開槽存在的缺陷問題。
【IPC分類】H01L23/552, H01L21/56
【公開號】CN105140138
【申請?zhí)枴緾N201510587907
【發(fā)明人】王杰
【申請人】江蘇長電科技股份有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年9月16日